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n型Bi-Te-Se温差电材料溶液体系的电沉积过程研究 被引量:2
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作者 杨梦倩 神政武 +1 位作者 刘晓清 王为 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期24-28,共5页
目的研究硫酸体系中元素铋、碲和硒的电沉积行为,为电沉积制备n型Bi2Te3-ySey温差电材料提供理论参考。方法采用电化学循环伏安测试技术,对硫酸溶液体系中铋、碲、硒三种元素的电沉积及不同元素间的共沉积过程进行研究。结果纯铋硫酸溶... 目的研究硫酸体系中元素铋、碲和硒的电沉积行为,为电沉积制备n型Bi2Te3-ySey温差电材料提供理论参考。方法采用电化学循环伏安测试技术,对硫酸溶液体系中铋、碲、硒三种元素的电沉积及不同元素间的共沉积过程进行研究。结果纯铋硫酸溶液体系中,Bi3+还原成单质铋的电化学反应是分步进行的,游离态和络合态的铋离子先后发生还原反应。纯碲硫酸溶液体系中,HTe O2+以吸附态和游离态两种形式先后发生还原反应。纯硒硫酸溶液体系中,溶液中的H2Se O3也通过分步还原反应生成硒单质。在Bi-Te-Se三元硫酸溶液体系中,Bi3+的浓度和基材对电沉积过程有显著影响,Bi-Te-Se化合物对电沉积过程具有促进作用。结论在Bi-Te-Se三元硫酸溶液体系中,Se,Te和Bi元素可依次在阴极表面发生还原反应而实现共沉积,从而制备出n型Bi-Te-Se温差电材料。 展开更多
关键词 电沉积过程 循环伏安 n型bi-te-se温差电材料
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Combinatorial screening via high-throughput preparation:Thermoelectric performance optimization for n-type Bi-Te-Se film with high average zT>1
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作者 Guangyu Han Wei Zhu +3 位作者 Siming Guo Jie Zhou Yutong Liu Yuan Deng 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第29期18-27,共10页
Thermoelectric materials have drawn extensive interest due to the direct conversion between electricity and heat,however,it is usually a time-consuming process for applying traditional“sequential”meth-ods to grow ma... Thermoelectric materials have drawn extensive interest due to the direct conversion between electricity and heat,however,it is usually a time-consuming process for applying traditional“sequential”meth-ods to grow materials and investigate their properties,especially for thermoelectric films that typically require fine microstructure control.High-throughput experimental approaches can effectively accelerate materials development,but the methods for high-throughput screening of the microstructures require further study.In this work,a combinatorial high-throughput optimization solution of material properties is proposed for the parallel screening and optimizing of composition and microstructure,which involves two distinctive types of high-throughput fabrication approaches for thin films,along with a new portable multiple discrete masks based high-throughput preparation platform.Thus,Bi_(2)Te_(3-x)Se_(x)thin film library with 196 throughputs for locating the optimized composition is obtained in one growth cycle.In addition,another thin film library composed of 31 materials with traceable process parameters is built to further investigate the relationship between microstructure,process,and thermoelectric performance.Through high-throughput screening,the Bi_(2)Te_(2.9)Se_(0.1)film with(00l)orientation is prepared with a peak zT value of 1.303 at 353 K along with a high average zT value of 1.047 in the interval from 313 to 523 K.This method can be also extended to the discovery of other functional thin films with a rapid combinatorial screening of the composition and structure to accelerate material optimization. 展开更多
