Al^(3+) 掺杂BaFBr∶Eu^(2+)中F(Br^- )心的性质(英文)

作为光激励发光的首选材料BaFBr∶Eu2 + ,在其中掺杂一定量的Al3 + 后 ,其光激励发光谱向长波方向发生了较大的红移现象。红移的机理是掺杂的Al3 + 离子取代了BaFBr∶Eu2 + 晶格中的Ba2 + 离子 ,且处于F(Br-)心的次近邻位所致。本文利用喇曼光谱和电子顺磁共振谱对受掺杂Al3 + 微扰的F(Br-)心的结构进行了研究 ,首次在喇曼光谱的高频移区观测到了由于掺杂Al3 + 所引起的新结构的产生 ,通过电子顺磁共振谱表征了在BaFBr∶Eu2 + 中Al3 + 与F(Br-)心的相对位置 ,并且得出F(Br-)心与O-F 心存在着空间相关性。

利用热释光和光激励技术研究合成工艺对BaFBr∶Eu^(2+),Al^(3+)发光性质的影响

利用热释发光谱和光激励发光谱表征了不同合成工艺条件对合成BaFBr:Eu2+,Al3+发光性质的影响。利用理论分析找出了热释发光衰减与光激励衰减的异同,理论上计算了不同的合成工艺对BaFBr:Eu2+,Al3+色心能级的影响,其热释发光谱和光激励发光谱的理论计算值能较好的吻合,并且能够很好的表征实验结果。

Effect of TSL and PSL in Al^(3+)-Doped BaFBr∶Eu^(2+) at Difference Synthesis Conditions

Thermal stimulated luminescence (TSL) and photostimulated luminescence (PSL) were used to investigate the luminescent performance of Al 3+ doped BaFBr∶Eu 2+ in different synthetic conditions. Theory analysis shows that the decay of TSL spectra is different from that of PSL spectra. Theoretical calculation was used to investigate the effects of energy state in Al 3+ doped BaFBr∶Eu 2+ by different synthetic conditions. The relationship of color center’s energy and different synthetic conditions is discussed.

BaFBr∶Eu^(2+)的发光及电特性研究

采用高温固相反应方法制备的BaFBr∶Eu2+粉末样品,未经X射线、真空紫外或紫外光辐照,用波长大于400nm的光激发样品,可观测到Eu2+的390nm发光。样品的电子自旋共振(ESR)谱证实在BaFBr∶Eu2+粉末样品的制备过程中,会产生大量的晶格缺陷,分别为电子和空穴陷阱,它们在光激励发光过程中充当不可缺少的角色。本工作将BaFBr∶Eu2+粉末制成压片,在其一侧制作两个电极,以研究电阻 电压关系、剩余电压随时间的变化以及与电极材料的关系等电学特性。电特性研究结果也表明,样品中有电子和空穴陷阱两类缺陷,BaFBr∶Eu2+的发光,源自激发能通过这两类缺陷向Eu2+的能量传递。

BaFBr:Eu^(2+)中掺Al^(3+)对光激励发光的影响

本文对不同金属掺入 ＢａＦＢｒ： Ｅｕ^（２＋）光激励发光进行了研究，通过测试发现 Ａｌ^（３＋）掺入可以提高 光激励发光的强度，并使其激励光谱红移，本文报道了制备过程。

X射线存储材料Si^(4+)掺杂BaFBr:Eu^(2+)中电子陷阱的研究(英文)

在BaFBr:Eu2 + 中掺入Si4+ 合成了一种新的X射线影像板材料 ,其主要光激励发光 (PSL)性能 ,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2 + 。用喇曼和顺磁共振 (EPR)等手段表征了掺Si4+ 后BaFBr∶Eu2 + 中电子陷阱的结构 ,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。