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(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的制备及性能的研究 被引量:10
1
作者 刘梅冬 刘少波 +2 位作者 曾亦可 李楚容 邓传益 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-43,共3页
选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄... 选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存取存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料 ;分析了薄膜的结构 ;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温 10 k Hz下 ,(Ba0 .73Sr0 .2 7) Ti O3薄膜介电系数和损耗分别为 30 0和 0 .0 3。在室温 1k Hz下 ,(Ba0 .95 Sr0 .0 5 ) Ti O3薄膜剩余极化强度和矫顽场分别为 3μC/ cm2和 5 0 k V/ 展开更多
关键词 钛电薄膜 溶胶-凝胶技术 BST薄膜
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外延Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的Sol-Gel法制备及其电性能研究 被引量:1
2
作者 章天金 王玮 杨向荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第5期395-397,共3页
以 Ba(CH3COO) 2 、Sr(CH3COO) 2 和 Ti(OC4 H9) 4为原料 ,以乙二醇甲醚为溶剂、冰乙酸为催化剂 ,应用溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Mg O(10 0 )衬底上成功地制备了处延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜。 XRD和 SEM分析结果表明 ,该薄膜在 O2 ... 以 Ba(CH3COO) 2 、Sr(CH3COO) 2 和 Ti(OC4 H9) 4为原料 ,以乙二醇甲醚为溶剂、冰乙酸为催化剂 ,应用溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Mg O(10 0 )衬底上成功地制备了处延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜。 XRD和 SEM分析结果表明 ,该薄膜在 O2 气氛中 6 5 0°C热处理 1h后 ,其 (0 0 1)面是沿着 Pt(10 0 )和 Mg O(10 0 )面外延取向生长的 ,其平均晶粒大小为 4 8.5 nm。电性能测试结果表明 ,当测试频率为 10 k Hz时 ,其介电常数和损耗因子分别为 4 80和 0 .0 2。电滞回线测试结果表明 ,外延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜的剩余极化为 2 .8μC/ cm2 ,其矫顽场为 5 2 k V/ cm。 展开更多
关键词 铁电薄膜 ba1-xsrxtio2 外延生长 电性能
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(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3介电常数与温度、频率的关系 被引量:2
3
作者 赵明远 徐重阳 +1 位作者 王长安 唐艳 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期72-74,共3页
分析了影响 (Ba1-xSrx)TiO3 陶瓷材料介电特性的诸因素 ,从温度依赖、频率响应两个方面 ,对BST陶瓷材料的介电常数进行了研究 .在进行频率特性的测试中 ,选取x =0 .3 5的BST材料 ,即 (Ba0 .65Sr0 .3 5)TiO3 ,测得不同晶粒度下的介电常... 分析了影响 (Ba1-xSrx)TiO3 陶瓷材料介电特性的诸因素 ,从温度依赖、频率响应两个方面 ,对BST陶瓷材料的介电常数进行了研究 .在进行频率特性的测试中 ,选取x =0 .3 5的BST材料 ,即 (Ba0 .65Sr0 .3 5)TiO3 ,测得不同晶粒度下的介电常数随频率的变化曲线 .在进行温度特性的测试中 ,测量了不同晶粒度的BST材料介电常数与温度变化的关系 。 展开更多
关键词 (ba1-xsrx)tio3 介电常数 相变展宽 晶粒度
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磁控溅射制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的实验研究 被引量:2
4
作者 孙平 王茂祥 +1 位作者 孙彤 舒庆 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期326-328,共3页
钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅... 钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理 ,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜。其介电特性与测试频率有关 ,试样的饱和极化强度可达 19μC cm2 ,剩余极化强度可达 6 6 μC cm2 ,矫顽场强达 16kV cm ,热释电系数达10 - 4 C m2 ·K量级 ,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。 展开更多
关键词 钛酸锶铅 磁控溅射 介电特性 铁电特性 铁电薄膜 制备
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Sr_(1-x)La_xTiO_3的高温高压合成及XPS研究 被引量:1
5
作者 路大勇 李莉萍 +3 位作者 车裕禄 苗继鹏 刘宏建 苏文辉 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期115-119,共5页
利用高温高压方法合成了有稀土元素La掺杂的钙钛矿氧化物Sr1-xLaxTiO3。XRD测试表明,在x≤0.5时,样品基本为单相,呈立方相;晶胞体积随x的增加而增加,在x=0.4时开始减小。XPS测量发现,样品中存在T... 利用高温高压方法合成了有稀土元素La掺杂的钙钛矿氧化物Sr1-xLaxTiO3。XRD测试表明,在x≤0.5时,样品基本为单相,呈立方相;晶胞体积随x的增加而增加,在x=0.4时开始减小。XPS测量发现,样品中存在Ti离子的变价。讨论了Ti离子价态的变化对晶格参数的影响。 展开更多
