脉冲激光沉积b轴取向BaTi2O5薄膜的研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在MgO(100)基片上制备了b轴取向的BaTi_2O_5薄膜,研究了基片温度(T_(sub))、氧分压(Po_2)等沉积工艺对薄膜结构的影响.结果表明:BaTi_2O_5薄膜的物相及取向性都随基片温度和氧分压的改变而变化,薄膜呈现(710)或(020)取向生长,最佳的PLD沉积条件为T_(sub)=700℃和Po_2=12.5Pa.在该条件下,BaTi_2O_5薄膜表现出明显的b轴取向,薄膜表面平整光滑,结晶良好,晶粒呈棒状交叉分布,结合紧密.

MgO(100)衬底上生长BaTi_2O_5薄膜及其性能研究

利用脉冲激光沉积技术，在MgO（100）衬底上生长了BaTi2O5薄膜，探讨了沉积条件（衬底温度和氧分压）对薄膜结构的影响，并对其介电和光学性能进行了研究。结果表明：随衬底温度和氧分压的改变，BaTi2O5薄膜的物相和结晶取向逐渐变化；适宜的脉冲激光沉积工艺为衬底温度950～1000K、氧分压12．5Pa，在该条件下获得了b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜；该薄膜具有较高的居里温度（750K），介电常数达2000，而且在可见光和红外波长范围内具有较高的透过率。

La掺杂BaTi_2O_5薄膜的制备及性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了不同摩尔分数La掺杂BaTi2O5薄膜。研究了不同La掺量的BaTi2O5(Ba1-xLaxTi2O5)薄膜的物相组成、介电性能和铁电性能。XRD分析结果表明,采用溶胶-凝胶法经过850℃退火制备的Ba1-xLaxTi2O5(0≤x≤0.01)薄膜样品结晶较好,无杂相出现。La掺杂提高了薄膜的介电性能和铁电性能,当掺杂量0.004≤x≤0.008,测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数约为630;当x=0.004时,掺La的BaTi2O5薄膜的剩余极化值最大,2Pr=2.1μC/cm2。