关键词 High-throughput preparation Thermoelectric performance bi-te-se film Combinatorial screening
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镁铁—超镁铁质岩浆中铂族元素的富集机理:综述与实例 被引量:1
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作者 王焰 魏博 +1 位作者 陈晨 白玉颖 《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期3622-3636,共15页
目前陆地上可利用的铂族元素(PGE)资源主要来自与镁铁—超镁铁质岩浆密切相关的岩浆硫化物矿床。岩浆硫化物矿床成矿理论关注的一个重要问题就是镁铁—超镁铁质岩浆中PGE的富集机理。经典成矿理论认为,由于PGE在平衡的硫化物熔体与硅酸... 目前陆地上可利用的铂族元素(PGE)资源主要来自与镁铁—超镁铁质岩浆密切相关的岩浆硫化物矿床。岩浆硫化物矿床成矿理论关注的一个重要问题就是镁铁—超镁铁质岩浆中PGE的富集机理。经典成矿理论认为,由于PGE在平衡的硫化物熔体与硅酸盐熔体之间具有极高的分配系数(10^(5)~10^(6)),PGE富集成矿主要与成矿体系中硅酸盐熔体与硫化物熔体的质量比有关(R-factor)。但是近些年来,许多新的实验岩石学结果和天然矿石样品纳米尺度PGE赋存状态的观测结果对这一经典理论提出了挑战。本文列举了一些相关的研究实例,显示硅酸盐熔体中的PGE纳米颗粒可以被硫化物或铬铁矿机械捕获、并通过定向附着生长、聚集、粗化和融合,最终形成纳米颗粒集合体和纳米合金。另外,岩浆中半金属元素(TABS,即Te、As、Bi、Sb、Sn)和Se可以与PGE优先形成各种互化物,从而富集于砷化物、铋化物、碲化物或硒化物中,而非硫化物中。因此,镁铁—超镁铁质岩浆体系中PGE的富集可能不仅受其在硫化物熔体中极高的分配系数控制,一些物理过程导致的PGE分配以及半金属元素对PGE的富集作用也不容忽视。由于矿石中的铂族矿物一般为纳—微米级,采用聚焦离子束(FIB)和高分辨透射电镜(HRTEM)、纳米二次离子质谱技术(Nano-SIMS)和原子探针(APT)等先进的微区分析技术对矿物相中PGE的赋存状态进行深入研究,有望获得PGE富集机理的新认识,并不断完善和发展经典的岩浆硫化物矿床成矿理论。 展开更多
关键词 镁铁—超镁铁质岩浆 铂族元素(PGE) 分配系数 半金属元素(TABS)和Se PGE纳米颗粒聚集方式
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SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金及其热电性能 被引量:5
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作者 修伟杰 应鹏展 +1 位作者 崔教林 薛海峰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期334-337,共4页
采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能。结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005~0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的See... 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能。结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005~0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|α|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降。如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0~0.4)设计的材料热扩散系数进行估算,当温度在477.0K时,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.04)的ZT值出现最大值,其值为0.75,比典型三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约0.09。 展开更多
关键词 四元n-型Ag-Bi-Se-Te合金 AG掺杂 放电等离子烧结(SPS) 电学性能
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Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究 被引量:2
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作者 戴宪起 王宁 +1 位作者 赵宝 赵旭 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第6期26-31,共6页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分布,影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系中,B比N对吸附原子的影响大;除Se在B掺杂石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁性.缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作用,对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影响. 展开更多
关键词 石墨烯 拓扑绝缘体 吸附 掺杂 BI SE TE
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含不同易切削元素的笔头用易切削不锈钢微观组织的研究 被引量:1
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作者 宋元元 孔凡亚 +1 位作者 李红军 戎利建 《中国制笔》 2020年第2期4-7,共4页