关键词 高温 高压 xPS 合成 钙钛矿氧化物 镧掺杂
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掺杂(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电陶瓷材料介电性能的研究 被引量:1
6
作者 王茂祥 孙平 孙彤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期97-102,共6页
通过掺杂 ( Pb1-x Srx) Ti O3( PST)系铁电陶瓷的制备 ,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对 PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的 Pb/ Sr配比下 ,La2 O3掺杂较同样份量的 Mn O2掺杂所制得的样片的温度系数要高 ,介电损耗要小 ,... 通过掺杂 ( Pb1-x Srx) Ti O3( PST)系铁电陶瓷的制备 ,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对 PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的 Pb/ Sr配比下 ,La2 O3掺杂较同样份量的 Mn O2掺杂所制得的样片的温度系数要高 ,介电损耗要小 ,而适当高的烧结温度有利于其介电性能的改善。随着测试频率的增加 ,测得的材料介电常数略有下降 ,而居里温度与温度系数基本维持不变。 展开更多
关键词 掺杂特性 介电性能 PST系陶瓷 铁电陶瓷材料
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Si衬底(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的制备与性能研究
7
作者 王茂祥 陈淑燕 孙平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期138-141,共4页
性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其... 性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。 展开更多
关键词 硅衬底 铁电薄膜 (Pb1—xsrx)tio3 磁控测射
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(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系铁电陶瓷制备工艺研究 被引量:5
8
作者 孟林丽 肖定全 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期483-486,共4页
采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶... 采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶体 ;在同样工艺条件下 。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 无铅压电陶瓷 制备工艺
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水热法制备Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管及其铁电性能研究 被引量:1
9
作者 温暖 邓湘云 +1 位作者 吴迪 王艳颖 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第5期33-38,共6页
为探究Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的微结构和铁电性能,采用阳极氧化法生成TiO_2纳米管,并以TiO_2纳米管为模板采用水热合成法制备Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管,利用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射仪(XRD)和铁电分析仪对不同硝酸镧浓... 为探究Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的微结构和铁电性能,采用阳极氧化法生成TiO_2纳米管,并以TiO_2纳米管为模板采用水热合成法制备Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管,利用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射仪(XRD)和铁电分析仪对不同硝酸镧浓度和水热反应温度下所得Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管状阵列的微观结构和铁电性能进行测试分析.结果表明:增大硝酸镧浓度和提高水热反应温度均有利于TiO_2纳米管向Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的转变,并提高其结晶度,在240℃水热温度下制备所得Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的表面形貌最好.铁电分析仪测得Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的P-E曲线具有良好的滞后性,表明样品具有优良的铁电性能,说明增加硝酸镧的浓度和升高水热温度均有助于提高Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec),水热温度为240℃、硝酸镧浓度为0.01 mol/L条件下制备所得Ba_(1-x)La_(2x/3)TiO_3纳米管的剩余极化强度Pr达到1.32 C/cm2,矫顽场Ec可达3.37 k V/cm. 展开更多
关键词 ba1-xLa2x/3tio3纳米管 阳极氧化法 水热反应温度 硝酸镧浓度 铁电性能
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铈掺杂Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3的改性研究 被引量:3
10
作者 王宁章 李建业 +2 位作者 刘静 宁吉 高雅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期32-34,46,共4页
铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与... 铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。 展开更多
关键词 ba0 1sr0 9tio3陶瓷 二氧化钛 氧化锌 烧结助剂 介电性能
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(1-x)(Mg(0.7)Zn(0.3))TiO3-xCa(0.61)La(0.26)TiO3系陶瓷的微波介电性能研究(英文) 被引量:4
11
作者 赵莉 沈春英 丘泰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期219-224,共6页
本实验研究了(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MZT-CLT)系陶瓷的微观结构和微波介电性能,通过(Ca0.61La0.26)TiO3来协调(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶瓷的谐振频率温度系数.MZT-CLT陶瓷的主晶相为(Mg0.7Zn0.3)TiO3,第二相为Ca0.61La0.2... 本实验研究了(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MZT-CLT)系陶瓷的微观结构和微波介电性能,通过(Ca0.61La0.26)TiO3来协调(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶瓷的谐振频率温度系数.MZT-CLT陶瓷的主晶相为(Mg0.7Zn0.3)TiO3,第二相为Ca0.61La0.26TiO3和(Mg0.7Zn0.3)Ti2O5.烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结温度为1275℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,Zn的蒸发导致陶瓷致密度和介电性能下降.随着(Ca0.61La0.26)TiO3含量的增大,材料的介电常数增大,品质因数减小.当x=0.13,烧结温度为1275℃保温4h,(MZT-CLT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr=26,Q.f=86000 GHz,τf=-6×10-6/℃. 展开更多
关键词 (1-x)(Mg0.7Zn0.3)tio3x(Ca0.61La0.26)tio3陶瓷 介电常数 品质因数 谐振频率温度系数
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Synthesis of M1-3xAl2O4:Eu2+x/Dy3+ 2x(M^2+= Sr^2+, Ca^2+ and Ba^2+) phosphors with long-lasting phosphorescence properties via co-precipitation method 被引量:1
12
作者 Jinkai Li Bin Liu +2 位作者 Qi Chen Yizhong Lu Zongming Liu 《Chemical Reports》 2019年第2期112-117,共6页
The long afterglow fluorescent material of M1-3xAl2O4:Eu2+ x/Dy3+2x(M2+= Sr2+, Ca2+ and Ba2+) phosphors are successfully synthesized by calcining precursor obtained via co-precipitation method at 1300oC for 4 h with r... The long afterglow fluorescent material of M1-3xAl2O4:Eu2+ x/Dy3+2x(M2+= Sr2+, Ca2+ and Ba2+) phosphors are successfully synthesized by calcining precursor obtained via co-precipitation method at 1300oC for 4 h with reducing atmosphere (20% H2 and 80% N2). The phase evolution, morphology and afterglow fluorescent properties are systematically studied by the various instruments of XRD, FE-SEM, PLE/PL spectroscopy and fluorescence decay analysis. The PL spectra shows that the Sr1-3xAl2O4:Eu2+x/Dy3+ 2x phosphors display vivid green emission at s519 nm (4f65d1!4f7 transition of Eu2+) with monitoring of the maximum excitation wavelength at s334 nm (8S7=2!6IJ transition of Eu2+), among which the optimal concentration of Eu2+ and Dy3+ is 15 at.% and 30 at.%, respectively. The color coordinates and temperature of Sr1-3xAl2O4:Eu2+ x/Dy3+ 2x phosphors are approximately at (s0.27, s0.57) and s6700 K, respectively. On the above basis, the M0:55Al2O4:Eu2+ 0:15/Dy3+ 0:3 (M2+= Ca2+ and Ba2+) phosphors is obtained by the same method. The PL spectra of these phosphors shows the strongest blue emission at s440 nm and cyan emission at s499 nm under s334 nm wavelength excitation, respectively, which are blue shifted comparing to Sr1??3xAl2O4:Eu2+ x/Dy3+ 2x phosphors. The color coordinates and temperatures of M0:55Al2O4:Eu2+ 0:15/Dy3+ 0:3 (M2+= Ca2+ and Ba2+) phosphors are approximately at (s0.18, s0.09), s2000 K and (s0.18, s0.42), s11600 K, respectively. In this work, long afterglow materials of green, blue and cyan aluminates phosphors with excellent properties have been prepared, in order to obtain wide application in the field of night automatic lighting and display. 展开更多
