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(Bi,Yb)_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备
1
作者 成传品 唐明华 +3 位作者 叶志 钟向丽 郑学军 周益春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期612-613,631,共3页
采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜。采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi3.4,Yb0.6)Ti3O12[BYT]铁电薄膜。用X射线衍射法对其结构及其成份进行了表征,用铁电分析仪(RT6... 采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜。采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi3.4,Yb0.6)Ti3O12[BYT]铁电薄膜。用X射线衍射法对其结构及其成份进行了表征,用铁电分析仪(RT66A)测试了其铁电性。并就影响BYT薄膜铁电性能的因素进行了分析。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 byt铁电薄膜 制备 分析
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(Bi,Yb)_4Ti_3O_(12)薄膜退火研究
2
作者 成传品 唐明华 +2 位作者 叶志 周益春 郑学军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期234-237,共4页
采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Yb0.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响。揭示了退火温度对BYT薄... 采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Yb0.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 byt铁电薄膜 退火温度 铁电性
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