AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响

通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。