采用扫描电镜、电子探针等表征手段分析了含Bi(铋)和Te(碲)以及含Se(硒)的两种新型笔头用易切削铁素体不锈钢的显微组织,研究了易切削元素Bi、Te和Se在钢中的分布、形态及其对显微组织的影响,探讨了这些易切削合金元素代替有毒元素Pb的... 采用扫描电镜、电子探针等表征手段分析了含Bi(铋)和Te(碲)以及含Se(硒)的两种新型笔头用易切削铁素体不锈钢的显微组织,研究了易切削元素Bi、Te和Se在钢中的分布、形态及其对显微组织的影响,探讨了这些易切削合金元素代替有毒元素Pb的可能性。结果表明:在易切削铁素体不锈钢中加入Bi、Te或Se易切削元素后,Bi主要以单质形式呈块状分布在基体上或者附着在Mn S旁,而Te一般以MnTe或者Mn(S,Te)夹杂物形式存在;Se则主要形成了Mn(S,Se)夹杂物。形成的MnS型易切削相多以纺锤状或短棒状断断续续地呈链条样分布在铁素体基体上,易切削相的这种分布形态将有利于提高易切削性能。 展开更多
关键词 易切削钢 MNS Bi TE SE
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液态Bi-Te和Bi-Se系合金的电阻率与金属-非金属转变
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作者 金准智 胡立新 +2 位作者 邹宪武 郭怀喜 向梅芝 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1995年第3期337-340,共4页
测量了含Te40%~70%(at.)的液态Bi-Te合金在700~850℃和含Se40%~65%(at.)的液态Bi-Se合金在700~900℃的电阻率.得到在所述成分范围内,液态Bi-Te合金保持金属导电性;而对于... 测量了含Te40%~70%(at.)的液态Bi-Te合金在700~850℃和含Se40%~65%(at.)的液态Bi-Se合金在700~900℃的电阻率.得到在所述成分范围内,液态Bi-Te合金保持金属导电性;而对于液态Bi-Se合金,当成分接近Bi2Se3配比时,发生金属-非金属转变.从原子间键合方式和能态特征,解释了液态Bi-Se合金发生金属-非金属转变,而液态Bi-Te合金保持金属性的原因. 展开更多
关键词 液态合金 电阻率 金属 非金属 转变 铋合金
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Bi_2(Te_(1-x)Se_x)_3单晶生长热力学研究
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作者 巢毅敏 张劲锋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期38-39,共2页
本工作研究了Bi-Fe-Se三元相在富Bi2Te3区的相图。测定了Bi2Te3和Bi2Se3从550℃到它们的熔点范围内的等浓度线,用移动加热器(THM)法生长Bi2(Te1-xSex)3(x=0.025和x=0.05)。用霍尔(Hall)效应测定这些化合物在富Te区的固线... 本工作研究了Bi-Fe-Se三元相在富Bi2Te3区的相图。测定了Bi2Te3和Bi2Se3从550℃到它们的熔点范围内的等浓度线,用移动加热器(THM)法生长Bi2(Te1-xSex)3(x=0.025和x=0.05)。用霍尔(Hall)效应测定这些化合物在富Te区的固线,研究表明,可再生法生长热力学定义的单晶是可能的. 展开更多
关键词 Ti-Te-Se单晶 晶体生长 相图 热力学 单晶体
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蒸气发生–原子荧光法连续测定化探样品中微量砷、锑、铋、汞、硒、碲 被引量:16
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作者 邵志刚 《化学分析计量》 CAS 2015年第2期55-58,共4页
建立了连续测定化探样品中微量砷、锑、铋、汞、硒、碲的原子荧光光谱法。研究了酸度、KBH4溶液浓度、基体改进剂等条件对荧光强度的影响。在优化的实验条件下,砷、锑、铋、汞、硒、碲的检出限分别为0.011,0.006,0.020,0.002 5,0.005,0.... 建立了连续测定化探样品中微量砷、锑、铋、汞、硒、碲的原子荧光光谱法。研究了酸度、KBH4溶液浓度、基体改进剂等条件对荧光强度的影响。在优化的实验条件下,砷、锑、铋、汞、硒、碲的检出限分别为0.011,0.006,0.020,0.002 5,0.005,0.002 mg/L,测定结果的相对标准偏差分别为1.30%,4.64%,3.76%,5.46%,2.04%,3.41%(n=11),准确度大于98%。该方法简便,成本低,检测结果准确,检出限、准确度及精密度均能达到行业规范要求,可用于化探样品中微量元素测试。 展开更多
关键词 蒸气发生-原子荧光光谱法(VG-AFS) 化探普查样品
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一种通用的块体热电材料高通量实验筛选策略 被引量:1
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作者 何世洋 杨扬 +4 位作者 李志立 张继业 王晨阳 张文清 骆军 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期1751-1760,共10页
高通量实验对加速先进材料的发现起着关键作用,但是高通量制备和表征,尤其是块体样品的高通量制备和表征非常困难.本文报道了一种新型通用的高性能块体热电材料高通量筛选策略.该全链条高通量实验涵盖准连续成分大块样品的快速制备,微... 高通量实验对加速先进材料的发现起着关键作用,但是高通量制备和表征,尤其是块体样品的高通量制备和表征非常困难.本文报道了一种新型通用的高性能块体热电材料高通量筛选策略.该全链条高通量实验涵盖准连续成分大块样品的快速制备,微区物相和结构分析,以及样品成分、电学和热学输运性质的空间分布表征.我们通过该高通量实验方法快速制备出了成分准连续分布的Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3)(x=1–2)和Bi_(2)Te_(3-x)Se_(x)(x=0-1.5)块体样品.后续的高通量实验表征证实我们成功筛选出了具有最佳Sb/Bi和Te/Se成分比的目标热电材料,表明该高通量实验技术在加速新型高性能热电材料的探索方面十分有效. 展开更多
关键词 热电材料 样品成分 高通量筛选 输运性质 准连续 筛选策略 快速制备 制备和表征
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