BaZr_(0.35)Ti_(0.65)O_3陶瓷的弛豫特性及可调性

采用固相法制备了BaZr0.35Ti0.65O3(BZT35)陶瓷。研究了它的弛豫性相变。样品在100 Hz^100 kHz下的介电温谱显示宽化的介电峰值温度,随着频率的增加向高温方向移动,表明了该样品的弛豫特性。弛豫指数(γ)和峰宽化参数(Δ)可以通过对居里-外斯定律的进行线性拟合得到,1 kHz频率下,γ=1.91,Δ=44.9 K,表明样品具有很强的弛豫特性。利用Vogel-Fulcher公式对数据拟合进一步证实了样品的弛豫特性。研究表明,BZT35陶瓷具有巨大的可调性,可应用于可调电容器。

外延生长四方相Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流。氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降。电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降。当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降。

Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3铁电薄膜光生伏特效应的研究

以醋酸铅、钛酸丁酯、正丁醇锆以及硝酸镧为原料,甲醇和乙醇为溶剂配制Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3溶胶,采用溶胶-凝胶法经550℃的快速热处理,在LaNiO_3/Si上制备了Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3铁电薄膜。利用X射线衍射仪分析了薄膜组分与结构,标准铁电分析仪测试了薄膜的铁电性能;利用紫外光源对薄膜进行光照实验;通过分析薄膜厚度对其光生伏特效应的影响,进一步探讨分析了铁电薄膜光生伏特效应的产生机理。结果表明,在20 V电压下,薄膜的剩余极化值和矫顽场强分别为17.485μC/cm2和10.78 k V/cm。当紫外光照强度为2.67 m W/cm^2,薄膜厚度为490 nm左右时,薄膜光照后所产生的最大光生电压值为61.5 m V。

CTLA陶瓷微波介电性能及烧结特性研究

采用固相反应法制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3(CTLA)陶瓷,研究了CTLA陶瓷的物相组成、烧结特性及微波介电特性。结果表明,CTLA陶瓷只含有Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3主晶相,不存在第二相。烧结温度在1 380～1 450℃间,陶瓷的微波介电性能最佳,介电常数εr=44.5,频率温度系数τf≈0,品质因数与频率之积Q×f≈43 948GHz。当w(Nb2O5)=10%时能使陶瓷致密化烧结温度降到1 300℃,但微波性能变差,εr=38.3,τf=-2.8×10-6/℃,Q×f=13 260GHz。