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(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3-BaTiO_3系无铅压电陶瓷结构与性能的研究 被引量:2
1
作者 刘云飞 施书哲 +2 位作者 许旱峤 徐明 吕忆农 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期28-31,共4页
采用XRD,SEM,HRTEM等分析技术对(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3(简称为BNBT)(x为0.04,0.06,0.08,0.10)进行了结构与性能的研究,并主要分析了x为0.06,即0.94(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.06BaTiO3(简称为BNBT6)在不同烧结温度下的结构形态及其对... 采用XRD,SEM,HRTEM等分析技术对(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3(简称为BNBT)(x为0.04,0.06,0.08,0.10)进行了结构与性能的研究,并主要分析了x为0.06,即0.94(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.06BaTiO3(简称为BNBT6)在不同烧结温度下的结构形态及其对性能的影响。结果表明:(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3系统具有很窄的烧结范围。另外,加入过量的Ba2+,能起到阻碍晶粒长大的作用。 展开更多
关键词 (1-x)(bi1/2na1/2)tio3-xBatio3 无铅压电陶瓷 结构与性能 HRTEM
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四方相Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-BaTiO_3无铅压电陶瓷的研究
2
作者 江向平 王海圣 +3 位作者 黄敏 李龙珠 陈峰 吴坚强 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期27-30,共4页
采用电子陶瓷法制备出(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-xBaTiO3(简写BNBT)无铅压电陶瓷,其中x=0.08,0.1,0.2,0.3,0.4。XRD分析结果表明所制备的样品都生成了纯的钙钛矿结构,并且都为四方相。同时利用电子探针显微镜(EPM)分析技术,研究了BNBT压电陶... 采用电子陶瓷法制备出(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-xBaTiO3(简写BNBT)无铅压电陶瓷,其中x=0.08,0.1,0.2,0.3,0.4。XRD分析结果表明所制备的样品都生成了纯的钙钛矿结构,并且都为四方相。同时利用电子探针显微镜(EPM)分析技术,研究了BNBT压电陶瓷的形貌。并通过测量样品的压电介电常数,发现所研究的样品的机械品质因数(Qm)在56-74之间,平面机电耦合系数(kp)在0.16左右,频率常数(NФ)在3000左右,并且随着x的增大相对介电常数εT33/ε0逐渐变小;介质损耗tanδ先减小后增大,当x=0.20时出现最小值tanδmin=0.03018;而压电常数d33则先增加后减小,在x=0.10时有最大值d33max=138。从综合性能来看,当x=0.20时性能最好,εT33/ε0=881,tanδ=0.03018,d33=115。 展开更多
关键词 bi1/2na1/2tio3-batio3 无铅 压电陶瓷 四方相
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Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-BaTiO_3系无铅压电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析 被引量:3
3
作者 杨晓冬 吕忆农 +3 位作者 刘云飞 徐明 施书哲 卢都友 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第3期71-75,共5页
借助正交试验设计,通过对无铅压电陶瓷压电、介电性能的测试,研究了BaTiO3含量、预烧温度、烧结温度及保温时间对(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3(简写为BNBT-100x)陶瓷性能的影响。研究结果表明制备BNBT系陶瓷的最优化工艺条... 借助正交试验设计,通过对无铅压电陶瓷压电、介电性能的测试,研究了BaTiO3含量、预烧温度、烧结温度及保温时间对(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xBaTiO3(简写为BNBT-100x)陶瓷性能的影响。研究结果表明制备BNBT系陶瓷的最优化工艺条件为:BaTiO3摩尔分数x=0.06、预烧温度850℃、烧结温度1130℃、保温时间2h。通过XRD分析了BNBT系压电陶瓷的晶体结构类型、晶胞参数及晶格畸变随着BaTiO3摩尔分数的变化,确定了该体系的三方-四方的准同型相界在x=0.06~0.08之间。 展开更多
关键词 bi1/2na1/2tio3-batio3 正交试验设计 准同型相界
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BiFeO_3改性Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3-BaTiO_3基陶瓷电性能 被引量:2