关键词 long AFTERGLOW material CO-PRECIPITAtioN method M1-3xAl2O4:Eu2+ x/Dy3+ 2x(M2+= sr2+ Ca2+ and ba2+) PHOSPHORS luminescent property
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(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2无铅压电陶瓷的结构调控及其电学性能研究
13
作者 孙力 李若男 +5 位作者 陈维鑫 颜梦涵 樊震坤 杨东亮 李晓东 付鹏 《山东陶瓷》 CAS 2019年第1期8-12,共5页
采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量... 采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量的SnO_2的陶瓷样品都形成了单一的钙钛矿结构;SEM图片显示,随着Sn O_2的加入,晶粒尺寸减小,晶粒尺寸分布更均匀;电学性能测试结果表明,SnO_2的加入明显改变了BNBTS陶瓷的电学性能,随着x的增大,Pr先增大后减小,在x=0.03时,Pr达到最大值36.5μC/cm^2,但x在0.01到0.03之间变化时,剩余极化强度Pr变化不明显,而矫顽场Ec则呈减小趋势;压电常数d_(33)随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时,达到最大值134μC/N;各样品具有典型铁电体所具有的"蝴蝶状"的双向应变曲线,随着SnO_2含量的增加,负向应变减小,正向应变变大。随着SnO_2的加入,BNBTS陶瓷的室温介电常数变大,并表现出弛豫特性,在x=0.03时BNBTS陶瓷室温下的介电常数达到最大值1143。 展开更多
关键词 (1-x)(Na0.5Bi0.5)0.94ba0.06tio3-xSnO2无铅压电陶瓷 结构调控 介电性能 压电性能 铁电性能
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Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管的制备及其铁电性能
14
作者 贾艺璇 邓湘云 +3 位作者 蒋亚亚 尹晓玲 董又铭 刘阳 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第2期10-14,共5页
为研究钛酸铈钡(Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3)纳米管的制备及其铁电性能,以阳极氧化法合成所得TiO_2纳米管为模板,采用水热反应法制备Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管,分析水热反应温度和Ce(NO3)3浓度对Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管形貌、结... 为研究钛酸铈钡(Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3)纳米管的制备及其铁电性能,以阳极氧化法合成所得TiO_2纳米管为模板,采用水热反应法制备Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管,分析水热反应温度和Ce(NO3)3浓度对Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管形貌、结构和铁电性能的影响.利用扫描电子显微镜和X线衍射仪对Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3样品的形貌和结构进行表征,利用铁电分析仪对Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3的铁电性能进行测试.实验结果表明:提高Ce(NO_3)_3的浓度和水热反应温度有利于TiO_2纳米管向Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管的转变,提高Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3样品的结晶度和铁电性能.在Ce(NO_3)_3浓度为0.010 mol/L、水热反应温度为200℃时,Ba_(1-x)Ce_(2x/3)TiO_3纳米管的剩余极化强度P_r达到最大,为0.69μC/cm^2,矫顽场为17.85 kV/cm. 展开更多
关键词 tio2纳米管 ba(1-x)Ce(2x/3)tio3纳米管 水热反应温度 Ce(NO3)3浓度 铁电性能
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水热法制备Ba_(1-x)Nd_(2x)/3TiO_3纳米管及其铁电性能
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作者 尹晓玲 邓湘云 +4 位作者 蒋亚亚 贾艺璇 刘洋 董又铭 黄希 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第3期36-41,共6页
