Ba^(2+)离子掺杂CsPbBr_(3)蓝光量子点合成及其光学性能

近年来,全无机卤素钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)因其荧光带宽窄、带隙可调、合成工艺简单以及荧光量子产率(Photoluminescence quantum yield,PLQY)高等优点而被应用于光电器件领域。但相比于PLQY接近于100%的红光与绿光CsPbX_(3)量子点,PLQY低于10%的蓝光量子点光学性能仍需要提高。本文通过调节前驱体BaBr_(2)与PbBr_(2)的量比,常温下合成了Ba^(2+)离子掺杂CsPbBr_(3)量子点,并对合成量子点的晶体结构、形貌及其光学性能进行了研究。研究结果显示,随着Ba/Pb量比的增加,由于Ba^(2+)离子半径小于Pb^(2+)离子半径,导致合成量子点粒径由未掺杂的11.37 nm减小到Ba/Pb为1.0时的10.36 nm;此外,Ba^(2+)离子的引入拓展了带宽,吸收光谱和荧光光谱均发生蓝移,荧光光谱由未掺杂的510 nm的绿光蓝移至Ba/Pb量比为1.0时的461 nm的蓝光。当前驱液中Ba/Pb量比为0.5时,在461 nm处具有最强的蓝光发射,PLQY为39%。研究证明适量引入BaBr_(2)合成Ba/Pb混合金属钙钛矿量子点可有效提高其光学性能。

Ba^(2+)-Nd^(3+)共掺杂型γ-Ce_(2)S_(3)大红色料的制备及其性能研究

采用共沉淀法并根据摩尔比n(Ba)/n(Ce_(1-x)Ndx)=0.1(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07,0.10)制备Ba^(2+)-Nd^(3+)共掺杂的γ-Ce_(2)S_(3)(缩写为γ-[Ba,Nd]-Ce_(2)S_(3))大红色料。以CS2为硫源在850℃下煅烧150 min,所得硫化产物为γ-[Ba,Nd]-Ce_(2)S_(3)(简写为S.Ndx),系统研究了Nd^(3+)掺杂量对S.Ndx物相组成、色度及Ba^(2+)-Nd^(3+)共掺杂对于S.Ndx抗氧化性能的影响,并运用FE-SEM、EDS、XRD、HR-TEM、UV-vis、CIELAB比色法以及TG-DSC等测试手段对S.Ndx进行表征分析。研究结果表明,当x在0 mol-0.10 mol范围内变化时,在850℃下便可以得到纯γ相的S.Ndx。随着Nd^(3+)含量的增加,S.Ndx的禁带宽度从2.06 eV增加到2.14 eV,使色料颜色从红色变成橙红色,其色度值从L^(*)=32.95、a^(*)=30.39、b^(*)=24.34(S.Nd0.00)增加到L^(*)=34.89、a^(*)=37.91、b^(*)=38.19(S.Nd0.05),随后有所降低,这表明Ba^(2+)-Nd^(3+)共掺杂可以有效地提高色料的色度值,将S.Nd0.05样品在440℃的空气气氛中保温10min,处理后仍显示纯γ相,并表现出较好的色度(L^(*)=22.31、a^(*)=23.87、b^(*)=27.62),这表明Ba^(2+)-Nd^(3+)共掺杂可有效提高γ-[Ba,Nd]-Ce_(2)S_(3)的抗氧化性能。

Sr_(2.4)Y_(0.2)Eu_(0.2)V_2O_8:Ba^(2+)发光性能的研究（英文）

采用固相法制备系列Ba2+掺杂的Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8粉末样品,其中掺杂浓度x分别为0,0.05,0.10,0.15,0.18,0.20.在416nm光激发下,观察到包括595nm(5 D0→7F1),619nm(5D0→7F2),652nm(5D0→7F3),以及700nm(50D→7F4)Eu3+的50D→7FJ发射谱.随着Ba含量的增加,发光强度先增大而后降低,在x=0.15取得最大值.结果表明:Ba作为一个敏化剂,可以有效提高Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8发光粉的发光强度.

Ba2+和La3+共掺杂对PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷性能的影响

采用固相烧结法制备了Ba^2+和La^3+共掺杂的PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷。通过XRD、SEM研究了组分的微观结构,并研究了不同Ba^2+和La^3+共掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响。研究表明:组分的相结构均为单一的ABO3型钙钛矿结构;当x≤0.025时,组分的密度变化不大,x>0.025时,密度略有下降;不同量的Ba^2+、La^3+共掺杂到组分中,所有陶瓷样品存在特征双峰和准同型相界。在x=0.025处,陶瓷的特征双峰逐渐向中间靠拢,说明该处的准同型相界结构最为稳定;当x=0.025时,陶瓷的压电介电性能获得最优,即:εr=6327、d33=911pC/N、Kp=0.78、tanδ=2.94%、Qm=25。