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作者 王洋 刘心宇 +1 位作者 周昌荣 黄晋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期14-16,共3页
采用固相反应法制备了新型(0.95-x)Bi1/2Na1/2TiO3—0.05BaTiO3-xBiFeO3(x=0—0.09)系无铅压电陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对其晶体结构、介电及压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷均能形成纯钙钛矿型固溶体。介... 采用固相反应法制备了新型(0.95-x)Bi1/2Na1/2TiO3—0.05BaTiO3-xBiFeO3(x=0—0.09)系无铅压电陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对其晶体结构、介电及压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷均能形成纯钙钛矿型固溶体。介温曲线(10kHz)显示该陶瓷体系具有明显的弥散相变特征。该陶瓷体系的压电性能较Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3陶瓷(d33=125pC/N)有较大提高,当X=0.05时,具有最佳的压电性能:d33=142pC/N,kp=0.29;此时εf=891,tanδ=0.046,Qm=110。 展开更多
关键词 无机非金属材料 bi1/2na1/2tio3-batio3 固溶体 电畴 弥散相变
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(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3BaTiO_3系无铅压电陶瓷工艺的研究 被引量:7
5
作者 许旱峤 施书哲 +2 位作者 吕忆农 马麦霞 刘云飞 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第2期54-57,共4页
详细探讨了在制备(Bi1/2Na1/2)TiO3 BaTiO3(abbr.BNBT)系无铅压电陶瓷的过程中,合成条件Ty和烧结温度Ts对材料压电介电性能的影响,确定了较好的制备BNBT系压电陶瓷的工艺条件,并且系统地研究了(1-x)·(Bi1/2Na1/2)TiO3 xBaTiO3(x=0... 详细探讨了在制备(Bi1/2Na1/2)TiO3 BaTiO3(abbr.BNBT)系无铅压电陶瓷的过程中,合成条件Ty和烧结温度Ts对材料压电介电性能的影响,确定了较好的制备BNBT系压电陶瓷的工艺条件,并且系统地研究了(1-x)·(Bi1/2Na1/2)TiO3 xBaTiO3(x=0 02、0 04、0 06、0 08、0 10)的性能。XRD结构分析发现系统的相界在x=0 06,此时d33等压电介电性能参数达到最佳值。 展开更多
关键词 (bi1/2na1/2)tio3-batio3 无铅压电陶瓷 制造工艺 烧结温度 合成条件
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三方相Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3的电子结构、Born有效电荷张量和Γ声子的第一性原理研究 被引量:1
6
作者 周树兰 赵显 +1 位作者 江向平 韩晓东 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2014年第1期12-16,共5页
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下,计算了三方相Na1/2Bi1/2TiO3的电子结构,并采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了其Born有效电荷张量和布里渊区中心Γ点的声子振动。电子结构和有效电荷的计算结果表明Ti-O和B... 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下,计算了三方相Na1/2Bi1/2TiO3的电子结构,并采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了其Born有效电荷张量和布里渊区中心Γ点的声子振动。电子结构和有效电荷的计算结果表明Ti-O和Bi-O键之间存在较强的共价作用;Ti、O和Bi的有效电荷值较大说明Ti、Bi和O之间的相对位移会产生自发极化,从而产生铁电性。对Γ点各振动模进行了指认,计算得到的振动频率与实验结果吻合的很好;同时分析了光学纵模(LO)和光学横模(TO)的分裂。结果表明,TiO6的LO-TO的分裂值较大,说明其振动与电场存在较强的耦合作用,且NBT铁电态对电场及域结构的敏感性与TiO6八面体的振动密切相关。 展开更多
关键词 电子结构 Born有效电荷张量 Γ声子 na1 2bi1 2tio3 第一性原理
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La_2O_3掺杂对(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3陶瓷性能与微结构的影响 被引量:1
7
作者 孟希敏 刘心宇 +1 位作者 周昌荣 黄有娟 《桂林电子科技大学学报》 2007年第1期51-55,共5页
