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α-Bi_2Mo_3O_(12)和γ-Bi_2MoO_6的水热合成及可见光催化性能 被引量:25
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作者 李红花 李坤威 汪浩 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第3期512-516,共5页
采用水热法经调控nBi/nMo比和pH值,制备了α-Bi2Mo3O12钠米板和γ-Bi2MoO6纳米片2种钼酸铋材料。结果表明:在低pH值和较高的钼浓度下可合成α-Bi2Mo3O12,高pH值和低的钼浓度导致了γ-Bi2MoO6的形成,并对其形成机理进行了探讨;光物理和... 采用水热法经调控nBi/nMo比和pH值,制备了α-Bi2Mo3O12钠米板和γ-Bi2MoO6纳米片2种钼酸铋材料。结果表明:在低pH值和较高的钼浓度下可合成α-Bi2Mo3O12,高pH值和低的钼浓度导致了γ-Bi2MoO6的形成,并对其形成机理进行了探讨;光物理和光催化性能研究表明,Aurivillius结构的γ-Bi2MoO6在可见光区有较强的吸收和较高的光催化性能,同时对影响2种钼酸铋光催化活性的因素进行了讨论。 展开更多
关键词 α-bi2mo3o12 γ-Bi2MoO6 水热合成 光催化 可见光
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Bi_2Mo_3O_(12)在苯酚-过氧化氢羟基化反应中的催化性能 被引量:3
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作者 石晓波 傅海萍 +1 位作者 李春根 汪德先 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期73-76,共4页
以硝酸铋和钼酸铵为原料,采用溶胶-凝胶法和微波加热技术制备了Bi2Mo3O12纳米微粒催化剂,使用XRD、TEM以及BET比表面测试等技术对催化剂进行了表征.研究了Bi2Mo3O12纳米微粒对苯酚-过氧化氢羟基化反应的催化活性,探讨了H2O2/phOH摩尔比... 以硝酸铋和钼酸铵为原料,采用溶胶-凝胶法和微波加热技术制备了Bi2Mo3O12纳米微粒催化剂,使用XRD、TEM以及BET比表面测试等技术对催化剂进行了表征.研究了Bi2Mo3O12纳米微粒对苯酚-过氧化氢羟基化反应的催化活性,探讨了H2O2/phOH摩尔比、反应介质、反应温度以及反应体系pH等对苯酚羟基化反应活性的影响.实验结果表明:所制备的样品为白钨矿型纳米微粒,粒子的比表面积为68.8m2/g,粒径约为12nm.在所选定的反应条件下,苯酚的转化率达50.3%,苯二酚的产率为49.9%. 展开更多
关键词 催化性能 bi2mo3o12纳米微粒催化剂 苯酚 过氧化氢 羟基化反应 苯二酚 生产工艺
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共沉淀法制备α-Bi_2Mo_3O_(12)和γ-Bi_2MoO_6及可见光催化性能 被引量:8
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作者 杜永芳 宋继梅 +2 位作者 王红 赵绍娟 胡海琴 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1500-1505,共6页
文章采用共沉淀法经调控pH值,在400℃煅烧下,制备了α-Bi2Mo3O12和γ-Bi2MoO62种钼酸铋材料,并对不同产物的形成机理进行了探讨,同时讨论了影响α-Bi2Mo3O12和γ-Bi2MoO62种钼酸铋光催化活性的因素。结果表明:当nBi/nMo=1∶2时,在低的pH... 文章采用共沉淀法经调控pH值,在400℃煅烧下,制备了α-Bi2Mo3O12和γ-Bi2MoO62种钼酸铋材料,并对不同产物的形成机理进行了探讨,同时讨论了影响α-Bi2Mo3O12和γ-Bi2MoO62种钼酸铋光催化活性的因素。结果表明:当nBi/nMo=1∶2时,在低的pH值(3和5)时产物为α-Bi2Mo3O12;pH=7时,产物为β-Bi2Mo2O9和γ-Bi2MoO6两相的混合物;pH=9时,产物为γ-Bi2MoO6。光催化性能研究表明,Aurivillius结构的γ-Bi2MoO6在可见光区有较强的吸收和较高的光催化性能。 展开更多
关键词 α-bi2mo3o12 γ-Bi2MoO6 共沉淀法 光催化
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低温热氧化法制备Bi_2Mo_3O_(12)介质薄膜
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作者 杨俊锋 丁明建 +1 位作者 冯毅龙 庄严 《广州化学》 CAS 2018年第3期24-29,共6页
通过直流磁控溅射法在Si/Si O_2/Pt基片表面沉积摩尔比为2∶3的Bi/Mo多层薄膜。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)数据表明,420~480℃可热氧化形成介质薄膜。420℃氧化,薄膜的物相... 通过直流磁控溅射法在Si/Si O_2/Pt基片表面沉积摩尔比为2∶3的Bi/Mo多层薄膜。系统研究了热氧化温度对上述薄膜的物相组成、微观形貌、介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)数据表明,420~480℃可热氧化形成介质薄膜。420℃氧化,薄膜的物相为Bi_2O_3、Mo O_3、Bi_2Mo O_6和Bi_2Mo_3O_(12);450℃和480℃氧化,薄膜的主相均为Bi_2Mo_3O_(12),另有少量Bi_2Mo O_6存在。扫描电镜(SEM)观察结果显示,薄膜在450℃即已致密、均匀。介电性能测试结果显示,480℃氧化的介质薄膜,具有较优的介电性能:1 k Hz测量,介电常数约15.6,介电损耗约0.65%;5.55 k V/mm电场强度下,漏电流密度约3.4×10^(-7) A/mm^2。考虑到Bi/Mo薄膜极低的成膜温度(480℃)及直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜较大的沉积速率(92 nm/min),直流磁控溅射Bi/Mo金属薄膜,然后热氧化成Bi_2Mo_3O_(12)介质薄膜,在工业上具有应用价值,有望应用于嵌入式薄膜电容器的制备。 展开更多
关键词 介电性能 薄膜 热氧化 bi2mo3o12
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