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喷雾干燥法制备Bi_4Ti_3O_(12)中空微米球及其光催化性能研究
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作者 谭皎 班俊 +2 位作者 熊秋月 王逸帆 徐光青 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1216-1220,共5页
采用喷雾干燥结合煅烧法成功制备Bi_4Ti_3O_(12)中空微米球,所获得分离的微米球直径为1~2μm。采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜和紫外-可见漫反射光谱仪对其结构,形态和光吸收性能进行了表征。在紫外光照射下,使用20mg/L甲基橙溶液的降... 采用喷雾干燥结合煅烧法成功制备Bi_4Ti_3O_(12)中空微米球,所获得分离的微米球直径为1~2μm。采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜和紫外-可见漫反射光谱仪对其结构,形态和光吸收性能进行了表征。在紫外光照射下,使用20mg/L甲基橙溶液的降解来测试具有不同煅烧温度的形成的光催化剂的光催化活性。当煅烧温度为600℃时,在紫外光照射下,形成的样品在2h内达到最高的光催化率为98.77%。 展开更多
关键词 bi4ti3o12微米球 喷雾干燥 光催化
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球形Bi4Ti3O12制备及其可见光催化性能 被引量:7
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作者 高晓明 代源 +2 位作者 张裕 王子航 付峰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第3期455-462,共8页
采用水热法合成球形钛酸铋复合氧化物光催化剂,利用SEM、XRD和UV-Vis DRS等表征手段对复合氧化物的晶体结构、微观形貌和光学性能进行了分析,结果表明,制备的钛酸铋复合氧化物为10 nm的球形颗粒,具有良好的晶型结构,禁带宽度为2.7 nm,... 采用水热法合成球形钛酸铋复合氧化物光催化剂,利用SEM、XRD和UV-Vis DRS等表征手段对复合氧化物的晶体结构、微观形貌和光学性能进行了分析,结果表明,制备的钛酸铋复合氧化物为10 nm的球形颗粒,具有良好的晶型结构,禁带宽度为2.7 nm,有较好的可见光吸收能力。以亚甲基蓝、甲基橙及酸性品红为目标污染物,研究了复合氧化物在可见光下的光催化降解有机污染物的性能,并对光催化降解机理进行了探讨。结果表明,在可见光照射下,该复合氧化物对酸性品红降解效果明显优于亚甲基蓝和甲基橙,光照150 min下,降解率可达91%。 展开更多
关键词 bi4ti3o12 光催化 可见光 酸性品红
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Nb掺杂Bi_4Ti_3O_(12)层状结构铁电陶瓷的电行为特性研究 被引量:30
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作者 张丽娜 李国荣 +2 位作者 赵苏串 郑嘹赢 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1389-1395,共7页
采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料... 采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料直流电导率与温度关系的Arrhenius拟合,分析丁Bi4Ti3-xNbxO12+x/2的导电机理. Nb5+掺杂提高了材料的介电常数,但居里温度随掺杂含量的增加呈线性下降趋势.DSC结果显示Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料在居里温度处经历了一级铁电相变.样品的铁电性能测试结果表明, Nb5+掺杂Bi4Ti3O12提高了材料的剩余极化Pr,这主要是由于Nb5+取代Ti4+大大降低了材料中氧空位的浓度,使得氧空位对畴的钉扎作用减弱的缘故. 展开更多
关键词 电导率 活化能 铁电性能 bi4ti3o12
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Nb改性Bi_4Ti_3O_(12)高温压电陶瓷的研究 被引量:12
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作者 江向平 杨庆 +3 位作者 陈超 涂娜 余祖灯 李月明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1169-1174,共6页
采用同相法(成型压力~12MPa)获得了Nb改性的Bi4Ti3O12(BIT+xmol%Nb2O5)层状压电陶瓷.研究发现随着Nb2O5含量的增加,a-b面取向的品粒逐渐增多,晶粒尺寸愈细化与均匀.Nb2O5的引入明显降低了BIT系列陶瓷的导电率和介电损耗,... 采用同相法(成型压力~12MPa)获得了Nb改性的Bi4Ti3O12(BIT+xmol%Nb2O5)层状压电陶瓷.研究发现随着Nb2O5含量的增加,a-b面取向的品粒逐渐增多,晶粒尺寸愈细化与均匀.Nb2O5的引入明显降低了BIT系列陶瓷的导电率和介电损耗,提高了陶瓷的相对密度、压电与机电性能.适量Nb2O5(x=4.00)掺杂时,陶瓷的电导率(-10^-13S/cm)比纯BIT的降低了2个数量级,且该陶瓷的相对密度ρ=98.7%,tanδ=0.23%,d33=18pC/N,Qm=2804,kp=8.1%,kt=18.6%,Np=2227Hz·m,Nt=2025Hz·m.BIT+xmol%Nb2O5(x=4.00)陶瓷在600℃经退极化处理后,其d33基本保持不变(-17pC/N),表明该材料在高温器件领域具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 压电陶瓷 微观结构 机电性能 bi4ti3o12
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Sr和Nb复合掺杂Bi4Ti3O12基高温压电陶瓷的研究 被引量:10
5
作者 杨庆 江向平 +3 位作者 余祖灯 涂娜 陈超 陈燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1471-1477,共7页
采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12+0.91wt%Nb2O5+xwt%SrCO3(BTNO-Sr,0.00≤x≤1.50)层状压电陶瓷,研究了Sr掺杂对BTNO系陶瓷微观结构与电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构相陶瓷。适量引入Sr能使BTNO系陶瓷的晶粒尺寸细... 采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12+0.91wt%Nb2O5+xwt%SrCO3(BTNO-Sr,0.00≤x≤1.50)层状压电陶瓷,研究了Sr掺杂对BTNO系陶瓷微观结构与电性能的影响。结果表明所有样品均为单一的铋层状结构相陶瓷。适量引入Sr能使BTNO系陶瓷的晶粒尺寸细化与均一,表现出介电弥散性,并改善其压电﹑机电和铁电性能。当x=0.50时,样品性能最佳:相对密度ρ=98.8%,压电常数d33=22 pC/N,平面机电耦合系数kp=9.5%,机械品质因子Qm=4462,剩余极化强度Pr=13.01μC/cm2,居里温度Tc=620℃。此外,介电性能和热稳定性能研究显示材料x=0.50具有好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。 展开更多
