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BeⅠ等电子序列的高激发态结构(奇宇称,J=0)
1
作者
赵翠兰
王治文
《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》
1996年第1期24-27,共4页
本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT),系统地研究了BeⅠ等电子序列(BeⅠ-MgK)的高激发态结构。得到了描述高激发态结构的EQDT参量(μα,Ui)以及它们随核电荷数增大的变化规律。以这些参量作为输入,获得了类...
本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT),系统地研究了BeⅠ等电子序列(BeⅠ-MgK)的高激发态结构。得到了描述高激发态结构的EQDT参量(μα,Ui)以及它们随核电荷数增大的变化规律。以这些参量作为输入,获得了类Be体系2snp.2pns,2pnd组态的全部Rydberg能级及混合系数。结果表明:理论值与实验值在高激发能区趋于一致,相对误差在10-5左右。
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关键词
beⅰ等电子序列
高激发态
本征通道量子亏损理论
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职称材料
题名
BeⅠ等电子序列的高激发态结构(奇宇称,J=0)
1
作者
赵翠兰
王治文
机构
吉林大学原子分子所
出处
《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》
1996年第1期24-27,共4页
文摘
本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT),系统地研究了BeⅠ等电子序列(BeⅠ-MgK)的高激发态结构。得到了描述高激发态结构的EQDT参量(μα,Ui)以及它们随核电荷数增大的变化规律。以这些参量作为输入,获得了类Be体系2snp.2pns,2pnd组态的全部Rydberg能级及混合系数。结果表明:理论值与实验值在高激发能区趋于一致,相对误差在10-5左右。
关键词
beⅰ等电子序列
高激发态
本征通道量子亏损理论
Keywords
beryllium isoelectronic sequence
highly excited state
eigenchannel quantum defct theory.
分类号
O571.24 [理学—粒子物理与原子核物理]
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作者
出处
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1
BeⅠ等电子序列的高激发态结构(奇宇称,J=0)
赵翠兰
王治文
《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》
1996
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