为了研究Ba_(1-x)Nd_(2x/3)TiO_3纳米管的铁电性能,以阳极氧化法制备所得Ti O2纳米管为模板,采用水热法在不同Nd(NO_3)_3浓度和不同水热温度下制备出掺钕BaTiO_3纳米管,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射仪(XRD)和铁电分析仪对样品的... 为了研究Ba_(1-x)Nd_(2x/3)TiO_3纳米管的铁电性能,以阳极氧化法制备所得Ti O2纳米管为模板,采用水热法在不同Nd(NO_3)_3浓度和不同水热温度下制备出掺钕BaTiO_3纳米管,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射仪(XRD)和铁电分析仪对样品的表面形貌、微观结构和铁电性能进行分析.实验结果表明:较高的Nd(NO_3)_3掺杂浓度和水热反应温度均有利于TiO_2纳米管向Ba_(1-x)Nd_(2x/3)TiO_3纳米管的转变,从而提高Ba_(1-x)Nd_(2x/3)TiO_3纳米管的结晶度.Nd(NO3)3浓度为0.010 mol/L、水热温度为200℃条件下所得Ba_(1-x)Nd_(2x/3)TiO_3纳米管的表面形貌最好,且其电滞回线具有良好的滞后性,表明样品具有优良的铁电性能,剩余极化强度Pr达到0.82μC/cm2,矫顽场Ec为2.390 k V/cm. 展开更多
关键词 ba1-xNd2x/3tio3纳米管 Nd(NO3)3掺杂浓度 水热温度 铁电性能 水热合成法
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Effect of Substitution Sr Cations on the Structure in the Gd_(1)(Ba_(2−x)Sr_(x))Cu_(3)O_(7−δ) Phases
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作者 Made Sumadiyasa Nyoman Wendri +1 位作者 Putu Suardana Ni Nyoman Rupiasih 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》 2020年第1期44-53,共10页
In an effort to improve the performance of superconductors in the field and high temperatures it is important to study the superconducting mechanism. For this reason, the cation substitution can be conducted. One of t... In an effort to improve the performance of superconductors in the field and high temperatures it is important to study the superconducting mechanism. For this reason, the cation substitution can be conducted. One of the high Tc superconductors Gd1Ba2Cu3O7&minus;δ phase with Sr substitution has been synthesized, i.e. Gd1(Ba2&minus;xSrx)Cu3O7&minus;δ compound. The sample was synthesized by using a solid-state reaction method with a wet mixing, sintered for 12 hours at temperature 900°C. The synthesis results are characterized by using XRD. The results of Match-3 software analysis showed high (higher 85%) Gd1Ba2Cu3O7&minus;δ phase was formed. The Sr substitution causes changes to the structure, i.e. the lattice parameters a, b and c, where the orthorhombicity tends to decrease with increasing Sr content. Refinement results show that based on the oxygen occupancy, the total oxygen content tends to increase. 展开更多
关键词 Wet Mixing Gd_(1)(ba_(2-x)sr_(x))Cu_(3)O_(7-δ) Compound sr Substitution Lattice Parameters Orthorhombicity
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(Sr_(1-3x/2)La_x)TiO_3(x=0.2~0.5)陶瓷的显微组织结构及微波介电性能研究 被引量:1
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作者 孙明辉 徐越 +4 位作者 王雪婷 李世信 胡海旭 于迎波 王雪 《齐鲁工业大学学报》 2018年第6期7-12,共6页
通过固相反应法制备(Sr_(1-3x/2)La_x) TiO_3(x=0.2~0.5)复合体系微波介质陶瓷,并对其显微组织结构、晶体结构及微波介电性能进行研究。XRD结果表明(Sr_(1-3x/2)La_x) TiO_3系微波介质陶瓷为六方晶系钙钛矿结构。显微组织结构表明陶瓷... 通过固相反应法制备(Sr_(1-3x/2)La_x) TiO_3(x=0.2~0.5)复合体系微波介质陶瓷,并对其显微组织结构、晶体结构及微波介电性能进行研究。XRD结果表明(Sr_(1-3x/2)La_x) TiO_3系微波介质陶瓷为六方晶系钙钛矿结构。显微组织结构表明陶瓷的晶粒尺寸随着烧结温度的提高而增大,气孔呈现先减少后增多的趋势,并且陶瓷的晶界在高温过烧时出现晶界明显扩张的现象。介电性能结果表明陶瓷的密度、介电常数和品质因数均随烧结温度的提高先增大后减小,谐振频率温度系数和热膨胀系数则呈现与之相反的变化趋势,同时除密度在1 450℃下取得最值外其余各检测值均在1500℃下取得最值。在烧结温度为1 500℃时,(Sr_(0.55)La_(0.3)) TiO_3陶瓷具有致密的结构、清晰明显的晶界、气孔数量较少,平均晶粒尺寸为14.24μm,此时(Sr_(0.55)La_(0.3)) TiO_3陶瓷具有优良的介电性能:Q×f=8960.43GHz,ε_r=60.54,τ_f=16 ppm/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 钙钛矿结构 微波介电性能 (sr1-3x/2Lax)tio3
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固溶体红色荧光粉Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu的制备及性能研究