采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响。结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒... 采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiO3(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响。结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒生长具有一定的抑制作用,线收缩率和相对密度增大。室温介电常数随着La2O3掺杂量的增加而增大。与不添加La2O3的陶瓷样品相比,添加少量La2O3可以使体系的弛豫特征更为明显。当掺杂量为0.1 wt%时,该体系陶瓷具有较好的综合性能:d33=160 pC/N,kp=0.322。当掺杂量达到0.5 wt%以后,陶瓷的压电性能严重降低。 展开更多
关键词 La2O3掺杂 无铅压电陶瓷 ((bi1/2na1/2)0.94Ba0.06tio3压电介电性能
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Na_(1/2)Bi_(1/2)TiO_3基无铅压电体系退极化行为 被引量:1
8
作者 朱满康 段成辉 +3 位作者 雷娜 宋雪梅 侯育冬 严辉 《真空电子技术》 2013年第4期6-12,共7页
本文总结了钛酸铋钠[Na1/2Bi1/2TiO3,BNT]的相变过程,特别是其低温下出现的退极化现象的研究现状。同时,对目前研究的NBT基复合体系的准同型相界及其退极化行为方面的研究进展进行了总结,归纳了关于影响退极化温度的机制的几种观点。
关键词 na1 2bi1 2tio3 无铅压电 退极化行为 bi基钙钛矿
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Bi_91/2)Na_(1/2)TiO_3无铅压电陶瓷的研究进展
9
作者 王海圣 江向平 +1 位作者 黄敏 吴坚强 《山东陶瓷》 CAS 2005年第2期10-15,共6页
近年来,随着环境保护和人类社会可持续发展的需求,作为环境友好的铁电压电陶瓷典型代表的Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷,已成为世界发达国家致力研发的热点材料之一。本文结合目前有关BNT基无铅压电陶瓷的报道,探讨了BNT压电瓷的... 近年来,随着环境保护和人类社会可持续发展的需求,作为环境友好的铁电压电陶瓷典型代表的Bi1/2Na1/2TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷,已成为世界发达国家致力研发的热点材料之一。本文结合目前有关BNT基无铅压电陶瓷的报道,探讨了BNT压电瓷的压电机理及其相变过程,着重介绍了BNT压电陶瓷制备工艺以及改性研究和目前的应用,并对BNT基无铅压电陶瓷未来的发展趋势作了展望。 展开更多
关键词 bi1/2na1/2tio3 无铅 压电陶瓷 压电机理 相变过程 软溶液工艺 改性
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Positive temperature coefficient of resistivity effects of semiconducting (Bi(1/2)Na(1/2)) TiO_3-CaTiO_3-BaTiO_3 ceramics sintered in air atmosphere
10
作者 马季 朱兴文 +3 位作者 张芳 徐琼 姜文中 周晓 《Journal of Shanghai University(English Edition)》 CAS 2010年第6期452-455,共4页
Y^3+-doped (Bi 1/2 Na 1/2) TiO 3-CaTiO 3-BaTiO 3 (BNCBT) positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) ceramics sintered in air atmosphere were investigated in this study. (Bi 1/2 Na 1/2) TiO 3 (BNT... Y^3+-doped (Bi 1/2 Na 1/2) TiO 3-CaTiO 3-BaTiO 3 (BNCBT) positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) ceramics sintered in air atmosphere were investigated in this study. (Bi 1/2 Na 1/2) TiO 3 (BNT) component can remarkably increase the onset temperature T c of PTCR ceramics with the expense of the resistivity R 25 increase. CaTiO 3 (9–27 mol%) component can decrease the resistivity, and adjust the effects of BNT phase on the T c point. For the sample containing 3 mol% CaTiO 3 , T c raises from 122 ℃ to 153 ℃ when only 0.6 mol% BNT added, while for the ones with higher CaTiO 3 content (9–27 mol%), T c is only increased by a rate of 8–9℃/1.0 mol% BNT. The effects of BNT and CaTiO 3 components on R25/Rmin (negative temperature coefficient effect) are also discussed. 展开更多
