镉掺杂Bi_2VO_(5．5)的结构、相变、电导性能的研究

通过X射线衍射,DSC和交流阻抗等测试方法研究了镉掺杂Bi_2VO_(5.5)的结构,相变和电性能。由于Cd^(2+)的半径与V^(5+)和Bi^(3+)的半径都比较接近,所以在合成BICDVOX体系时假设了两种模型:Bi_2V_(1-x)Cd_xO_(5.5-3/2x)(x=0.05,0.075,0.10,0.125,0.15)和Bi_(2-x)VCd_xO_(5.5-1/2x)(x=0.10,0.20)。XRD和DSC分析表明了这两种模型可能同时存在。根据交流阻抗谱的结果,当x=0.10时,具有较高的电导率,这归因于此成分使高电导的四方相可以稳定到室温。

不同衬底生长Bi_2VO_(5.5)薄膜及性能研究

用溶胶-凝胶法分别在LNO/Si(100)和ITO/glass衬底上成功制备了Bi2VO5.5(BVO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构和表面形貌。结果表明,两种衬底上生长的BVO薄膜均具有(001)择优取回的单一相结构,晶粒大小均匀,结晶度良好。BVO薄膜介电特性的分析表明,1kHz～1MHz频率范围内,BVO薄膜在ITO衬底上表现出更稳定的介电特性,这主要归因于薄膜择优取向程度、晶粒大小和晶界特点的影响。两种衬底上BVO薄膜中的驰豫过程属于多分散系统的德拜驰豫。BVO薄膜的拉曼光谱研究表明薄膜结构几乎不受衬底影响。