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Lotus-stalk Bi4Ge3O12 as binder-free anode for lithium and sodium ion batteries 被引量:2
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作者 Jianlong Xu Wei Wei +2 位作者 Xu Zhang Lei Liang Maotian Xu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2019年第6期1341-1345,共5页
Alloyed-type anode materials with high-energy density for lithium and sodium ion batteries attracted much attention of the researchers. However, substantial volume expansion of these materials in the devices during re... Alloyed-type anode materials with high-energy density for lithium and sodium ion batteries attracted much attention of the researchers. However, substantial volume expansion of these materials in the devices during repeated electrochemical process leads to fast capacity fading and hinders their further practical application. Nanotechnology could act as a useful tool to effectively address the issue. Herein, lotus-stalk Bi4Ge3O12 nanosheets vertically grown on the nickel foam (denoted as Bi4Ge3O12 NSs@NF) were prepared via a straight-forward solvothermal method. Benefiting from their three dimensional (3D) conductive framework and two dimensional (2D) lotus-stalk Bi4Ge3O12 nanosheet structure, as anode materials of lithium-ion batteries (LIBs) and sodium-ion batteries (NIBs), the electrochemical performances of Bi4Ge3O12 NSs@NF were greatly enhanced as a result of mitigating the huge volume variations during cycles. The Bi4Ge3O12 NSs@NF electrodes delivered a high reversible capacity of 1033.1 mAh/g for the first cycle and exhibited 68.6%capacity retention of after 88 cycles at 0.10 A/g in the voltage window of 0.01~3.0 V versus Li/Li+. In the test of NIBs, the lotus-stalk Bi4Ge3O12 composite electrodes still stored Na+as high as 332.3 mAh/g at 0.10 A/g over 100 sodiation/desodiation repeating cycles. 展开更多
关键词 bi4ge3o12 NANOSHEETS LITHIUM-ION battery Sodium-ion BATTER ANODE
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基于BGO晶体的反射型法拉第光纤电流传感器 被引量:10
2
作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 赵建林 卫沛锋 张鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1186-1190,共5页
采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验... 采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验测量得到的法拉第转角与采用倍频法测量的结果符合较好,但与实际结果存在一较大比例系数.对产生该系统误差的主要因素——传感头端面金属膜反射引起的相移及入射角偏离临界角时产生的相移进行了详细地理论分析和数值模拟.结果表明,金属膜反射和偏离临界角引起的相移对测量结果均有较大影响,但输出与作用在传感头上的磁感应强度呈很好的线性关系,可以通过将传感器的测量值乘上一个补偿系数来消除反射相移所产生的误差. 展开更多
关键词 光纤电流传感器 bi4ge3o12(BGO)晶体 法拉第效应 反射相移
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用于光纤电流传感器的BGO晶体磁光特性研究 被引量:5
3
作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 张鹏 赵建林 张浩 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期100-104,共5页
在理论分析Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果·同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁... 在理论分析Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果·同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁光优值曲线·进而将BGO晶体的磁光特性与光纤电流传感器常用的几种磁光材料作了对比,结果表明BGO晶体适合用于光纤电流传感器· 展开更多
关键词 bi4ge3o12晶体 费尔德常量 磁光优值 光纤电流传感器
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红色Bi_4Ge_3O_(12)晶体在低温下的发光性能 被引量:1
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作者 俞平胜 苏良碧 +1 位作者 王庆国 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期828-832,共5页
用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度... 用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度随温度降低而增强,衰减时间为几百μs。 展开更多
关键词 红色bi4ge3o12 低温 发光
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掺杂的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的近红外发光性能 被引量:1
5
作者 俞平胜 苏良碧 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期283-287,共5页
生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯... 生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。 展开更多
关键词 bi4ge3o12 光致发光 近红外
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退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响
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作者 俞平胜 苏良碧 +4 位作者 唐慧丽 郭鑫 赵衡煜 杨秋红 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期825-829,共5页
通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火... 通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。 展开更多
关键词 W∶bi4ge3o12 Bi12GeO20 光致发光 退火
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Bi_4Ge_3O_(12):TR(TR=Pr,Eu,Ce)晶体的吸收和发光光谱
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作者 刘建成 殷之文 +1 位作者 胡关钦 冯锡淇 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期331-337,共7页
测量了Bi_4Ge_3O_(12)(BGO):Pr、Eu和Ce的吸收、激发和发光光谱。掺杂BGO吸收和激发带相应于pr^(3+)、Eu^(3+)和Ce^(3+)离子特征跃迁。Xe灯中不同波长激发所得到掺杂BGO的发光光谱可通过Bi^(3+)心和掺杂材料之间能量传输过程加以解释。B... 测量了Bi_4Ge_3O_(12)(BGO):Pr、Eu和Ce的吸收、激发和发光光谱。掺杂BGO吸收和激发带相应于pr^(3+)、Eu^(3+)和Ce^(3+)离子特征跃迁。Xe灯中不同波长激发所得到掺杂BGO的发光光谱可通过Bi^(3+)心和掺杂材料之间能量传输过程加以解释。Bi^(3+)心400—600mm发射强度因受到Ce杂质影响变弱,这现象在高Ce浓度晶体里更为显著。 展开更多
关键词 bi4ge3o12:TR 晶体 发光光谱
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Bi_4Si_3O_(12)-Bi_4Ge_3O_(12)赝二元系统析晶行为及其晶体生长 被引量:2
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作者 杨波波 徐家跃 +3 位作者 申慧 张彦 陆宝亮 江国健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期13-16,共4页
本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0~0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0~0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互... 本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0~0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0~0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长。采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能。 展开更多
关键词 Bi4Si3O12-bi4ge3o12 析晶行为 坩埚下降法 晶体生长.