关键词 lead-free materials positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) bi 1/2 na 1/2 tio 3 Catio 3 negative temperature coefficient (NTC) effect
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(Bi_(1/2)Na_(1/2))_(1-x)Ba_xTiO_3系铁电陶瓷制备工艺研究 被引量:5
11
作者 孟林丽 肖定全 朱建国 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期483-486,共4页
采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶... 采用 XRD、SEM等分析技术 ,研究了制备工艺对 (Bi1 /2 Na1 /2 ) 1 - x Bax Ti O3(简称 BNBT)结构形成的影响 ,给出了温度和时间对该体系晶体结构形成的影响特征。研究结果表明 ,在适当温度及保温时间下 ,能获得全钙钛矿结构的 BNBT固溶体 ;在同样工艺条件下 。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 无铅压电陶瓷 制备工艺
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量子顺电体La_(1/2)Na_(1/2)TiO_3纳米晶的制备与谱学表征 被引量:1
12
作者 张伟风 张兴堂 +2 位作者 郭虹 方江邻 张明生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期515-518,共4页
用改进硬脂酸溶胶-凝胶法制备了量子顺电体La1/2Na1/2TiO3纳米晶,用差热-热重分析和X射线衍射测试了样品的晶化过程及物相结构。
关键词 钙钛矿型 量子顺电材料 La1/2na1/2tio3 纳米晶
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(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2无铅压电陶瓷的结构调控及其电学性能研究
13
作者 孙力 李若男 +5 位作者 陈维鑫 颜梦涵 樊震坤 杨东亮 李晓东 付鹏 《山东陶瓷》 CAS 2019年第1期8-12,共5页
采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量... 采用固相合成法和常压烧结法制备了(1-x)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)TiO_3-xSnO_2(BNBTS,x=0.00-0.04)粉体和陶瓷,采用XRD、SEM和电性能测试手段对BNBTS陶瓷结构、铁电性能、压电性能和介电性能进行了分析,结果发现,添加不同量的SnO_2的陶瓷样品都形成了单一的钙钛矿结构;SEM图片显示,随着Sn O_2的加入,晶粒尺寸减小,晶粒尺寸分布更均匀;电学性能测试结果表明,SnO_2的加入明显改变了BNBTS陶瓷的电学性能,随着x的增大,Pr先增大后减小,在x=0.03时,Pr达到最大值36.5μC/cm^2,但x在0.01到0.03之间变化时,剩余极化强度Pr变化不明显,而矫顽场Ec则呈减小趋势;压电常数d_(33)随着x的增大先增大后减小,在x=0.02时,达到最大值134μC/N;各样品具有典型铁电体所具有的"蝴蝶状"的双向应变曲线,随着SnO_2含量的增加,负向应变减小,正向应变变大。随着SnO_2的加入,BNBTS陶瓷的室温介电常数变大,并表现出弛豫特性,在x=0.03时BNBTS陶瓷室温下的介电常数达到最大值1143。 展开更多
关键词 (1-x)(na0.5bi0.5)0.94Ba0.06tio3-xSnO2无铅压电陶瓷 结构调控 介电性能 压电性能 铁电性能
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Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结研究 被引量:6
14
作者 李月明 宋婷婷 +3 位作者 尤源 胡元云 刘维良 唐春宝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1293-1297,共5页
采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na_2O-CaO-B_2O_3(NCB)氧化物的Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3(CLST)陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明:复合氧化物NCB掺杂量在1wt%~15... 采用传统陶瓷制备工艺,制备了掺杂Na_2O-CaO-B_2O_3(NCB)氧化物的Ca_(0.3)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.7)TiO_3(CLST)陶瓷,研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系.研究结果表明:复合氧化物NCB掺杂量在1wt%~15wt%范围内没有杂相生成,晶相仍呈斜方钙钛矿结构.随着NCB添加量的增加,陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低,介电常数ε~r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势,频率温度系数T_f向正方向增大.NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃.添加12.5wt%NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能:ε_r=73.7,Qf=1583GHz,T_f=140.1×10^(-6)/℃,满足高介多层微波器件的设计要求. 展开更多
