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半导体热电材料BI_(1-X)SB_X薄膜的电化学制备
被引量:
3
1
作者
洪澜
任山
+2 位作者
VEREECKEN P M
SUN L
SEARSON P C
《中山大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期37-41,共5页
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I...
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。
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关键词
半金属
bi
—
sb
合金
热电薄膜
电化学沉积
电流
-
电位循环曲线
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职称材料
题名
半导体热电材料BI_(1-X)SB_X薄膜的电化学制备
被引量:
3
1
作者
洪澜
任山
VEREECKEN P M
SUN L
SEARSON P C
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥纳米技术研究中心∥物理科学与工程技术学院
DEPARTMENT OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING JOHNS HOPKINS UNIVERSITY BALTIMORE
出处
《中山大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期37-41,共5页
基金
教育部跨世纪人才基金留学回国人员科研启动基金资助项目(02-30100-4105396)
广东省重点研究资助项目(99B03001G)
广州市科技资助项目(01-Z-118-01)
文摘
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。
关键词
半金属
bi
—
sb
合金
热电薄膜
电化学沉积
电流
-
电位循环曲线
Keywords
bi - sb alloy
,
thermoelectric films
,
semiconductor
,
electrodeposition
,
current - potential curve.
分类号
TG146 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体热电材料BI_(1-X)SB_X薄膜的电化学制备
洪澜
任山
VEREECKEN P M
SUN L
SEARSON P C
《中山大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
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