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BF-PT-BZT三元系高温压电陶瓷的介电压电温度稳定性
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作者 杜嘉诚 田聪聪 +4 位作者 王永晨 陈建国 赵慧 王艳 程晋荣 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期32-36,41,共6页
采用传统固相反应法制备0.54BiFeO_(3)-0.33PbTiO_(3)-0.13Ba(Zr_(x)Ti_(1-x))O_(3)(BF-0.33PT-0.13Ba(Zr_(x)Ti_(1-x)),0.4≤x≤0.8)三元系压电陶瓷,研究了Zr含量(x)对陶瓷的微观结构以及介电、铁电和压电性能的影响。X线衍射(XRD)结... 采用传统固相反应法制备0.54BiFeO_(3)-0.33PbTiO_(3)-0.13Ba(Zr_(x)Ti_(1-x))O_(3)(BF-0.33PT-0.13Ba(Zr_(x)Ti_(1-x)),0.4≤x≤0.8)三元系压电陶瓷,研究了Zr含量(x)对陶瓷的微观结构以及介电、铁电和压电性能的影响。X线衍射(XRD)结果表明,BF-0.33PT-0.13Ba(Zr_(x)Ti_(1-x))三元系陶瓷为单一钙钛矿结构,当0.4≤x≤0.7时,陶瓷相结构为三方-四方相共存;当x=0.8时,陶瓷为三方相结构。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,随着Zr含量的增加,陶瓷晶粒尺寸逐渐增加。在25~400℃时,陶瓷的压电常数d 33的波动小于±6%。当x=0.7时,BF-0.33PT-0.13Ba(Zr_(x)Ti_(1-x))具有最优异的综合性能,其介电常数εr、居里温度T_(C)、压电常数d_(33)分别为1194(1 kHz)、438℃和330 pC/N,在25~300℃时,陶瓷的电容温度系数和压电常数变化率分别为16%和8%。结果表明,BF-0.33PT-0.13Ba(Zr_(0.7)Ti_(0.3))陶瓷在高温压电器件中具有较广的应用前景。 展开更多
关键词 BF-PT-bzt三元系陶瓷 居里温度 介电常数 压电性能 温度稳定性
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0.13BZT-xBS-(0.87-x)PT压电陶瓷的电学性能及其温度稳定性 被引量:1
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作者 张明志 王一平 +3 位作者 钱派 胡悫睿 王加康 杨颖 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期14-18,51,共6页
采用固相反应法制备了0.13Bi(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_(3)-xBiScO_(3)-(0.87-x)PbTiO_(3)[0.13BZT-xBS-(0.87-x)PT](0.28≤x≤0.36)压电陶瓷,研究了陶瓷的微观结构、电学性能及其温度稳定性。结果表明:随着x的增大,陶瓷由四方相转变为三方... 采用固相反应法制备了0.13Bi(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_(3)-xBiScO_(3)-(0.87-x)PbTiO_(3)[0.13BZT-xBS-(0.87-x)PT](0.28≤x≤0.36)压电陶瓷,研究了陶瓷的微观结构、电学性能及其温度稳定性。结果表明:随着x的增大,陶瓷由四方相转变为三方相结构,当x不低于0.34时,出现了Bi_(38)ZnO_(60)析出相;随着x的增大,陶瓷的剩余极化强度P_(r)、压电常数d_(33)、机电耦合系数k_(p)和相对介电常数ε_(r)均先增大后减小,居里温度T_(c)降低,当x为0.32时,陶瓷的综合电学性能最优,P_(r),d_(33),k_(p),ε_(r)最大,分别为31.5μC·cm^(-2),283 pC·N^(-1),0.37,1 840,T_(c)较高,为380℃。在室温至300℃的温度范围,当x为0.32时,d_(33)随温度的变化率几乎为0,此时陶瓷的压电性能对温度不敏感,具有良好的温度稳定性。 展开更多
关键词 bzt-BS-PT陶瓷 微观结构 电学性能 温度稳定性
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BST和BZT系列固溶体的均相沉淀法合成及表征 被引量:3
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作者 黄志良 汪奇林 +3 位作者 张联盟 许涛 陈金民 梁邦兵 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第15期1439-1443,共5页
采用均相沉淀法,在低温(90℃)、低pH值(8-9)、短时间(3-3.5 h)条件下成功地合成了系列Ba1-xSrxTiO3(BST) 和BaZrxTi1-xO3(BZT)固溶体.通过XRD、化学分析法、SEM和AFM等手段表征了固溶体的结构、组成和形貌.结果表明:BST,BZT的晶胞常数... 采用均相沉淀法,在低温(90℃)、低pH值(8-9)、短时间(3-3.5 h)条件下成功地合成了系列Ba1-xSrxTiO3(BST) 和BaZrxTi1-xO3(BZT)固溶体.通过XRD、化学分析法、SEM和AFM等手段表征了固溶体的结构、组成和形貌.结果表明:BST,BZT的晶胞常数随组成呈线性关系,符合Vegard定律,该系列固溶体为完全互溶固溶体,且目标产物组成精确,颗粒为球形,分布均匀.初步讨论了复合矿化剂的均相化作用及羟基释放作用、分散剂对BST,BZT晶粒的聚集生长及分散机理. 展开更多
关键词 均相沉淀法 BST/bzt固溶体 合成 结构表征 钛酸钡 铁电材料
