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n型Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3-y)Se_(y)基化合物的缺陷结构调控与电热输运性能
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作者 李睿英 罗婷婷 +6 位作者 李貌 陈硕 鄢永高 吴劲松 苏贤礼 张清杰 唐新峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期244-253,共10页
Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型... Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3-y)Se_(y)基化合物的缺陷演化过程及其对热电输运性能的影响规律.Sb和Se的固溶引入的带电伴生结构缺陷使得材料的载流子浓度发生了巨大变化,在Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(2.994)Cl_(0.006)样品中,Sb的固溶降低了反位缺陷Sb_(Te)_(2)形成能,诱导产生了反位缺陷Sb_(Te)_(2),使得少数载流子空穴浓度从2.09×10^(16)cm^(-3)增加至3.99×10^(17)cm^(-3),严重劣化了电性能.在Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.994-y)Se_(y)Cl_(0.006)样品中,Se的固溶使得Se(Te)_(2)+SbBi的缺陷形成能更低,抑制了反位缺陷Sb_(Te)_(2)的产生,Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.694)Se_(0.30)Cl_(0.006)样品的少数载流子空穴浓度降至1.49×10^(16)cm^(-3),消除了其对材料热电性能的劣化效果,显著地提升了材料的功率因子,室温下达到4.49 mW/(m·K^(2)).结合Sb和Se固溶增强合金化散射降低材料的热导率,Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.844)Se_(0.15)Cl_(0.006)样品在室温下获得最大ZT值为0.98.该研究为调控具有复杂成分的Bi_(2)Te_(3)基材料的点缺陷、载流子浓度和热电性能提供了重要的指导. 展开更多
关键词 bi2Te3基化合物 缺陷工程 热电性能
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展 被引量:8
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作者 吕莉 张敏 +2 位作者 杨立芹 羊新胜 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期7-12,共6页
拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化... 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 晶体生长 bi2se3
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Bi掺杂O3型NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)钠离子电池层状正极材料的制备与储钠性能 被引量:1
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作者 仇健 盛子墨 +1 位作者 马乾乾 袁涛 《有色金属材料与工程》 CAS 2024年第1期16-25,共10页
O3型NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)拥有高理论比容量且易于制备,是商业钠离子(Na+)电池的首选正极材料之一,但其循环稳定性仍面临挑战。利用Bi对NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)进行改性。研究发现,Bi的引入可以在晶粒生长过程中通过调节表面能实现... O3型NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)拥有高理论比容量且易于制备,是商业钠离子(Na+)电池的首选正极材料之一,但其循环稳定性仍面临挑战。利用Bi对NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)进行改性。研究发现,Bi的引入可以在晶粒生长过程中通过调节表面能实现晶粒细化,并且Bi的掺杂增加了层状正极材料的晶胞参数,为Na+提供了宽的扩散通道,提高了Na+的扩散能力,优化了Na^(+)在脱嵌过程中的可逆性。改性后的NaNi_(0.495)Mn_(0.5)Bi_(0.005)O_(2)实现了在2.0~4.0 V的电势区间内0.2 C倍率下的可逆容量为138.1 mAh/g,在5 C倍率下循环100圈后容量保持率可以达到97%。 展开更多
关键词 钠离子电池 层状氧化物正极 O3-NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2) bi掺杂
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水热合成Sb2Se3纳米线及其对Bi2Te3纳米粉末热电性能的影响 被引量:2
4
作者 张艳华 徐桂英 +3 位作者 郭志敏 韩菲 王泽 葛昌纯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期615-620,共6页
