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多孔硅的形成与理论分析
被引量：
7
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作者
王清涛
李清山
+1 位作者
董艳锋
冀会辉
《曲阜师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2002年第3期57-58,76,共3页
综述了多孔硅的形成机制 ,并分别对用n_Si和
关键词
多孔硅
空间电荷层
形成机制
beale耦合模型
扩散限制
模型
阳极氧化
量子限制
模型
下载PDF
职称材料
题名
多孔硅的形成与理论分析
被引量：
7
1
作者
王清涛
李清山
董艳锋
冀会辉
机构
曲阜师范大学物理系
出处
《曲阜师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2002年第3期57-58,76,共3页
基金
山东省自然科学基金资助 (Y98A10 0 13 )
文摘
综述了多孔硅的形成机制 ,并分别对用n_Si和
关键词
多孔硅
空间电荷层
形成机制
beale耦合模型
扩散限制
模型
阳极氧化
量子限制
模型
Keywords
porous silicon
depletion layer
diffuse
depletion
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
多孔硅的形成与理论分析
王清涛
李清山
董艳锋
冀会辉
《曲阜师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2002
7
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