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下降法生长Bi_4Ge_3O_(12)大尺寸单晶中散射芯的形成和消除
9
作者 肖海斌 胡关钦 +1 位作者 王绍华 徐力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期135-139,共5页
本文报道了以Bi2 O3 和GeO2 粉末为原料 ,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象。借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究 ,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成。分析了散射芯产生的原因 。
关键词 下降法 bi4ge3o12 大尺寸单晶 散射芯 形成 消除 BRIDGMAN法 宏观缺陷 晶体生长 BGO晶体
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生长温度梯度对Bi_4Ge_3O_(12)晶体辐照损伤的影响
10
作者 肖海斌 胡关钦 徐力 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期470-474,共5页
研究了两类不同条件下生长的Bi_4Ge_3O_(12)晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20%以上),能量分辨率也明显变差(改变5%以上).而第二类晶体(低... 研究了两类不同条件下生长的Bi_4Ge_3O_(12)晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20%以上),能量分辨率也明显变差(改变5%以上).而第二类晶体(低温度梯度生长)经紫外辐照后,其透射谱以及能量分辨率基本不变.从晶体缺陷角度讨论了造成两类不同晶体抗辐照性能存在差别的原因. 展开更多
关键词 bi4ge3o12晶体 温度梯度 辐照损伤 能量分辩率
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Eu^(3+)、Pr^(3+)、Nd^(3+)、Er^(3+)掺杂锗酸铋晶体的荧光光谱 被引量:2
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作者 王亚芳 张昊 +1 位作者 吴星艳 吴正龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期862-866,共5页
本文分别测量了四种稀土离子(Eu3+、Pr3+、Nd3+、Er3+)掺杂BGO晶体的荧光光谱,并对晶体的发光机制进行了分析。结果表明,掺杂稀土元素的离子半径是影响BGO晶体发光效率的重要因素之一。
关键词 锗酸铋晶体 荧光光谱 稀土掺杂
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标准化助力打造上海品牌晶体 被引量:1
12
作者 吴永庆 袁兰英 +1 位作者 陈俊锋 王东 《中国标准化》 2020年第S01期130-134,共5页
锗酸铋晶体是一种综合性能优异的无机闪烁晶体,广泛应用于核医学、高能物理、核物理、天体物理、环境监测、地质勘探和石油测井等辐射探测领域。本文通过分析上海硅酸盐所锗酸铋晶体研制生产历程和标准化经验,充分展示了标准化引领、支... 锗酸铋晶体是一种综合性能优异的无机闪烁晶体,广泛应用于核医学、高能物理、核物理、天体物理、环境监测、地质勘探和石油测井等辐射探测领域。本文通过分析上海硅酸盐所锗酸铋晶体研制生产历程和标准化经验,充分展示了标准化引领、支撑和促进上海品牌晶体研制生产的作用。 展开更多
关键词 锗酸铋晶体 闪烁晶体 核医学 高能物理 核物理 标准化
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适用于任意电场分布和传播方向的电光器件仿真方法 被引量:4
13
作者 邱鑫茂 马靖 +1 位作者 谢楠 徐启峰 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期240-247,共8页
提出了1种通用的三维电光器件仿真方法。该方法将有限元电场分析和电光效应耦合波理论相结合,通过求解电光器件的琼斯矩阵,计算了任意光传播方向和任意电场分布下的电光调制特性。以横向调制的Bi4Ge3O12(BGO)晶体光学电压传感器(OVS)为... 提出了1种通用的三维电光器件仿真方法。该方法将有限元电场分析和电光效应耦合波理论相结合,通过求解电光器件的琼斯矩阵,计算了任意光传播方向和任意电场分布下的电光调制特性。以横向调制的Bi4Ge3O12(BGO)晶体光学电压传感器(OVS)为例,对该方法进行了详细说明。讨论了Bi_4Ge_3O_(12)晶体内的非均匀电场及光路偏移对测量精度的影响,给出了在不同的精度等级条件下的最大允许光路偏移。该方法为光学电压传感器和其他电光器件的设计和性能评估提供了参考依据。 展开更多
关键词 光学器件 电光器件 有限元分析 耦合波理论 bi4ge3o12晶体
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AN EXAFS STUDY OF THE LOCAL STRUCTURE OF ATOMS IN AMORPHOUS Bi_4Ge_3O_(12)
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作者 沈志坚 林云飞 +2 位作者 陆坤权 赵雅琴 常龙存 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1988年第24期2019-2022,共4页
Ⅰ. INTRODUCTION Crystalline Bi4Ge2O12 (BGO) is one of the typical scintillation crystals, Bi3+ ions are its active centres. Amorphous bismuth germanite glasses containing higher bismuth have attracted great attenti... Ⅰ. INTRODUCTION Crystalline Bi4Ge2O12 (BGO) is one of the typical scintillation crystals, Bi3+ ions are its active centres. Amorphous bismuth germanite glasses containing higher bismuth have attracted great attention because of the scintillation property it 展开更多
关键词 EXAFS GLASS STRUCTURE bi4ge3o12
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