V_2O_5含量对Bi_2O_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制配了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了Bi2O3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加Bi2O3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和品质因数。当添加0.3wt%Bi2O3、0.15wt%V2O5时,930℃烧结起始磁导率μi>800、品质因数(94)、密度(5.12g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂Bi2O3的NiCuZn材料明显提高。

V_2O_5含量对MoO_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni0.16Cu0.2Zn0.64O)1.02(Fe2O3)0.98铁氧体材料,研究了MoO3-V2O5复合添加对材料烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加MoO3-V2O5能促进样品致密化、提高起始磁导率和降低功耗。当MoO3为0.15wt%、V2O5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi>800)、功耗(305kW/m3)和密度(5.12g/cm3)都达到较大值,比同样配方只掺杂MoO3的NiCuZn材料明显提高。

V_2O_5含量对MoO_3-V_2O_5复合添加NiCuZn铁氧体性能的影响

用传统陶瓷工艺制备了(Ni_0.16Cu_0.2Zn_0.64O)1.02(Fe_2O_3)_0.98铁氧体材料,研究了MoO_3-V_2O_5复合添加对烧结特性和磁性能的影响。结果表明,复合添加MoO_3-V_2O_5能促进样品致密化,提高起始磁导率,并能降低功耗。当MoO_3为0.15wt%、V_2O_5为0.15wt%时,930℃烧结起始磁导率(μi>800)、功耗(305kW/m^3)、密度(5.12g/cm^3)都达到较大值。其值比同样配方只掺杂MoO_3的NiCuZn材料明显提高。

光催化剂Bi_2O_3-V_2O_5的催化活性及其正电子寿命谱研究

以2、4——二氯苯酚光催化降解为探针反应,比较了Bi2O3和Bi2O3—V2O5的光催化降解活性,并对其进行正电子湮没研究发现:Bi2O3—V2O5有较多的表面缺陷数目,缺陷位电子密度大,催化活性好;对不同焙烧温度下Bi2O3—V2O5的催化活性和正电子湮没进行研究分析,结果表明,在850℃下焙烧Bi2O3—V2O5的表面缺陷数目多,光催化活性好.

Co_2O_3或/和V_2O_5掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响

一定量的V2O5掺杂有利于NiZn铁氧体烧结温度的降低,且在一定范围内起始磁导率升高;而Co2O3掺于NiZn铁氧体,起始磁导率降低,但损耗特性可得到改善。我们采用Co2O3- V2O5复合掺杂,发现选择适当的配比,在起始磁导率没有大的下降的情况下,烧结温度和损耗特性等其他磁特性可得到较好的改善。

Mg_4Nb_2O_9/CaTiO_3复合陶瓷的微波介电性能

采用传统固相法制备Mg4Nb2O9/CaTiO3复合陶瓷,研究Li2CO3-V2O5(LV)共掺杂对其烧结特性、微观结构和微波介电性能的影响。实验结果表明:一定量的LV掺杂能够使Mg4Nb2O9/CaTiO3复合陶瓷的烧结温度降至1200℃;XRD和EDX综合分析表明,样品由(Mg4-xCax)Nb2O9/(Ca1-xMgx)TiO3两相所组成;陶瓷谐振频率温度系数趋近于零。含质量分数1.5%的LV,1200℃5、h烧结样品具有较好的微波介电性能:介电常数23.29,品质因数23460 GHz,谐振频率温度系数1.0×10-6℃-1,有望用作全球卫星定位系统微带天线基板材料。

Mg_4Nb_2O_9/SrTiO_3复合陶瓷的烧结特性和微波介电性能

制备Li_2CO_3-V_2O_5(LV)共掺杂0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷,研究了LV掺杂对其烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明:一定量LV掺杂使0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷生成了Sr(NbTi)O_(3+δ)和MgO杂相,并使其致密化烧结温度降低(至1175℃);1.5%LV掺杂,在1175℃烧结5 h的样品具有较高的微波介电性能:τ_f=0.15 ppm/℃,ε_τ=20.1,Q·f=10240 GHz(at 8.5 GHz)。

氮化钼与五氧化二钽复合电极性能的研究

在添加Ta2O5下,通过MoO3混合物与NH3反应制得氮化钼与五氧化二钽复合活性电极材料,运用XRD对复合活性电极材料进行了表征,采用循环伏安法对γ氮化钼及其复合电极进行电化学测量,研究成膜物质的结晶形态、表面形貌和对电容的影响。结果表明氮化钼与五氧化二钽复合电极成膜均匀,与基体附着性强,电容特征显著,具有良好的稳定性与重现性,而且明显改善电容器的大功率放电特性,添加Ta2O5可以使Mo2N的工作电位窗口拓宽0.40倍,相同条件下电容值增加0.50倍。

六角晶系铁氧体低温烧结的研究

介绍了片式电感用低温烧结铁氧体的现状及其发展趋势。用低温烧结六角晶系铁氧体制造的片式电感的使用频率(GHz范围)比用尖晶石铁氧体的(低于300MHz)要高,使得低温烧结六角晶系铁氧体更适于制造高频片式电感。为使铁氧体能与Ag电极共烧来制造片式电感,必须使铁氧体在较低的温度(950℃)以下烧结,实践证明通过复合添加CuO及Bi2O3是降低六角晶系铁氧体烧结温度的有效方法。