微波烧结法制备Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶瓷

研究了三元体系Bi2O3-ZnO-Ta2O5微波陶瓷的微波烧结情况,从烧结机理、陶瓷结构、显微形貌和介电性能等方面对微波烧结的样品和常规烧结样品进行了比较。实验结果表明,微波烧结大幅度缩短了烧结时间,并且很好地促进了Bi2O3-ZnO-Ta2O5陶瓷的致密化,制成的样品晶粒细小均一,且介电性能在一定程度上得到了优化。

Sr_2Bi_2O_5高掺杂BaTiO_3负温度系数热敏陶瓷的相组成与热稳定性能

研究了以100BaTiO3＋xSr2Bi2O5（10≤x≤70）为基本原料烧结的热敏陶瓷样品的组成、微观结构、Sr2Bi2O5掺杂量对其电阻的影响及老化性能。结果表明：在10≤x≤70的范围内，Sr2Bi2O5掺杂BaTiO3陶瓷样品由BaTiO3和Ba0.77Sr0.23TiO3及Sr0.74Bi1.26O2.63组成；Sr2Bi2O5掺杂的BaTiO3基陶瓷晶粒组织细小均匀，具有典型的NTC特征。BaTiO3基NTC热敏陶瓷在25～250℃范围内的电阻-温度具良好的线性关系，且稳定性好，其室温电阻随着掺杂量的增加而减小。

TiO_2添加对Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系介质材料结构和性能的影响

研究了添加不同含量的T iO2到-βB i2O3-ZnO-N b2O5(-βBZN)中,同时减少相应的B i2O3的含量对BZN介质材料结构和性能的影响。研究表明,T iO2添加到β-BZN中,材料的结构和性能都有很大的变化,主要表现在随着T iO2添加量的增加,材料的相结构发生了变化,由低对称的单斜焦绿石结构β相转变为高对称的立方焦绿石结构α相,因而材料在微波频段下的介电性能发生了较大的变化,介电常数比纯β-BZN有了显著提高,且随着T iO2含量的增加,介电常数先增加后减少,温度系数则由正温度系数转变为负温度系数。

Ti^(4+)取代Zn^(2+)、Nb^(5+)对Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系介质材料结构和性能的影响

研究了Ti4+ 取代Zn2 + 、Nb5+ 对Bi2 O3 ZnO Nb2 O5系介质材料结构和性能的影响。研究表明 ,少量替代对于材料的结构和性能没有太大的影响 ;随着替代量的增加 ,相结构中出现正交Bi4Ti3 O12 相 ;微观形貌中出现棒晶 ;介电常数逐渐增大 ,温度系数逐渐向负温度系数方向移动。适量Ti4+ 替代可以获得性能很好的NP0介质材料。

Bi_2O_3对TiO_2系压敏陶瓷性能的影响

采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其Ⅰ-Ⅴ特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度，研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明，Bi2O3的适当掺杂范围在0．3％-0．5％（摩尔分数）。其掺杂量的变化，可显著改变TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷的晶界电阻及势垒高度，进而对压敏陶瓷的电学非线性特性产生影响。当x（Bi2O3）为0．4％时，压敏陶瓷的Ⅴ1mA与α分别为40V／mm与6．2。

Y^(3+)取代Bi^(3+)的Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的结构与介电性

研究了Y^(3+)取代的Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5(BZN)基陶瓷(Bi_(1.5-x)Y_xZn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7(0≤x≤1.5,BYZN)的结构和介电性能。采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构,SEM分析样品的微观形貌。结果表明:BZN陶瓷的结构为立方焦绿石单相;当Y^(3+)取代量较少(0<x≤0.3)时,样品的相结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Y^(3+)取代量的进一步增加(x≥0.6),样品由立方焦绿石相向YNbO_4和ZnO复相过渡。同时,样品的介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化。

Na掺杂Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5基陶瓷的性能

采用固相反应法制备了(Bi2–xNax)(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Na+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷烧结性能、显微结构和介电性能的影响。替代后样品的烧结温度从960℃降至约880℃;当替代量x≤0.20时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,随替代量进一步增加出现立方相;温度为–30～+130℃,替代后样品出现明显的介电弛豫现象,弛豫过程中的激活能约为0.40eV。用缺陷偶极子和晶格畸变对Na掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷的介电弛豫现象作出简要解释。

Sn^(4+)替代Nb^(5+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)微波陶瓷,并借助XRD、SEM及LCR4284测试仪,研究了Sn4+取代Nb5+对BZN陶瓷显微结构和介电性能的影响。结果表明:随着Sn4+替代量的增加,微观形貌中出现棒晶;选取20～80℃,100 kHz时的εr计算,介电常数温度系数由205×10–6/℃逐渐减小到–240×10–6/℃;当替代量x(Sn4+)为0.16时,样品出现介电弛豫现象;随着测试频率的增加,介电弛豫峰向高温移动。

