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氧分压对PLD法生长Bi:YIG薄膜结构性能的影响
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作者 王娟娟 《吕梁学院学报》 2020年第2期47-49,共3页
钇铁石榴石(YIG)磁光纳米薄膜由于其独特的磁光性能,在光隔离器方面有很广泛的应用前景.鉴于YIG在使用中磁光性能较弱的局限性,采用脉冲激光淀积PLD法,在硅基底上单步淀积生长了Bi掺杂的Bi1.5Y1.5Fe5O12纳米磁光薄膜,从而可以改善YIG在... 钇铁石榴石(YIG)磁光纳米薄膜由于其独特的磁光性能,在光隔离器方面有很广泛的应用前景.鉴于YIG在使用中磁光性能较弱的局限性,采用脉冲激光淀积PLD法,在硅基底上单步淀积生长了Bi掺杂的Bi1.5Y1.5Fe5O12纳米磁光薄膜,从而可以改善YIG在磁光性能方面的不足.生长过程中,通过控制恒定温度300℃,氧分压分别设定为10mTorr,40mTorr,100mTorr下对淀积薄膜的物相结构进行了表征,发现氧分压太高时,生不成石榴石相;对低氧分压下生成的石榴石相结构的晶格常数和晶粒尺寸进行了对比,发现生长的晶体质量有明显的研究意义. 展开更多
关键词 bi1.5y1.5fe5o12纳米磁光薄膜 氧分压 物相结构
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