以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成... 以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征,实验结果表明保温时间达到24h时,获得产物为单相Sb2Se3纳米线晶体.根据实验结果还研究了水热合成Sb2Se3纳米线晶体可能的反应及生长机理,结果表明一维纳米线沿[001]方向生长,纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关.最后采用放电等离子体快速热压烧结法将水热合成的Bi2Te3纳米粉末与不同含量Sb2Se3纳米线进行复合,分析了Sb2Se3纳米线对Bi2Te3纳米材料热电性能的影响,发现复合约1at%Sb2Se3纳米线可以使Bi2Te3纳米材料热电性能有一定提高. 展开更多
关键词 水热合成 Sb2se3 纳米线 热电性能
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铈掺杂对α-Bi_(2)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂丙烯选择性氧化性能的影响
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作者 张鑫 杨艳艳 +3 位作者 周如金 许松泠 单书峰 曾兴业 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期145-150,共6页
采用快速微波辅助水热法制备了4种不同的Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂。在制备过程中通过调节铈的掺杂量可以改变合成催化剂的形貌和结构,成功地提高了Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂的比表面积。结果表明,煅烧温度... 采用快速微波辅助水热法制备了4种不同的Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂。在制备过程中通过调节铈的掺杂量可以改变合成催化剂的形貌和结构,成功地提高了Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂的比表面积。结果表明,煅烧温度为500℃、pH为3、掺杂量x=0.05时制备的Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂具有最高的丙烯选择性氧化性能,丙烯转化率为42.1%,丙烯醛选择性为88.3%。Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)纳米片催化剂的性能与结晶度呈负相关。用XPS表征了Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)的氧迁移率,Bi_(2-x)Ce_(x)Mo_(3)O_(12)的催化性能与其氧流动性呈正相关。 展开更多
关键词 bi2-xCexMo3O12 丙烯 丙烯醛
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)热压合金微观结构和电学性能相关性研究 被引量:3
6
作者 吕强 胡建民 +1 位作者 信江波 荣剑英 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期584-588,共5页
通过熔炼 研磨制备N型(Bi2Te3)0 90(Sb2Te3)0 05(Sb2Se3)0 05热电材料的粉末,热压制备混合粉末热压合金。通过SEM和XRD研究热压合金的微观结构,在室温测量热压合金样品的电学性能。结果表明热压合金在微观结构和电学性能上存在各向异性... 通过熔炼 研磨制备N型(Bi2Te3)0 90(Sb2Te3)0 05(Sb2Se3)0 05热电材料的粉末,热压制备混合粉末热压合金。通过SEM和XRD研究热压合金的微观结构,在室温测量热压合金样品的电学性能。结果表明热压合金在微观结构和电学性能上存在各向异性,从而预示能够在增强材料机械强度的同时提高其热电性能。 展开更多
关键词 合金 混合粉末 熔炼 热压 微观结构 研磨 电学性能 bi2TE3 热电材料 热电性能
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Bi_2Se_3纳米片的制备及表征 被引量:1
7
作者 刘丽君 向卫东 +3 位作者 钟家松 杨昕宇 梁晓娟 刘海涛 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期524-529,共6页
以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),... 以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等方法对所得产物的物相结构及形貌进行了表征。结果表明在不同溶剂中所得产物均为纯六方相Bi2Se3纳米片,产物的尺寸及形貌随溶剂变化虽有所不同,但总体为片状形貌,并阐明了片状形貌Bi2Se3的形成与其内部特殊的层状结构密切相关。 展开更多
关键词 bi2se3 纳米片 溶剂热 合成 表征
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)熔炼冷压烧结材料的制备及其热电性能的研究 被引量:1
8
作者 王月媛 胡建民 +2 位作者 信江波 吕强 荣剑英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期655-659,共5页
本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能... 本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能沿垂直于冷压压力方向存在优化取向。 展开更多
关键词 (bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2se3)0.05 热电材料 冷压烧结