关键词 C(0.)(Li1/2Sm1/2)0.7tio3 na2O-CaO-B2O3 低温烧结 微波介质陶瓷
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Nb2O5掺杂高温无铅(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷结构与电性能研究 被引量:8
15
作者 李燕燕 李国荣 +3 位作者 王天宝 郑嘹赢 冷森林 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期374-378,共5页
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、0.3mol%、0.5mol%、0.7mol%)掺杂(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷.对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减... 采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、0.3mol%、0.5mol%、0.7mol%)掺杂(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷.对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减小后增大,说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度.当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时,获得了居里温度Tc为183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω.cm、升阻比ρmax/ρmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷.通过交流复阻抗谱分析,探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理. 展开更多
关键词 PTCR 无铅 高居里温度 bi1/2na1/2tio3
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碱金属氧化物添加剂对(Mg_(1–x)Ca_x)TiO_3陶瓷微波性能的影响
16
作者 曾凤 周洪庆 +1 位作者 朱明康 谢文涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期6-9,共4页
采用固相反应法制备了(Mg1–xCax)TiO3微波介质陶瓷。探讨了复合添加Na2O和K2O对(Mg1–xCax)TiO3陶瓷烧结性能和介电性能的影响。结果表明:复合添加碱金属氧化物,陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3,同时,可以抑制中间相MgTi2O5的产生,有效... 采用固相反应法制备了(Mg1–xCax)TiO3微波介质陶瓷。探讨了复合添加Na2O和K2O对(Mg1–xCax)TiO3陶瓷烧结性能和介电性能的影响。结果表明:复合添加碱金属氧化物,陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3,同时,可以抑制中间相MgTi2O5的产生,有效降低陶瓷的烧结温度至1280℃。当Na2O和K2O添加总量为质量分数1.2%,且Na2O/K2O质量比为2∶1时,所制陶瓷介电性能最佳:εr=19.71,Q.f=3.59×104GHz(7.58 GHz),τf=–1.40×10–6/℃。 展开更多
关键词 (Mg1-xCax)tio3 na2O/K2O质量比 烧结性能 微波介电性能
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NBT-Ba(NbO3)2无铅压电陶瓷的压电介电性能 被引量:3
17
作者 孟希敏 刘心宇 周昌荣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期75-77,81,共4页
采用传统陶瓷制备方法,制备了一种新的(Na1/2Bi1/2)TiO3基无铅压电陶瓷(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-xBa(NbO3)2(摩尔分数x=0~1.4%)。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。SEM观察结果表... 采用传统陶瓷制备方法,制备了一种新的(Na1/2Bi1/2)TiO3基无铅压电陶瓷(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-xBa(NbO3)2(摩尔分数x=0~1.4%)。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。SEM观察结果表明,掺入Ba(NbO3)2促进了长条状晶粒的析出。不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征,且随着Ba(NbO3)x的增加,其弛豫性特征愈明显。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数女。随着x值的增加先增加后降低,在x=0.6%时,陶瓷的d33=94pC/N,kp=0.171,为所研究组成中的最大值,介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。 展开更多