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CuO对β-BZT陶瓷结构与介电性能的影响 被引量:3
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作者 康利平 李俊丰 +2 位作者 沈波 张良莹 姚熹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期19-21,共3页
在三元系单斜焦绿石相微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(简称β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其对材料的结构和介电性能的影响。研究发现,添加CuO能降低烧结温度,w(CuO)<0.3%不会导致样品的密度降低和出现第二相,并能很好保持β-BZT的... 在三元系单斜焦绿石相微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(简称β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其对材料的结构和介电性能的影响。研究发现,添加CuO能降低烧结温度,w(CuO)<0.3%不会导致样品的密度降低和出现第二相,并能很好保持β-BZT的介电性能。w(CuO)为0.1%的样品烧结温度仅为950℃,其微波介电性能参数为:εr约为63,Q约为1191(4.5GHz)。 展开更多
关键词 无机非金属材料 β-bzt 焦绿石相 烧结温度 介电性能
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Sn掺杂BZT薄膜性能研究 被引量:1
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作者 邓小玲 蔡苇 +2 位作者 符春林 陈刚 郭冬娇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B08期97-100,共4页
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4%时,出现了第二相BaO;SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少;当Sn掺量达到8%时,BZT薄膜... 采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4%时,出现了第二相BaO;SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少;当Sn掺量达到8%时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小;BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm。 展开更多
关键词 bzt薄膜 Sn掺杂 性能
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BST/BZT/BST多层薄膜结构与性能研究
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作者 秦文峰 熊杰 李言荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期247-250,共4页
利用脉冲激光沉积法在LaNiO3/LaAlO3(001)基片上生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)和Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)单层薄膜,以及Ba(Zr0.2Ti0.8)O3/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT/BST/BZT)多层薄膜.X射线衍射(XRD)分析发现,BST、BZT和LNO薄膜... 利用脉冲激光沉积法在LaNiO3/LaAlO3(001)基片上生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)和Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)单层薄膜,以及Ba(Zr0.2Ti0.8)O3/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT/BST/BZT)多层薄膜.X射线衍射(XRD)分析发现,BST、BZT和LNO薄膜都具有高度的(00l)取向.原子力显微镜(AFM)显示三种样品表面光滑无裂纹,晶粒尺寸和表面粗糙度相当.电容测试表明,相对BST、BZT单层薄膜,多层薄膜具有最大的品质因数42.07.表明多层薄膜在微波应用中具有很大的潜力. 展开更多
关键词 BST/bzt/BST 薄膜 介电常数 漏电流
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备用电源自动投入(BZT)方式探讨 被引量:1
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作者 蒋云怒 罗彩建 余彤 《四川水利》 2008年第3期36-39,共4页
本文结合实际工程,探讨了备用电源自动投入方式,即在传统的BZT基础上进行了总结和创新,提出了进线备自投、母线备自投、变压器备自投三大类共九种模式,并根据各自不同的要求提出了解决方案和逻辑结构图;在此基础上甚至可为多电源的BZT... 本文结合实际工程,探讨了备用电源自动投入方式,即在传统的BZT基础上进行了总结和创新,提出了进线备自投、母线备自投、变压器备自投三大类共九种模式,并根据各自不同的要求提出了解决方案和逻辑结构图;在此基础上甚至可为多电源的BZT提出解决方案,适用于电厂、变电站,工矿企业,大型建筑区等。 展开更多