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n型Bi_2Te_(3-y)Se_y温差电材料薄膜的电化学制备及表征 被引量:4
9
作者 王为 卜路霞 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第2期228-232,共5页
采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系,考察了不同沉积电位对电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的温差电性能的影响,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄... 采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系,考察了不同沉积电位对电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的温差电性能的影响,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了分析。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的电沉积溶液中,采用电化学沉积的方法,可实现铋、碲、硒三元共沉积,生成Bi2Te3-ySey半导体化合物。改变电沉积溶液组成,可控制Bi2Te3-ySey化合物中硒的掺杂浓度。-0.04V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密,组成为Bi2Te2.7Se0.3。退火处理可提高电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数,且控制沉积电位为-0.04V下制备的Bi2Te3-ySey薄膜退火后的塞贝克系数为-123μV·K-1。 展开更多
关键词 bi2Te3-se化合物 电沉积 温差电材料薄膜
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Na、Ga共掺杂对n型Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)电热输运性能的影响 被引量:1
10
作者 段兴凯 胡孔刚 +2 位作者 丁时锋 满达虎 金海霞 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期26-30,共5页
采用真空熔炼及热压烧结方法制备了Na和Ga共掺杂n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD结果表明,Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的XRD图谱与Bi2Te2.7Se0.3的图谱对应一致。通过EDAX技术对Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的成分进行... 采用真空熔炼及热压烧结方法制备了Na和Ga共掺杂n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD结果表明,Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的XRD图谱与Bi2Te2.7Se0.3的图谱对应一致。通过EDAX技术对Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3块体材料的成分进行了分析,无氧化现象。在298~523K温度范围内,在垂直于热压方向对样品的电热输运性能进行了测试分析,结果表明Na和Ga共掺杂可以有效地提高Bi2Te2.7Se0.3的载流子浓度,从而使电导率得到明显改善,但同时Seebeck系数有不同程度的损失。由于晶格热导率减小,Na掺杂及共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3(x=0.04)均使热导率降低。当Na掺杂浓度为0.04时,随着Ga掺杂浓度的增加,热导率呈现递增的现象,Na和Ga共掺杂样品Na0.04Bi1.96-xGaxTe2.7Se0.3(x=0.04)的热电优值获得了较明显的提高,在398K时的最大ZT值为0.75。 展开更多
关键词 共掺杂 bi2Te2.7se0.3 电输运性能 热输运性能
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急冷甩带对Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料微观结构与电性能的影响 被引量:1
11
作者 魏少红 王忠 +1 位作者 陈晖 褚颖 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期534-537,共4页
采用急冷甩带法和放电等离子体烧结(SPS)制备得到了块体Bi2Te2.7Se0.3热电材料,在室温下测量其热电性能,Seebeck系数最高达到-139.33μV.K-1,功率因子也有所提高,最大值1.71×103W.m-.1K-2,计算得到最大热电优值0.421。材料经急冷... 采用急冷甩带法和放电等离子体烧结(SPS)制备得到了块体Bi2Te2.7Se0.3热电材料,在室温下测量其热电性能,Seebeck系数最高达到-139.33μV.K-1,功率因子也有所提高,最大值1.71×103W.m-.1K-2,计算得到最大热电优值0.421。材料经急冷甩带后,微观组织结构发生变化,内部缺陷增多,晶粒细化,改变了载流子的散射机制,增强了声子散射。虽然电导率有一定程度减小,但Seebeck系数增大,热导率减小,提高了热电性能。 展开更多
关键词 急冷甩带法 bi2Te2.7se0.3 放电等离子体烧结 热电材料
