Bi_2MoO_6纳米薄膜的制备及其光电性能

采用非晶态配合物法在ITO导电玻璃上制备了Bi_2MoO_6薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、紫外-可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了Bi_2MoO_6薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系.结果表明,500℃、1h焙烧后的Bi_2MoO_6薄膜为γ- Bi_2MoO_6晶相,沿(131)晶面方向生长,薄膜厚度约为69 nm.随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长,Bi_2MoO_6薄膜的平均颗粒度增大,并且在525℃焙烧出现β-Bi_2MoO_6和γ'-Bi_2MoO_6晶相.Bi_2MoO_6薄膜具有可见光响应活性,在可见光照射下可以产生光电流,优化条件下的Bi_2MoO_6薄膜在400 nm的光电转换量子效率可以达到2.14%.薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响,可以通过控制薄膜的制备条件来提高薄膜的光电转换量子效率.

Bi_2MoO_6薄膜电极光电催化氧化处理氰化物的研究

本文采用非晶态配合物法及浸渍提拉法在导电玻璃基底上制备了Bi2MoO6薄膜电极,采用此电极在可见光(λ>420 nm)照射下进行了光电催化氧化处理氰化物的研究.通过场发射扫描电子显微镜和X射线衍射对电极的晶体结构进行了表征,发现导电玻璃基底上充分而平均地覆盖着黄色的纳米Bi2MoO6颗粒,形成了γ-Bi2MoO6相.在Bi2MoO6电极处理络合态氰化物Cu(CN)2-3实验中,总氰化物的去除率和Cu的回收率大致是随着电压的升高而增大,当电压为2.0 V,反应时间为120 min时,处理效果最好,剩余总氰化物和Cu的含量分别为30%和35%.破络合后的Cu2+一部分以Cu(Ⅱ)形式沉积在阳极上,一部分转化为Cu单质沉积在阴极上.在Bi2MoO6电极处理自由态氰化物NaCN实验中,总氰化物的去除率大致也是随着电压的升高而增大,当电压为2.0 V,反应时间为120 min时,剩余总氰化物含量为5%.