关键词 备用电源 bzt方式 进贱自投 母线自投 变压器自投
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发电厂厂用电源BZT装置的优化设计
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作者 谢丹 《东北电力技术》 2005年第2期11-17,共7页
传统的BZT (备用电源自动投入装置 )不能适应大容量机组厂用电切换 ,从对发电设备安全、可靠、稳定运行的观点出发 ,分析了厂用电源系统自动切换采用传统的BZT存在的问题 ,结合具体工程设计 ,提出了相应的解决方法 。
关键词 厂用电源 bzt装置 快速切换
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浅析BZT装置在电力系统中的应用
9
作者 万玉辉 《江西电力职业技术学院学报》 CAS 2003年第3期25-26,共2页
阐述了BZT装置在电力系统中的应用,提出了该装置在运行和维护工作中值得注意的几个问题。
关键词 电力系统 备用电源 自动投人装置 bzt装置 电气装置
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10(6)kV同步电动机断电失步保护及同ZCH和BZT装置的配合 被引量:3
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作者 尹世华 张铁锴 《炼油技术与工程》 CAS 北大核心 2003年第1期33-36,共4页
介绍了大型同步电动机断电失步保护及同ZCH ,BZT装置的配合实施方案及解决办法。论述了电源短时中断时同步电动机的过渡过程及对ZCH和BZT的影响 ;
关键词 同步电动机 断电 失步保护 ZCH bzt 配合
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发电厂厂用电BZT应用中的相关问题分析与探讨 被引量:2
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作者 周蓓 《自动化与仪器仪表》 2008年第6期108-109,共2页
结合实际情况分析了发电厂厂用电自动电源投入当量(BZT)应用现状,从机组安全运行的角度,分析了传统6kVBZT装置的缺陷,提出了用微机型自投装置代替传统装置的解决办法。
关键词 bzt装置 闭锁 可靠性
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无铅压电材料NBT-BZT陶瓷压电性能及改性 被引量:16
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作者 李承恩 李毅 +3 位作者 徐曾华 单双 周家光 朱为民 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期21-23,共3页
通过配方试验和性能测试分析研究了(1x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBa[ZryTi(1y)]O3(x=0.04,0.06,0.08,0.10,y=0.04,0.045,0.05,0.06)无铅压电陶瓷的压电、介电性能。以及当x=0.06,y=0.045时引入Sn4+对NBT-BZT材料的压电介电性能影响。研究表明:当... 通过配方试验和性能测试分析研究了(1x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBa[ZryTi(1y)]O3(x=0.04,0.06,0.08,0.10,y=0.04,0.045,0.05,0.06)无铅压电陶瓷的压电、介电性能。以及当x=0.06,y=0.045时引入Sn4+对NBT-BZT材料的压电介电性能影响。研究表明:当x=0.06,y=0.045, Sn4+对(Na1/2Bi1/2)2+取代量为0.02时,系统的压电性能参数d33和kt分别达到196 pC/N和0.55,相对介电常数可提高到1 263。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸钠铋-锆钛酸钡 压电性能 介电性能 NBT-bzt材料
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PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜 被引量:1
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作者 唐新桂 梁建烈 +2 位作者 农亮勤 熊惠芳 陈王丽华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期46-48,51,共4页
用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz... 用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。 展开更多
关键词 无机非金属材料 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值
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大机组6kV厂用电BZT存在的问题及其对策 被引量:2
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作者 邵富平 范辉 甄邯伟 《河北电力技术》 2003年第1期35-37,45,共4页
200MW机组传统的6kV厂用电备用电源自动切换装置(BZT)切换时间长,不能满足大型发电机组的厂用电切换的需要,常导致机组停机。文章从机组安全运行的观点出发,分析了传统BZT存在的问题,提出了解决办法。
