多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体局域态密度影响的研究

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面内多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,而在杂质点附近由于杂质的存在产生零能量诱导峰,同时超导相干峰受到强烈抑制。随着杂质间距的增大,杂质点附近超导相干峰受到的抑制逐渐变小,同时零能量诱导峰的强度也随着变小。

CuO_2平面外非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面外单个非磁性杂质对gossamer超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,在杂质点附近平面外的非磁性杂质使超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而在杂质点附近由于平面外的杂质势没有被有效屏蔽而导致CuO2平面内电子的分布在纳米尺度上存在着明显的不均匀性。

非磁性杂质对gossamer超导体局域态密度的影响

从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程对CuO2平面外和平面内同时存在非磁性杂质时对gossamer超导体电子局域态密度的影响进行了研究。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性。当平面内杂质不是很强时,平面外杂质使其附近超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而由于平面内外同时存在的杂质而导致CuO2平面内电子的分布在更大范围内在纳米尺度上存在着显著的不均匀性。