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Effects of thickness on superconducting properties and structures of Y_2O_3/BZO-doped MOD-YBCO films
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作者 丁发柱 古宏伟 +5 位作者 王洪艳 张慧亮 张腾 屈飞 董泽斌 周微微 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第5期541-545,共5页
We report the thickness dependence of critical current density (Jc) in YBa2Cu3O7-x (YBCO) films with BaZrO3 (BZO) and Y2O3 additions grown on single crystal LaAlO3 substrates by metalorganic deposition using tri... We report the thickness dependence of critical current density (Jc) in YBa2Cu3O7-x (YBCO) films with BaZrO3 (BZO) and Y2O3 additions grown on single crystal LaAlO3 substrates by metalorganic deposition using trifluoroacetates (TFA-MOD). Comparing with pttre YBCO films, the Jc of BZO/Y2O3-doped YBCO films was significantly enhanced. It was also found that with the increase of the thickness of YBCO film from 0.25 μm to 1.5 μm, the Ic of BZO/Y2O3-doped YBCO film increased from 130 A/cm to 250 A/cm and yet Jc of YBCO film decreased from 6.5 MA/cm2 to 2.5 M A/cm2. The thick BZO/Y2O3-doped MOD-YBCO film showed lower Jc, which is mainly attributed to the formation of a-axis grains and pores. 展开更多
关键词 YBa2Cu3O7-x films thickness bzo/Y2O3 doping TEXTURE
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氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响 被引量:1
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作者 唐鹿 薛飞 +4 位作者 郭鹏 罗哲 李旺 李晓敏 刘石勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期838-843,共6页
采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显... 采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm^2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。 展开更多
关键词 bzo薄膜 前电极 透光率 非晶硅薄膜太阳能电池 转化效率
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基于高雾度BZO前电极的高效率非晶硅/纳米硅叠层电池的制备 被引量:1
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作者 彭长涛 张津岩 +8 位作者 胡安红 曲铭浩 王全良 蒋奇拯 郁操 汝小宁 王建强 汪涛 徐希翔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2175-2180,共6页
利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比较。实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电... 利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比较。实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电极电池的QE总电流密度可比高质量商用FTO前电极电池高约1mA/cm2;通过自行研发的工艺技术,成功解决BZO前电极+非晶硅/纳米硅叠层+银背电极结构电池的开路电压和填充因子过低的问题,所制备的BZO前电极电池初始效率最高可达12.2%。 展开更多
关键词 硅基薄膜电池 纳米硅 掺硼氧化锌 陷光 LPCVD 量子效率
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B掺杂ZnO透明导电薄膜的实验及理论研究 被引量:10
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作者 王延峰 张晓丹 +4 位作者 黄茜 杨富 孟旭东 宋庆功 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期312-317,共6页
采用脉冲直流磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法对B掺杂ZnO(BZO)薄膜进行了研究.以B2O3:ZnO陶瓷靶为溅射靶材,制备了低电阻率、可见和近红外光区高透过率的BZO薄膜.系统地研究了衬底温度对BZO薄膜的结构、光电特性的影响... 采用脉冲直流磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法对B掺杂ZnO(BZO)薄膜进行了研究.以B2O3:ZnO陶瓷靶为溅射靶材,制备了低电阻率、可见和近红外光区高透过率的BZO薄膜.系统地研究了衬底温度对BZO薄膜的结构、光电特性的影响.结果表明:适当的增加衬底温度可以促进BZO薄膜结晶质量改善,晶粒尺寸增加,迁移率增大,电阻率降低.在200 C时制备了电阻率为7.03×10 4·cm,400—1100 nm平均透过率为89%的BZO薄膜.理论模拟结果表明:在BZO薄膜中,以替位方式掺入的B(BZn)的形成能最低,B主要以替位形式掺入ZnO,其次分别为八面体间隙(BIO)和四面体间隙(BIT)的掺杂方式.B掺入后,费米能级穿过导带,材料表现出n型半导体特性,光学带隙展宽,导电电子主要来源于B 2p,O 2p及Zn 4s电子轨道. 展开更多
关键词 bzo薄膜 第一性原理计算 磁控溅射 太阳电池
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