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少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和光学性质理论研究
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作者 李中军 王安健 +4 位作者 赵伟 王健越 陈实 李国祥 仇怀利 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第9期1280-1283,共4页
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是... 文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是当薄膜厚度减小到2QL和1QL时,由于量子限域效应,体电子态和表面电子态的能隙都明显增大,导致体电子态和表面电子态发生分离,这种分离有利于制备基于1QL和2QL的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的自旋电子器件。光吸收系数的计算发现,厚度为5QL、4QL、3QL的薄膜在红外区有1个吸收主峰,吸收边远超出了红外区;当厚度减小到2QL和1QL时,吸收边发生明显蓝移,红外区的吸收峰蓝移且强度明显减小,这表明3QL以上的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜更适合制备红外光探测器件。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 少层bi 2se 3薄膜 拓扑表面态 量子限域效应 光吸收谱
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Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)异质结的构筑及其光催化合成H_(2)O_(2)性能研究
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作者 高美超 孙兆楠 +2 位作者 巩云云 于光龙 冯媛媛 《聊城大学学报(自然科学版)》 2024年第6期39-48,共10页
通过燃烧法和水热法制备了一种新型的S型异质结催化剂Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)。采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见漫反射光谱对所得样品进行了表征和测试。通过光催化实验和光电化学测试,表征... 通过燃烧法和水热法制备了一种新型的S型异质结催化剂Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)。采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见漫反射光谱对所得样品进行了表征和测试。通过光催化实验和光电化学测试,表征了样品的光催化合成H_(2)O_(2)性能,提出了光催化反应机理。结果表明随着水热温度的升高,样品中Bi_(2)O_(2)(OH)Cl的含量越高,当水热温度为120℃时,复合材料表现出最佳的光催化活性。在模拟太阳光照射下,H_(2)O_(2)的生成效率达到571.43μmol·h^(-1)·g^(-1),分别是Bi/Bi_(2)O_(3)和Bi_(2)O_(2)(OH)Cl的47.8倍和3.6倍。其高效的光催化性能归因于复合材料中异质结界面电场的形成,提高了光生电子-空穴的分离效率。自由基淬灭实验表明Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)光催化生成H_(2)O_(2)反应的主要活性物种为超氧自由基和单线态氧。 展开更多
关键词 bi_(2)O_(2)(OH)Cl/bi/bi_(2)O_(3) 异质结 光催化 双氧水
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Bi掺杂Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(2)F正极材料的制备及电化学性能
14
作者 陈仟惠 卢秋影 +4 位作者 李仁才 欧盈君 黄蔚欣 李华锋 龚福忠 《化工技术与开发》 CAS 2024年第9期37-41,共5页
本文引入离子半径较大的Bi^(3+)作为Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(2)F_(3)中V位的掺杂物,同时协同碳包覆的改性作用,采用溶胶-凝胶法合成了Na_(3)V_(1.95)Bi_(0.05)(PO_(4))_(2)F_(3)/C聚阴离子型正极材料。电化学测量结果表明,在电压范围为2.3... 本文引入离子半径较大的Bi^(3+)作为Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(2)F_(3)中V位的掺杂物,同时协同碳包覆的改性作用,采用溶胶-凝胶法合成了Na_(3)V_(1.95)Bi_(0.05)(PO_(4))_(2)F_(3)/C聚阴离子型正极材料。电化学测量结果表明,在电压范围为2.3~4.3V、电流密度为0.1A·g^(-1)的条件下充放电时,Na_(3)V_(1.95)Bi_(0.05)(PO_(4))_(2)F_(3)/C材料的初始充/放电比容量为107.4/102.3 mAh·g^(-1),初始库伦效率为95%。在0.1、0.2、0.5、1.0、0.1 A·g^(-1)的电流密度下进行交替循环充放电时,材料的放电比容量分别为102.3、96.0、91.4、85.6、96.5 mAh·g^(-1),表现出良好的倍率性能。与未掺杂的Na_(3)V_(2)(PO_(4))_(2)F_(3)相比,Na_(3)V_(1.95)Bi_(0.05)(PO_(4))_(2)F_(3)/C的比容量提高了约20%。 展开更多
