新型低介低损耗BaTiSi_2O_7微波介质陶瓷研究

BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗。采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷。X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构。同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1kHz～1GHz频率范围内为8～10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料。

溶胶-凝胶法制备BaTiSi_2O_7的相形成过程研究

BaTiSi2O7结构中含有特殊的[TiO5]四方单锥结构,是一种新型的低介低损耗的微波介质陶瓷。首次通过溶胶-凝胶法制备了BaTiSi2O7粉体。通过XRD、IR、TEM等研究了BaTiSi2O7在形成过程中的物相变化及化学键的形成。XRD数据表明,在800℃生成了Ba2TiSi2O8,在1050℃时开始有BaTiSi2O7生成,在1175℃烧结6h的条件下,获得了BaTiSi2O7纯相。IR数据显示了BaTiSi2O7结构中化学键随温度的形成和变化情况。TEM照片显示粉体颗粒呈现不规则的形状,颗粒尺寸为400500nm,电子衍射花样为单晶,高分辨透射照片显示晶面间距约为0.495nm,符合（002）面的d值。