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BeⅠ等电子序列的高激发态结构(奇宇称,J=0)
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作者 赵翠兰 王治文 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》 1996年第1期24-27,共4页
本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT),系统地研究了BeⅠ等电子序列(BeⅠ-MgK)的高激发态结构。得到了描述高激发态结构的EQDT参量(μα,Ui)以及它们随核电荷数增大的变化规律。以这些参量作为输入,获得了类... 本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT),系统地研究了BeⅠ等电子序列(BeⅠ-MgK)的高激发态结构。得到了描述高激发态结构的EQDT参量(μα,Ui)以及它们随核电荷数增大的变化规律。以这些参量作为输入,获得了类Be体系2snp.2pns,2pnd组态的全部Rydberg能级及混合系数。结果表明:理论值与实验值在高激发能区趋于一致,相对误差在10-5左右。 展开更多
关键词 beⅰ等电子序列 高激发态 本征通道量子亏损理论
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