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垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计
被引量:
1
1
作者
杨嘉颖
利健
+3 位作者
黄昊
郑子阳
吴健华
贺威
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第5期359-364,共6页
主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺...
主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺杂浓度、漂移层的厚度、鳍宽度分别为5×10^(15)cm^(-3)、10μm、0.2μm时,得到高击穿电压为1150 V、低导通电阻为1.01 mΩ·cm^(2)、高Baliga优值为1.31 GW/cm^(2)。结果表明,通过本文方法优化的垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管可用于大功率和高压场合。
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关键词
氮化镓
鳍式功率场效应晶体管
击穿电压
导通电阻
baliga优值
下载PDF
职称材料
题名
垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计
被引量:
1
1
作者
杨嘉颖
利健
黄昊
郑子阳
吴健华
贺威
机构
深圳大学电子与信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第5期359-364,共6页
基金
广东省重点领域研发计划项目(2019B010138002)。
文摘
主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺杂浓度、漂移层的厚度、鳍宽度分别为5×10^(15)cm^(-3)、10μm、0.2μm时,得到高击穿电压为1150 V、低导通电阻为1.01 mΩ·cm^(2)、高Baliga优值为1.31 GW/cm^(2)。结果表明,通过本文方法优化的垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管可用于大功率和高压场合。
关键词
氮化镓
鳍式功率场效应晶体管
击穿电压
导通电阻
baliga优值
Keywords
GaN
fin power field-effect transistor
breakdown voltage
on-resistance
baliga
’s figure-of-merit(FOM)
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计
杨嘉颖
利健
黄昊
郑子阳
吴健华
贺威
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021
1
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职称材料
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参考文献
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