B_2O_3-P_2O_5-SiO_2系陶瓷的相组成和介电性能

讨论B2O3-P2O5-SiO2系低温共烧陶瓷的研究过程。该陶瓷用正交实验设计法安排试验,用单因素法设计陶瓷添加剂试验,用XRD分析其物相组成。从而获得了介电常数为4.1、介电损耗为5.0×10-4的低温共烧陶瓷。结果表明,该瓷料能满足1060℃共烧低介陶瓷的要求。

MoO_3掺杂Bi_(1.975)Li_(0.025)(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷的介电性能

采用固相反应法制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xMox)O7陶瓷,当Li+替代含量一定时,Mo6+掺杂后对陶瓷的相结构和介电性能的影响。研究结果:XRD分析表明在X≤0.05mol时(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xMox)O7具有单一的单斜体相;通过测量不同频率下的介电温谱(-30℃≤T≤130℃,102≤f≤105Hz),介电损耗出现明显的弛豫峰现象。

共掺对(Bi_(1.975)Li_(0.025))(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷的介电性能研究

本文采用固相反应法制备BZN微波陶瓷,并借助X射线、LCR4284测试仪研究了Li+取代一定量Bi3+时,Sn4+取代Nb5+对(Bi1.975Li0.025)(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:样品在取代的范围内仍然保持单斜相焦绿石,介电损耗都存在弛豫现象,从电导率可以看出,随着样品含量的增加,电导激活能逐渐减小。

Y^(3+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷显微结构和介电性能的影响

本文研究了Y3+替代Bi3+对Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,随着Y3+替代量的增加,Bi2O3-ZnO-Nb2O5系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化,当替代量x=0.2时,介电性最佳,介电常数为79.4094,介电损耗为0.002125。

Li-Sn共替代Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷的介电性能

采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了该现象。x为0.05、0.15、0.30和0.40时,样品的介电损耗峰值温度为78℃、7℃、36℃、83℃,比较了介电弛豫温区移动的差异及分析介电弛豫现象的不对称。

CuO-MnO_2-V_2O_5-Fe_2O_3系金属光泽釉的研究

采用四角配料法 ,以高铅生料釉为基础釉 ,外加CuO、MnO2 、V2 O5、Fe2 O3等金属氧化物 ,成功研制出适合快烧工艺的亮银色金属光泽釉 ,并得出了该系釉料出现金属光泽效果的区域图。通过DTA、XRD、高温显微镜等分析手段 ,对釉料的高温熔融性能及釉面呈现金属光泽的机理等进行了初步研究。

Co^(2+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响

研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料介电常数、介电损耗逐渐增大,样品的温度系数随掺杂量的增加而增大。

Er^(3+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度的影响

研究了Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明:经Er3+替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3+替代量的增加,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化;当替代量x=0.1时,介电性能最佳,介电常数为78.7165,介电损耗为0.00134。

Li-Zr共掺杂对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3–xZrx)O7陶瓷,研究了当Li+替代量一定时,Zr4+掺杂对陶瓷相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量0<x≤0.2时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,εr随x的增加而减小,tanδ随x的增加而增加;在–30～+130℃,观察到tanδ出现明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了这一现象。x为0.05,0.10,0.15和0.20时,样品的弛豫峰值温度分别为43,68,47和59℃。

Li-Ti共掺对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备(Bi1.975Li0.025)(Zn1/3Nb2/3-x/2Tix/2)2O7陶瓷,研究了当Li+的替代量一定时,不同量的Ti4+替代Nb5+对BLZNT系介质材料介电性能的影响。研究结果表明:在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225.35×10-6/℃逐渐增加到416.48×10-6/℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动。

CuO-MoO_3联合添加对BZT结构和性能的影响

研究了在三元系微波介质陶瓷B i2O3-ZnO-T a2O5的单斜类锆钙钛矿相化合物中添加不同量的CuO-M oO3的混合物对材料结构和微波介电性能的影响。研究发现,添加CuO-M oO3能有效地降低烧结温度约100°C,但是材料结构允许的添加范围很小,随着添加量增多,样品中出现第二相,介电性能和微波性能也随之恶化。添加量最少的1#样品仍然保持单斜类锆钙钛矿结构,品质因数Q值约为730,保持较好的介电性能。

微量Bi_2O_3对ZnVSnO基压敏陶瓷显微结构和电学非线性的影响

采用传统混合氧化物工艺在800℃经4小时烧结制备了0.01-0.2mol%Bi2O3掺杂的ZnO-V2O5-SnO2(ZnVSnO)基压敏陶瓷,采用电子天平、SEM、XRD和I-V测试仪研究了其密度、显微结构和电性能随Bi2O3含量的变化。结果表明:随Bi2O3含量升高,ZnVSnO基陶瓷密度变化不大,相对密度均超过了98%;样品均由ZnO主晶相和少量的Zn2SnO4、Bi2Sn2O7第二相组成,但平均晶粒直径从2.13μm降到1.54μm,样品的压敏场强和非线性系数随之升高。当Bi2O3掺杂量为0.2mol%时样品性能最优,其压敏场强、非线性系数和漏电流密度分别为2842V/mm、51.2和0.0925mA/cm2。