Dy^(3+):ThO_2的选择激发光谱和能级结构

本文首次用熔融法生长了Dy3 + :ThO2 晶体 ,详细研究了其光谱特性。通过 12K下格位选择激发下的发射光谱测量 ,利用晶场理论 ,确定了Dy3 + 在ThO2 中的格位对称性为C3v。列表给出了Dy3 + :ThO2 的晶场能级结构。测量和讨论了 4 F9/ 2 能级的寿命。

ArⅡ的某些能级平均寿命的测量

用１１０ｋｅＶ的Ａｒ＋离子与８．５μｇ／ｃｍ２的碳箔相互作用，研究ＡｒⅠ、ＡｒⅡ的激发光谱，并测量了６条ＡｒⅡ的某些能级的平均寿命，其结果和别的实验及理论计算进行了比较。为了延长碳箔的使用寿命，我们改进了制箔工艺，并调节合适的电流强度，使箔的使用寿命延长到３０分钟以上。

高电离态离子束箔光谱学研究

利用束箔技术研究由重离子加速器提供的47MeV能量的氖离子和94MeV能量的氛离子,分别和不同材料、不同厚度的碳箔（39μg／cm2）和铝箔（3.4mg／cm2）相互作用,产生高电离态的氖和氩离子,并测量了这些离子的激发光谱和某些能级寿命。

低能束箔光谱研究

本文简要介绍近代物理所开展的低能束箔光谱学研究情况以及获得的实验数据（包括Ｎ、Ｏ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｆｅ和Ｃｕ等的激发光谱和能级寿命），并讨论了实验的精度．