关键词 氟磷酸钒钠 铋掺杂 溶胶-凝胶法 正极材料 比容量
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BiOI/g-C_(3)N_(4)/NH_(2)-MIL-53(Fe)三元异质结光催化剂的合成与性能研究
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作者 何林 吴敏 《化工时刊》 CAS 2024年第3期15-22,共8页
半导体光催化技术是解决能源危机和环境污染的有效手段。作者采用一步溶剂热法制备了Bi OI/g-C_(3)N_(4)/NH_(2)-MIL-53(Fe)三元异质结催化剂。以X射线衍射、扫描电子显微镜等表征方法对样品进行分析,以双酚S为目标污染物考察了催化剂... 半导体光催化技术是解决能源危机和环境污染的有效手段。作者采用一步溶剂热法制备了Bi OI/g-C_(3)N_(4)/NH_(2)-MIL-53(Fe)三元异质结催化剂。以X射线衍射、扫描电子显微镜等表征方法对样品进行分析,以双酚S为目标污染物考察了催化剂的光催化性能,以自由基捕获实验得出·OH、h^(+)和·O_(2)^(-)在降解过程中均发挥强氧化作用,并基于催化剂光芬顿性能研究以及半导体能带结构,提出其催化光芬顿反应的可能的机理。 展开更多
关键词 bi OI g-C_(3)N_(4) NH_(2)-MIL-53(Fe) 光芬顿法
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A2Se3(A=Bi,Sb)纳米结构及其热电性质研究
16
作者 宋春燕 张建军 +2 位作者 周龙 杨宁选 王雪燕 《纳米科技》 2014年第4期74-77,共4页
在固态制冷和发电机设备应用领域中,A2Se3(A=Bi,Sb)基化合物是非常有前景的热电材料。文章在回顾近年在温和环境下合成A2Se3(A=Bi,Sb)基低维纳米晶的基础上,简要阐述了热电材料国内外研究现状,指出获得Bi2Se/Sb2Se。复合纳米... 在固态制冷和发电机设备应用领域中,A2Se3(A=Bi,Sb)基化合物是非常有前景的热电材料。文章在回顾近年在温和环境下合成A2Se3(A=Bi,Sb)基低维纳米晶的基础上,简要阐述了热电材料国内外研究现状,指出获得Bi2Se/Sb2Se。复合纳米材料和稀土元素及三价离子掺杂A2Se3(A=Bi,Sb)纳米晶体是未来热电材料发展的主要方向。 展开更多
关键词 A2se3(A=bi Sb) 纳米结构 热电性质 复合和掺杂
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不锈钢与金基体上电沉积Bi_2Te_(3-y)Se_y薄膜
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作者 卜路霞 王为 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期937-939,共3页
采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。通过环境扫描电子显微镜(ESEM)、能量散射光谱(EDS)、X射线衍射光谱法(XRD)等方法,研究了不同基体对Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜形貌、组成及结构的影响。结果... 采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。通过环境扫描电子显微镜(ESEM)、能量散射光谱(EDS)、X射线衍射光谱法(XRD)等方法,研究了不同基体对Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜形貌、组成及结构的影响。结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的溶液中,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。以金为基体电沉积的Bi2Te3-ySey薄膜的表面较平整、致密。在-0.04V沉积电位下,以不锈钢和金为基体电沉积Bi2Te3-ySey薄膜组成分别为Bi2Te2.39Se0.77和Bi2Te2.45Se0.85,且在不锈钢上电沉积制备的Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数更高,为-60mV/K。 展开更多
关键词 bi2Te3-ysey化合物 电沉积 温差电材料薄膜 形貌
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Interface and energy band manipulation of Bi2O3-Bi2S3 electrode enabling advanced magnesium-ion storage
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作者 Qiang Tang Yingze Song +4 位作者 Xuan Cao Cheng Yang Dong Wang Tingting Qin Wei Zhang 《Journal of Magnesium and Alloys》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期3543-3552,共10页
