Bi系铜氧化物射频介电性质的研究

测量了不同离子掺杂Bi2Sr2CaCu2Oy多晶样品的射频介电常数,发现样品的介电常数存在明显差别,分析认为这是由于离子掺杂改变了材料中的载流子浓度,导致材料的空间电荷极化差异所引起的。基于这种机制,成功解释了不掺杂样品在1700MHz附近的弛豫现象和不同样品损耗性质的差异。

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)体系中顶点氧振动的Raman谱研究

通过 Raman散射声子谱研究了 Pr掺杂对 Bi2 2 12体系顶点氧振动频率的影响 ,发现掺杂导致振动频率向低频方向移动。分析表明体系中 Bi O双层收缩是导致声子发生软化的主要原因。结合体系的结构特征 ,从能量关系角度上讨论了 Bi O双层随掺杂发生收缩的原因。

一种新型片式LC谐振器的理论分析

分析了Bi系铜氧化物的晶体结构特点,提出可以利用此晶体作为LC谐振器。计算了它的振荡频率,发现直径为2mm圆片状晶体的谐振频率在6kHz左右。影响振荡频率的主要因素为εr、结构常数c和晶体ab面面积S。