V掺杂对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)层状结构铁电陶瓷电性能的影响

用高温固相烧结法制备了V5+掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)层状结构铁电陶瓷。利用XRD对Bi3.25La0.75Ti3-xVxO12+x/2(BLTV-x)材料结构进行了晶相分析,结果表明所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构。样品的介电常数温度谱显示:V5+掺杂提高了材料的介电常数,x=0.03时介电常数最大,但样品的居里温度并没有发生大的变化。样品的介电损耗谱表明:由于V5+掺入,由氧空位引起的样品介电损耗被极大的压制,在x=0.06时损耗最小。通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合,分析了样品的导电机理,结果显示V5+的掺杂大大降低了材料中氧空位的浓度,使得陶瓷样品的电性能得到了很好的改善。