A resistorless CMOS bandgap reference with below 1 V output

This paper proposes a resistorless CMOS bandgap reference (BGR) circuit capable of generating a voltage less than 1V and presents a high performance start up circuit that can make the BGR circuit achieve the correct operation point at power on. The simulation with Hspice was carried out using a 0 25 μm CMOS process. The results indicate that the proposed BGR circuit can operate on a 2 2 to 3 3 V power supply and its output voltage has a variation of 11 mV at -10 to 80 ℃.

低压CMOS模拟与数字混合ASIC——瓦斯报警电路设计与制造

本文介绍一种单电源电压小于3V的低压CMOS模拟与数字混合ASIC——瓦斯报警电路的设计,并给出制造工艺的主要数据。本电路根据我厂的现有设备和工艺,采用正向设计,一次流片即获成功,批量生产重复性好。模拟线路的技术指标和数字线路的功能均达到预期的使用要求,3V工作时的驱动电流可达15mA。

模拟CMOS集成电路设计工具综述

介绍了各种模拟ＣＭＯＳ集成电路计算机辅助设计工具。详细分析了设计工具的特点、组成和分类，重点讨论了它对数模混合ＡＳＩＣ设计的作用和重要意义。

CMOS电压基准的设计原理

电压基准是集成电路一个重要的构成单元。结合多年设计经验,介绍了五类CMOS电压基准的设计原理、理论推导、参考电路、特点和主要性能指标,给出了主要参数的计算公式。最后,对各种CMOS电压基准的性能进行了比较。

两种新型CMOS带隙基准电路

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。

一种低功耗CMOS带隙基准电压源的实现

运用带隙基准的原理,提出了一种带启动电路的低功耗带隙基准电压源电路。HSPICE仿真结果表明,在25℃3、.3 V下,电路功耗为16.88μW;另外,在-30-125℃范围内,1.9-5.5V下,输出基准电压VREF=1.225±0.0015 V,温度系数为γTC=14.75×10^-6/℃,电源电压抑制比（PSRR）为86 dB。该电路采用台积电（TSMC）0.35μm 3.3 V/5 V CMOS工艺制造。测试结果显示,电路功耗仅为16.98μW。

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.

低功耗CMOS带隙基准电压源设计

从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管芯面积为100μm×94μm。测试结果显示,电源电压1V时,在-30~120℃范围内温度系数为6.6×10-6/℃,功耗仅1.8μW;电源电压从0.76V变化到2V,输出电压偏差仅1.52mV,电源抑制比达58dB。

带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准

提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路。采用UMC 0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB。此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70μs。

新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源

运用带隙基准的原理，采用0．5μm的CMOS（Complementary Metal—Oxide Semiconductor）工艺，设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源．HSPICE仿真结果表明：电源电压‰最低可达1．9V，在温度-30～125℃范围内，电源电压VDD在1．9～5．5V的条件下，输出基准电压VREF=（1．225±0．0015）V，温度系数为γTC=14．75×10^-6／℃，直流电源电压抑制比（PsRR）等于50dB．在温度为25℃且电源电压为3V的情况下功耗不到15μW．整个带隙基准电压源具有良好的性能．

一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路。电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路。基于SMIC0.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV。不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB。在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃。

一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293 V,在1.5 V^4 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV,基准的最大静态电流约为19μA;在-40℃~120℃温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系;在电源电压为3 V时,基准的总电流约为14.25μA,功耗约为42.74μW;并且基准具有较高的电源抑制比和较低的噪声(小于500 nV/Hz1/2),基准的输出启动时间约为25μs。

一种用于CMOS A/D转换器的带隙基准电压源

设计了一种用于CMOSA／D转换器的带隙基准电压源。该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制，具有很高的精度和较好的电源电压抑制比。电路采用中芯国际（SMIC）0．35um CMOSN阱工艺。HSPICE仿真结果表明，在3．3V条件下，在-40℃～125℃范围内，带隙基准电压源的温度系数为2．4×10^-6V／℃，电源电压抑制比为88dB@1kHz，功耗为0．12mw。

CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法

基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法的CMOS带隙基准电压源核心电路以及他们的设计原理、理论推导、参考电路和特点。最后,对于所讨论的基准源电路进行了性能比较和优缺点分析。

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5 V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4～6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。

一种结构新颖的CMOS带隙基准源

为了简化可变参考电压电路结构,并且降低该参考电压的温度系数,讨论了一种输出可调节的CMOS带隙基准电路。该电路在传统带隙基准电路的基础上增加了一个运算放大器。可以通过调整电阻值来分别调节电流与VBE和VT的比例关系,从而得到任意输出电压的带隙基准源。此外,为了使带隙基准电路能够正常工作,设计了启动电路。通过仔细设计版图和增加电路结构,提高了电路的性能。HSPICE模拟和测试结果表明,所设计的电路具有较高的电源抑制比和良好的温度特性。

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5V±0.002V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2mV,电源电压抑制比为60dB.5V电源电压下功耗为1.19mW.具有良好的电源抑制能力.

0.5μmCMOS带隙基准电路设计

依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB。

一种CMOS基准电压源的设计

设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明,在VDD=5 V时,该电路具有6.5×10-6V/℃的温度特性和52 dB的电源抑制比。经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中。

基于CMOS带隙基准源设计

电压基准源是模拟集成电路设计中的一个非常重要的基础模块。文章完成了带隙基准电压源的设计,进行了包括电路各部分结构的讨论与选择、电路的设计与仿真以及电路版图的设计与验证等多个环节的工作。