关键词 (na1/2bi1/2)tio3 Ba(NbO3)2 无铅压电陶瓷 压电介电性能
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非化学计量和掺杂对(Na_(1/2)Bi_(1/2))_(0.92)Ba_(0.08)TiO_3陶瓷电性能的影响 被引量:30
18
作者 初宝进 李国荣 +2 位作者 殷庆瑞 张望重 陈大任 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期2012-2016,共5页
研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3的压电性能及去极化温度的影响 .研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能 ;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O3系压电陶瓷的相关规律 ... 研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3的压电性能及去极化温度的影响 .研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能 ;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O3系压电陶瓷的相关规律 ;由于非化学计量和掺杂会影响到A位离子对B位离子与氧离子形成的BO6 八面体的耦合作用 ,影响到畴的稳定性 ,从而影响到 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3陶瓷的去极化温度 ;所研究的陶瓷样品的去极化温度越低 ,压电系数越高 . 展开更多
关键词 (na1/2bi1/2)0.92Ba0.08tio3 无铅压电陶瓷 非化学计量 掺杂 电性能 无极化温度
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高温无铅BaTiO_3-(Bi_(1/2)Na_(1/2))TiO_3正温度系数电阻陶瓷阻抗和介电谱分析 被引量:3
19
作者 冷森林 石维 +1 位作者 龙禹 李国荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期266-271,共6页
采用固相反应法制备了Y2O3施主掺杂的92 mol%BaTiO3-8 mol%(Bi1/2Na1/2)TiO3(BBNT8)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coe?cient resistivity,PTCR)陶瓷.利用透射电镜观察材料的显微结构,发现陶瓷的显微结构主要包括晶粒和... 采用固相反应法制备了Y2O3施主掺杂的92 mol%BaTiO3-8 mol%(Bi1/2Na1/2)TiO3(BBNT8)高温无铅正温度系数电阻(positive temperature coe?cient resistivity,PTCR)陶瓷.利用透射电镜观察材料的显微结构,发现陶瓷的显微结构主要包括晶粒和晶界两部分,观察不到明显的壳层结构.进一步利用交流阻抗谱研究了陶瓷的宏观电学性能,发现陶瓷的总电阻是晶粒和晶界两部分的贡献,而晶粒电阻很小,在居里温度以上变化不大,材料的PTCR效应主要是晶界部分的贡献.当温度高于居里温度时,随着温度的升高,晶界介电常数逐渐减小,导致势垒增加,晶界电阻增大,从而产生正温度系数效应.最后,通过测试材料的介电频谱特性,研究计算了陶瓷的室温电阻率. 展开更多
关键词 无铅 Batio3-(bi1 2na1 2)tio3 正温度系数电阻 阻抗
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(Na_(1/2)Nd_(1/2))TiO_3陶瓷的晶体结构及微波介电性能 被引量:2
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作者 周岚 唐斌 +1 位作者 刘俊 张树人 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期16-18,28,共4页
通过固相烧结法制备了具有高介电常数的(Na1/2Nd1/2)TiO3微波介质陶瓷,研究了烧结温度对该陶瓷微观结构及微波介电性能的影响。结果表明,在烧结温度低于或等于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相为立方相的(Na1/2Nd1/2)TiO3;当烧结温度高于... 通过固相烧结法制备了具有高介电常数的(Na1/2Nd1/2)TiO3微波介质陶瓷,研究了烧结温度对该陶瓷微观结构及微波介电性能的影响。结果表明,在烧结温度低于或等于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相为立方相的(Na1/2Nd1/2)TiO3;当烧结温度高于1 350℃时,所制陶瓷样品的主晶相变为四方相的Nd0.667TiO3。陶瓷样品的相对介电常数和品质因数随着烧结温度的升高均先增大后减小,在烧结温度为1 300℃时所制陶瓷样品最为致密,并具有最佳的微波介电性能,εr=110.06,Q×f=8 147 GHz,τf=244.6×10–6/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 (na1/2Nd1/2)tio3 高介电常数 烧结温度 晶格常数 微波介电性能
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