Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂对ZnO力学性能的影响

设计、制备了三个系列(不同Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂浓度)的ZnO基复合材料.力学性能测试的结果表明.Bi含量(2%,原子分数)保持不变,随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小,陶瓷致密度增大,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均增大;Sb含量(3%,原子分数)保持不变,随Bi含量的增大,由于基质ZnO晶粒增大、陶瓷致密度减小,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均减小.在设汁组成范围内材料的最佳力学性能约为:弹性模量114 GPa,弯曲模量115 GPa,抗弯强度120 MPa,断裂韧性1.87 MPa·m^(1/2).

Bi_2O_3掺杂对NiCuZn铁氧体材料磁性能的影响

采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体材料。基于低温共烧铁氧体(LTCF)技术的要求,研究了掺杂Bi2O3对NiCuZn铁氧体材料的微结构和电磁性能的影响。结果表明,采用溶胶-凝胶法制备的NiCuZn材料,通过掺杂Bi2O3助烧剂,880℃低温烧结4h,已经生成所要的尖晶石相铁氧体;SEM显示随着Bi2O3的加入,NiCuZn铁氧体晶粒逐渐变大,生长均匀。在磁性能方面,添加3wt%Bi2O3时饱和磁化强度达到了77.03 A·m2/kg。Bi2O3在促进NiCuZn铁氧体烧结的同时,增大了材料的磁导率。

氧化铋掺杂氧化铈纳米材料的合成及其导电性

本实验利用聚乙烯醇(PVA)为聚合剂进行了氧化铋掺杂氧化铈氧离子导电体合成与导电性研究。通过粉末X射线衍射对合成材料进行了相分析,并利用交流阻抗方法测试、分析了试样的导电性。研究结果表明,通过PVA的聚合作用能在较低温度下(500℃)有效地合成出高纯的氧化铈纳米晶固溶体;氧化铋掺杂量在5%-15%(摩尔含量)范围内时,氧化铈的氧离子导电性随掺杂量的增加而增大;选用适当的烧结升温/降温速度能获得晶粒小于100nm的块体材料,并能有效地提高材料的导电性。