退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。

立方晶体Bi_(12) GeO_(20) 的三阶弹性常数(英文)

用超声脉冲回波重合方法测量了立方晶体Bi12 GeO2 0 中九种不同模式纯纵波和切变波自然声速值随流体静压力和单轴压力的变化关系 ,由此实验结果 ,用Thurston和Brugger的理论 ,确定了Bi12 GeO2 0 晶体全部独立的三阶弹性常数 .

Bi_(12)GeO_(20)单晶色带的成因与消除

锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 ,BGO)单晶具有良好的压电、光电和光导特性。特别是利用其优良的压电性能制作的声表面波器件 ,如脉压延迟线等已广泛地应用于通讯雷达及电子对抗等国防领域。由于BGO单晶声表面波声速较低 ,是制作中长延迟时间声表面波延迟线的理想基片材料 ,大大缩小了器件如反向栅阵列抽头延迟线 (RAC器件 )的体积 ,该器件已成功地用于机载雷达的脉冲扩展和压缩子系统中。但是 ,V .S .Dolat等在制作RAC器件时发现晶片内的色带使以此为衬底的器件出现严重的响应下降和过量插损。用静电探针测量表明 ,色带区域表面波速较正常区域的慢 ,且材料的非均匀性引起了表面波传播的严重失真。相反 ,在无色带基片上制作的RAC器件则获得了接近理论值的响应。BGO单晶色带的存在严重制约了声表面波器件的性能发挥。采用提拉法生长BGO晶体 ,分析了BGO晶体中色带的分布。色带横向分布基本上是中心对称结构 :纵向呈带状分布 ,总的表现为上疏下密。采用PHILIPSPW2 40 0X射线光谱分析仪分析了熔体挥发物的组成。两种的质量分数分别为GeO2 4.77% ,Bi2 O3 95 .2 3% ,换算成摩尔比则为 :GeO2 :Bi2 O3 =( 4.77/1 0 4.5 9) /( 95 .2 3/4 6 6 ) =1 .2 7∶6 (mol比 )而化学配比的两组分摩尔比为 1∶6。可知挥发物中GeO2 的量?

Study on photoluminescence of thermally treated Bi_(12)GeO_(20) and Mo:Bi_(12)GeO_(20) crystals

Photoluminescence (PL) of Bi12GeO20 and Mo doped Bi12GeO20 (Mo: Bi12GeO20) crystals in visible and near-infrared (NIR) spectral regions were studied. X-ray diffraction analysis, absorption and Raman scattering spectra of these crystals were also measured. Pure Bi12GeO20 after annealing in N2 atmosphere at 450 oC and 550 °C show predominant emissions at about 745 and 1250 nm bands, while the emission peaks of Mo:Bi12GeO20 crystals untreated or after annealing in Ar at 300 °C are at around 538 and 1165 nm. The results suggest that annealing induces intrinsic luminescence of Bi in pure Bi12GeO20 at room temperature and Mo influences the luminescence centers of Bi12GeO20. The emission peaks of Bi12GeO20 and Mo: Bi12GeO20 probably owe to lower-valent Bi ions.

锗酸铋单晶环状色带的消除

我所自 70年代初以来 ,先后研制、开发了各种型号尺寸的锗酸铋 (Bi12 GeO2 0 )单晶 (以下简称BGO) ,用户也一直比较满意。但晶体内随机出现的环状色带 (环状深色区域带 ,非指由凸界面致小面生长引发的深色核心 ) ,一直未能根绝 ,用户当时对此也未作要求。由于目前用户强烈要求使用无色带的尺寸达 45mm× 5 0mm× 1 5 0mm以上的 [1 1 0 ]BGO ,因而必须尽早彻底解决BGO的色带。本人从 99年初接手生长大尺寸 [1 1 0 ]BGO后 ,反复查阅了我所生长BGO以来 2 0多年的原始资料 ,意识到色带可能出自BGO熔体的高粘度给多晶料烧制、生长工艺参数的选择带来的特殊性 ,因而采用以下技术措施 :( 1 )在精确配料 ,充分混料的基础上 ,烧料时在熔融前还要经足够时间的固相反应 ,以便得到的多晶料物相尽量均一 ;( 2 )装料、熔料时采用特殊工艺 ,确保熔体成分在生长坩埚内各区域的均一性 ;( 3)改用适中的液下温梯及与此相应的转速等 ,有助于提高BGO生长界面的稳定性和熔体成分在晶体的整个生长期间的均一性。自严格执行上述技术措施之后 ,已连续 2 0多炉无一根晶体有色带 ,而且从 99年 8月初起 ,等经尺寸也达 45mm× 5 0mm× 2 0 0mm以上 ,做到了BGO生长的优质 ,稳定和高效。