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作者 武传伟 陈凌飞 +2 位作者 张杰强 张书成 王利利 《科技资讯》 2017年第23期189-191,193,共4页
通过固相法合成含有不同AlO_2-离子浓度的红色荧光粉Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu。XRD分析表明:当Al O2-离子掺杂浓度低于30%时,Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu与CaTiO_3具有相似的钙钛矿结构;此外,AlO_2-离子的固溶导致该荧光粉在61... 通过固相法合成含有不同AlO_2-离子浓度的红色荧光粉Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu。XRD分析表明:当Al O2-离子掺杂浓度低于30%时,Ca(TiO_3)_(1-x/2)(AlO_2)_x:Eu与CaTiO_3具有相似的钙钛矿结构;此外,AlO_2-离子的固溶导致该荧光粉在617nm处的荧光发射强度得到了极大地增强。实验表明:是该荧光粉具有最强荧光发射强度的Al O2-掺杂浓度为20mol%。更重要的是荧光粉Ca(TiO_3)0.89(AlO_2)0.22:Eu不但可以被Ga N基NUV(395~400nm)LED激发,而且还能被Ga N-LED(465nm)有效激发。实验表明:Ca(TiO_3)(Al O):Eu是一种性能优越的制备三基色LED的红色荧光粉。 展开更多
关键词 红色荧光粉 Ca(tio3)1-x/2(AlO2)x:Eu 固溶体 AlO2离子浓度 荧光强度
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Tunable Ba_(0.5) Sr_(0.5) TiO_3 film bulk acoustic resonators using SiO_2 /Mo Bragg reflectors
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作者 杨天应 蒋书文 +1 位作者 李汝冠 姜斌 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第10期369-374,共6页
Tunable and switchable Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 film bulk acoustic resonators(FBARs) based on SiO 2 /Mo Bragg reflectors are explored,which can withstand high temperature for the deposition of Ba x Sr 1 x TiO 3(BST) fi... Tunable and switchable Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 film bulk acoustic resonators(FBARs) based on SiO 2 /Mo Bragg reflectors are explored,which can withstand high temperature for the deposition of Ba x Sr 1 x TiO 3(BST) films at 800 C.The dc bias-dependent resonance may be attributed to the piezoelectricity of the BST film induced by an electrostrictive effect.The series resonant frequency is strongly dc bias-dependent and shifts downwards with dc bias increasing,while the parallel resonant frequency is only weakly dc bias-dependent and slightly shifts upwards at low dc bias( 45 V) while downwards at higher dc bias.The calculated relative tunability of shifts at series resonance frequency is around 2.3% and the electromechanical coupling coefficient is up to approximately 8.09% at 60-V dc bias,which can be comparable to AlN FBARs.This suggests that a high-quality tunable BST FBAR device can be achieved through the use of molybdenum(Mo) as the high acoustic impedance layer in a Bragg reflector,which not only provides excellent acoustic isolation from the substrate,but also improves the crystallinity of BST films withstanding higher deposition temperature. 展开更多
关键词 ba x sr 1-x tio 3 tunable film bulk acoustic wave resonator ferroelectric acoustic Bragg reflector
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铋掺杂对SrTiO_3薄膜微观结构及阻变行为的影响 被引量:2
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作者 张文博 王华 +3 位作者 许积文 刘国保 谢航 杨玲 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1932-1937,共6页
采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的... 采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x<0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 钛酸锶薄膜 Ag/sr1-xBixtio3/p+-Si 铋掺杂 阻变特性 阻变存储器(RRAM)
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