关键词 大机组 bzt 发电厂 6kV厂用电设备 备用电源 自动切换系统
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水热合成锆钛酸钡(BZT)固溶晶体的形成规律研究 被引量:2
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作者 胡嗣强 黎少华 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1996年第4期304-309,共6页
本文从Ba(ZrxTi1-x)O3的x取值和介质碱度的变化研究BZT固溶晶体的形成.结果表明:在水热过程中同时形成以BaZrO3为主体、部分Zr被Ti取代和以BaTiO3为主体、部分Ti被Zr所取代的两种固溶晶体是BZT合成的实质,只有在特定的x值和相应的... 本文从Ba(ZrxTi1-x)O3的x取值和介质碱度的变化研究BZT固溶晶体的形成.结果表明:在水热过程中同时形成以BaZrO3为主体、部分Zr被Ti取代和以BaTiO3为主体、部分Ti被Zr所取代的两种固溶晶体是BZT合成的实质,只有在特定的x值和相应的介质碱度下,才能合成单质的BZT固溶晶体. 展开更多
关键词 水热法 晶体化学 固溶晶体 锆钛酸钡
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新型备用电源自动投入装置(BZT)
16
作者 赵儒森 刘桂芬 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 1989年第1期46-52,42,共8页
本文首次提出一种适用110kV电源线,备用电源自动投入装置。并对过去沿用的各用电源自动投入装置进行了分析,分析结果认为:原有装置不适用于110kV系统。据此针对110kV系统的接线及运行方式提出新的方案,以适用于市区电网供电的需要。 此... 本文首次提出一种适用110kV电源线,备用电源自动投入装置。并对过去沿用的各用电源自动投入装置进行了分析,分析结果认为:原有装置不适用于110kV系统。据此针对110kV系统的接线及运行方式提出新的方案,以适用于市区电网供电的需要。 此文对新装置的性能及原理进行了详细的说明,分析了系统在各种故障时的动作状态,绘出了适用的图纸,列出了整定计算公式,并根据阿城继电厂的产品选出设备。 展开更多
关键词 bzt 动作状态 运行方式 过电压继电器 母线故障 工作电源 整定计算 动断触点 备用电源 掉闸
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同步电动机的失电保护中ZCH和BZT的配合
17
作者 刘良玉 彭彤丽 《后勤工程学院学报》 2006年第3期87-91,共5页
大型同步电机是工业部门广泛采用的电气设备,其运行的安全性和连续性对于生产具有重大影响。在同步电动机断电保护中,通常采用ZCH和BZT装置,然而其配合与控制中存在断电失步问题,严重影响了企业生产的连续性、安全性及可靠性。在分... 大型同步电机是工业部门广泛采用的电气设备,其运行的安全性和连续性对于生产具有重大影响。在同步电动机断电保护中,通常采用ZCH和BZT装置,然而其配合与控制中存在断电失步问题,严重影响了企业生产的连续性、安全性及可靠性。在分析断电失步的故障及危害的基础上,阐述了断电失步的电力保护措施及具体的实施方法、步骤。对同步电动机断电失步保护中ZCH和BZT保护装置的继电保护设计有一定的指导作用。 展开更多
关键词 同步电动机 ZCH bzt 断电失步保护
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DCS逻辑实现发电厂380V厂用电BZT 被引量:2
18
作者 余亚林 王忠海 《电气技术》 2012年第5期68-70,共3页
DCS逻辑模块具有强大组态功能,并已广泛应用在热机过程控制中,同样,在电气的控制回路中也能加以拓展应用。在南海发电一厂#2锅炉技术改造工程中,通过技术人员的设计、组织试验和实际应用,DCS逻辑实现380V厂用电BZT(备用电源自投)取得了... DCS逻辑模块具有强大组态功能,并已广泛应用在热机过程控制中,同样,在电气的控制回路中也能加以拓展应用。在南海发电一厂#2锅炉技术改造工程中,通过技术人员的设计、组织试验和实际应用,DCS逻辑实现380V厂用电BZT(备用电源自投)取得了初步的成功和大量的实际经验。 展开更多
关键词 bzt DCS 逻辑 动作时间
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降压变电所BZT装置的时间整定配合 被引量:1
19
作者 许建英 刘玉平 《排灌机械》 2002年第4期24-26,共3页
分析讨论了泵站和工厂总降压变电所常用接线方式下的备用电源自动投入装置时间整定计算及与其他自动装置的配合问题。
关键词 降压变电所 bzt装置 时间整定配合
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10(6)kV同步电动机断电失步保护及同ZCH和BZT装置的配合
20
作者 卢成生 尹世华 《电工技术杂志》 2003年第7期44-45,55,共3页
大型同步电动机断电失步保护及同ZCH和BZT装置的配合是目前各大企业遇到的一个问题,如何正确解决这一问题保证企业生产的安全性、连续性及节约能源、避免事故的发生是关键。本文系统地阐述了对此问题的解决办法及实施方案,对同步电动机... 大型同步电动机断电失步保护及同ZCH和BZT装置的配合是目前各大企业遇到的一个问题,如何正确解决这一问题保证企业生产的安全性、连续性及节约能源、避免事故的发生是关键。本文系统地阐述了对此问题的解决办法及实施方案,对同步电动机断电失步保护及同ZCH和BZT装置的配合有一定的指导作用。 展开更多
关键词 10(6)kV同步电动机 断电失步保护 ZCH装置 bzt装置
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