退火工艺对射频磁控溅射Bi：YIG薄膜磁性能的影响

对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi:YIG系薄膜,用快速循环退火方法对其进行晶化处理,研究了退火温度对Bi:YIG薄膜结晶状态和形貌的影响,以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响.结果表明,用快速循环退火可以在Si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜(饱和磁化强度139 kA/m,矫顽力6.37 kA/m)并使薄膜形貌有较大改善,在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍.

Bi:YIG纳米薄膜的磁光特性(英文)

用射频磁控溅射和快速退火方法制备了纳米量级的Bi:YIG薄膜,研究了薄膜的磁光特性。当晶粒尺寸从150nm 降到80nm时,透射率和Faraday角的值分别从75%和3.6°变成了80%和4.0°。结果表明:高的透射率和大Faraday角可以在晶粒尺寸为纳米量级的薄膜中共存。

掺Bi钇铁石榴石薄膜光波导的线性双折射及消除方法

分析了光的线性双折射对磁光波导ＴＥ－ＴＭ模式转换、法拉第旋转、波导光隔离器隔离比及插入损耗的影响。研究了掺Ｂｉ钇铁石榴石薄膜光波导中的形状线性双折射、应力感生线性双折射及生长感生线性双折射的来源、特性和消除方法。