Rechargeable magnesium-ion(Mg-ion)batteries have attracted wide attention for energy storage.However,magnesium anode is still limited by the irreversible Mg plating/stripping procedure.Herein,a well-designed binary Bi... Rechargeable magnesium-ion(Mg-ion)batteries have attracted wide attention for energy storage.However,magnesium anode is still limited by the irreversible Mg plating/stripping procedure.Herein,a well-designed binary Bi_(2)O_(3)-Bi_(2)S_(3)(BO-BS)heterostructure is fulfilled by virtue of the cooperative interface and energy band engineering targeted fast Mg-ion storage.The built-in electronic field resulting from the asymmetrical electron distribution at the interface of electron-rich S center at Bi_(2)S_(3) side and electron-poor O center at Bi_(2)O_(3) side effectively accelerates the electrochemical reaction kinetics in the Mg-ion battery system.Moreover,the as-designed heterogenous interface also benefits to maintaining the electrode integrity.With these advantages,the BO-BS electrode displays a remarkable capacity of 150.36 mAh g^(−1) at 0.67 A g^(-1) and a superior cycling stability.This investigation would offer novel insights into the rational design of functional heterogenous electrode materials targeted the fast reaction kinetics for energy storage systems. 展开更多
关键词 Magnesium-ion battery bi2O3-bi2S3 heterostructure Interface and energy band engineering Electrochemical reaction kinetics Electrode integrity
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非稀土激活耐高温蓝紫色Zn_(3)B_(2)O_(6)∶Bi^(3+)荧光粉的发光特性研究
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作者 绳星星 吕锦彬 肖峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第2期322-328,共7页
完全人工光控植物生长技术的快速发展对光源的要求精益求精,发光强度高、热稳定性良好的蓝紫色荧光粉是植物生长的关键材料。本文采用固相法合成了非稀土Bi^(3+)激活耐高温蓝紫色Zn_(3)B_(2)O_(6)∶xBi^(3+)(0≤x≤0.03)荧光粉。X射线... 完全人工光控植物生长技术的快速发展对光源的要求精益求精,发光强度高、热稳定性良好的蓝紫色荧光粉是植物生长的关键材料。本文采用固相法合成了非稀土Bi^(3+)激活耐高温蓝紫色Zn_(3)B_(2)O_(6)∶xBi^(3+)(0≤x≤0.03)荧光粉。X射线衍射和能谱分析结果表明Bi^(3+)成功进入Zn_(3)B_(2)O_(6)基质晶格。荧光光谱观察到Zn_(3)B_(2)O_(6)∶xBi^(3+)荧光粉在430 nm(3P1~1S0)处呈现窄带蓝紫光,半峰全宽仅为56 nm,最佳Bi3+掺杂浓度为0.02。依据激发光谱峰形和寿命衰减行为,证明了Bi^(3+)在Zn_(3)B_(2)O_(6)基质中仅占据Zn格位。另外,Zn_(3)B_(2)O_(6)∶0.02Bi3+荧光粉发射光谱在423 K下的发射峰强和积分面积均为室温下的85%,表明该样品具有优良的热稳定性和潜在的高温器件应用。Zn_(3)B_(2)O_(6)∶0.02Bi^(3+)的发射光谱分别占叶绿素a/b吸收光谱(370~525 nm)的70.4%和84.6%,表明该合成蓝紫色荧光粉在植物生长领域的潜在应用。 展开更多
关键词 Zn_(3)B_(2)O_(6) 热稳定性 蓝紫色荧光粉 bi^(3+) 发光材料 植物生长
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Bi_2(Te_(1-x)Se_x)_3单晶的生长研究
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作者 巢毅敏 巢忠德 《江苏石油化工学院学报》 1997年第2期28-32,共5页
本工作研究了Bi-Te-Se三元相在富Bi2Te3区的相图。测定了Bi2Te3和Bi2Se3从550℃到它们的熔点范围内的等浓度线,用移动加热器(THM)法生长Bi2(Te1-xSex)3(x=0.025和x=0.05)。用霍尔(Hall)效应测定这些化合物在富Te区的固... 本工作研究了Bi-Te-Se三元相在富Bi2Te3区的相图。测定了Bi2Te3和Bi2Se3从550℃到它们的熔点范围内的等浓度线,用移动加热器(THM)法生长Bi2(Te1-xSex)3(x=0.025和x=0.05)。用霍尔(Hall)效应测定这些化合物在富Te区的固线,本研究表明,可再生法生长热力学定义的单晶是可能的。 展开更多
关键词 晶体生长 相平衡 电性能 bi2Te3晶体
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