K^+,La^(3+)联合取代A位Zn^(2+)的BZN基陶瓷的相结构与介电性能研究

在具有立方焦绿石结构的Bi1 .5 Zn0 .5 (Zn0 .5 Nb1 .5 )O7陶瓷的基础上 ,引入K+ ,La3 + 离子联合取代A位Zn2 + ,对其结构与介电性能进行了研究 .X射线衍射技术分析表明 :当K+ ,La3 + 离子取代量较小时 (x <0 .3) ,样品的结构仍然保持立方焦绿石单相结构 ;当取代量较大时 (0 .3≤x≤ 0 .5 ) ,样品的晶体结构从纯立方焦绿石单相逐渐变化为立方焦绿石与立方萤石两相共存的复相结构 .样品的介电性能随着结构变化而有规律地变化 .

Y^(3+)取代Bi^(3+)的Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的结构与介电性

研究了Y^(3+)取代的Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5(BZN)基陶瓷(Bi_(1.5-x)Y_xZn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7(0≤x≤1.5,BYZN)的结构和介电性能。采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构,SEM分析样品的微观形貌。结果表明:BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Y^(3+)取代量较少(0<x≤0.3)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Y^(3+)取代量的进一步增加(x≥0.6),样品由立方焦绿石相向YNbO_4和ZnO复相过渡。同时,样品的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。

Sm_2O_3掺杂对BZN基陶瓷介电性能的影响

研究了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5–SmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤1.5,BSZN)的结构x和介电性能。实验采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构。结果表明:未掺杂的BZN陶瓷其结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0<x≤0.5)时,样品的结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品逐渐向Sm3NbO7、ZnO复相转变。同时,介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。

Y^(3+)取代对(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Nb_(0.5)Ti_(1.5))O_7陶瓷显微结构与介电性能的影响

研究了Y3+取代的(Bi1.5Zn0.5)(Nb0.5Ti0.5)O7(BZNT)基陶瓷(Bi1.5-xYx Zn0.5)(Nb0.5Ti1.5)O7(0≤x≤1.5,BYZNT)的显微结构和介电性能。采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构。结果表明:BZNT陶瓷的相结构中主相为立方焦绿石相;在整个取代范围内,BYZNT陶瓷的结构仍然保持主相为立方焦绿石的相结构。同时,随着Y3+取代的增加,晶胞体积减小,介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。其介电性能为:εr≈73-180,tanδ≈1.6％-0.4％,αε≈(-583-89)× 10-6／℃(1MHz)。

La^(3+)取代Bi^(3+)的Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的结构与介电性能

研究了Ｌａ２Ｏ３取代的Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）基陶瓷Ｂｉ１．５－ｘＬａｘＺｎ０．５（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７（０≤ｘ≤１．５，ＢＬＺＮ）的结构和介电性能．采用固相反应法制备陶瓷样品，用Ｘ射线衍射技术分析样品的相结构．未用Ｌａ２Ｏ３取代的纯ＢＺＮ陶瓷的晶体结构为立方焦绿石单相；当Ｌａ２Ｏ３取代量较少时（０．０５≤ｘ≤０．２），样品的结构仍然保持立方焦绿石单相结构，但出现了超晶格衍射线（２１１）；当Ｌａ２Ｏ３取代量继续增加（０．５≤ｘ≤１．５），样品的晶体结构从纯立方焦绿石单相逐渐变化为ＬａＮｂＯ４和ＺｎＯ两相共存的复相结构．样品的介电性能随结构变化而有规律地变化．

稀土Y^(3+)取代(Bi_(1.5)Zn_(0.5)(Ti_(1.5)Nb_(0.5))O_7陶瓷材料

研究了Y3+取代对(Bi1.5-xYxZn0.5)(Ti1.5Nb0.5)O7(0≤x≤1.5,BYZNT)陶瓷结构和介电性能的影响。结果表明:未用Y3+取代的BZNT陶瓷,其结构为立方焦绿石单相;在整个取代范围内,BYZNT陶瓷的结构仍然保持立方焦绿石单相。同时,随着Y3+取代的增加,晶胞常数减小,介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。

Sm_2O_3掺杂的Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的烧结特性与介电性能

用传统的固相法合成了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤0.6,BSZN),通过XRD、AV2782阻抗分析仪等测试手段对其烧结行为、相结构及介电性能进行了系统研究。结果表明:纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0<x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相。同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。

Bi_(1.5-x)M_xZnNb_(1.5)O_7(M=La,Dy)陶瓷介电性能的研究

研究了La3+、Dy3+A位替代对BZN基陶瓷材料的介电性能的影响。结果表明,在掺杂量小于0.15(摩尔分数)的范围内,所研究样品的相结构均为立方焦绿石相。掺La的BZN陶瓷样品晶粒较大,随着掺杂量由0.1增加到0.15,样品的密度和介电常数减小,1 MHz下的介电弛豫峰-峰值温度由-95℃向低温方向移动到-99℃。掺Dy的BZN陶瓷样品晶粒较小,随着掺杂量由0.1增到0.15,样品的密度和介电常数增大,1 MHz下的介电弛豫峰-峰值温度由-96℃向高温方向移动到-89℃。

Eu^3＋取代Bi1．5MgNb1．5O7陶瓷的结构与介电性能

采用固相法制备Bi1.5-xEuxMgNb1.5O7(x=0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6)陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪分别对陶瓷的相结构、显微结构和介电性能进行表征。结果表明:当Eu3+取代量(x)较小(x≤0.5)时,所有组分的陶瓷样品均保持单一的焦绿石相;当x=0.6时,样品出现少量的EuNbO4杂相。随着Eu3+取代量的增加,陶瓷的介电常数逐渐减小,介电损耗先减小后增大,温度系数显著增大。当x=0.5时,1 MHz下测得的介电常数为96,介电损耗为3.8×10-4,温度系数变成-12×10-6℃-1。因此,通过适当的Eu3+取代可以获得适用于Ⅰ类多层陶瓷电容器性能优异的介质材料。

Sm_2O_3掺杂Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的结构与性能

研究了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤0.6,BSZN),的结构及介电性能。结果表明:纯BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0<x≤0.5)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品出现其它相。同时,试样的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。