关键词 压电陶瓷 微观结构 机电性能 bi4ti3o12
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Sm掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷晶体结构及电性能的研究 被引量:6
6
作者 王瑾菲 蒲永平 +3 位作者 杨公安 庄永勇 杨文虎 毛玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期866-869,892,共5页
采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷。利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12(BST)陶瓷晶体结构及电性能的影响。结果表明:所... 采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷。利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12(BST)陶瓷晶体结构及电性能的影响。结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构。样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高。 展开更多
关键词 固相反应 bi4ti3o12 Sm掺杂 介电性能 晶体结构
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高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究 被引量:4
7
作者 蒲永平 王瑾菲 +3 位作者 赵新 杨公安 陈小龙 吴胜红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1119-1122,共4页
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温... 采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。 展开更多
关键词 Ba0.998La0.002tio3 bi4ti3o12 显微结构 居里温度
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熔盐法合成片状Bi_4Ti_3O_(12)粉体的研究 被引量:4
8
作者 李丽华 黄金亮 +1 位作者 张柯 殷镖 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期47-48,51,共3页
以Bi2O3和TiO2为原料,采用熔盐法合成了纯的铋层状结构的Bi4Ti3O12粉体。利用XRD和SEM等手段对其结构和形态进行了表征。结果表明,熔盐法合成的Bi4Ti3O12粉体呈现规则的片状。当温度从800℃升高到1050℃时,粉体片状尺寸增大,径高比增加... 以Bi2O3和TiO2为原料,采用熔盐法合成了纯的铋层状结构的Bi4Ti3O12粉体。利用XRD和SEM等手段对其结构和形态进行了表征。结果表明,熔盐法合成的Bi4Ti3O12粉体呈现规则的片状。当温度从800℃升高到1050℃时,粉体片状尺寸增大,径高比增加;当盐与反应物的质量比为0.8时,所得粉体片状尺寸较小,形状不规则;盐与反应物质量比增加到1时,粉体的尺寸明显增大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 熔盐法 bi4ti3o12 晶粒尺寸 微观形貌
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Bi_4Ti_3O_(12)光催化粉体的制备及性能研究 被引量:3
9
作者 杨鑫 柳清菊 +3 位作者 朱忠其 张瑾 刘强 赵鹤云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1577-1579,共3页
采用溶胶-凝胶法制备Bi4Ti3O12粉体,通过DSC-TGA、XRD以及光催化降解甲基橙的分析,研究了热处理温度、蒸馏水加入量及溶胶陈化时间等制备条件对光催化活性的影响。结果表明,通过优化制备条件后,所制备样品的带隙能约为2.89eV,在普通日... 采用溶胶-凝胶法制备Bi4Ti3O12粉体,通过DSC-TGA、XRD以及光催化降解甲基橙的分析,研究了热处理温度、蒸馏水加入量及溶胶陈化时间等制备条件对光催化活性的影响。结果表明,通过优化制备条件后,所制备样品的带隙能约为2.89eV,在普通日光灯下对甲基橙的降解率普遍大于相同条件下P25的降解率。 展开更多
关键词 bi4ti3o12粉体 溶胶一凝胶法 光催化
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(Bi_(4-x),La_x)Ti_3O_(12)铁电陶瓷性能研究 被引量:3
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作者 申林 肖定全 +2 位作者 余萍 朱建国 高道江 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期199-201,共3页
采用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)技术制备了 (Bi4 - x,L ax) Ti3O1 2 (BL T)干凝胶粉体 ,并用此粉体制备了陶瓷。利用 XRD、SEM等手段分析表征了陶瓷的结构、表面形貌及介电性能。结果表明 ,采用本文工艺技术制备的陶瓷为类钙钛矿结构 ,表面... 采用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)技术制备了 (Bi4 - x,L ax) Ti3O1 2 (BL T)干凝胶粉体 ,并用此粉体制备了陶瓷。利用 XRD、SEM等手段分析表征了陶瓷的结构、表面形貌及介电性能。结果表明 ,采用本文工艺技术制备的陶瓷为类钙钛矿结构 ,表面致密 ,陶瓷的极化场强约为 4 .5 k V/ m m;BL T陶瓷介电性能为 :介电常数 ε=4 2 5 (1k Hz) ,介电损耗 tanδ=0 .0 5 (1k Hz)。掺杂量的研究表明 ,当 x≥ 0 .4时 ,L a的引入对介电常数和介电损耗有较大的影响 ,即使介电常数升高 ,介电损耗降低。 展开更多
关键词 (bi4-x Lax)ti3o12 SoL-GEL 铁电陶瓷
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金属/SiO_2/Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的J-V特性 被引量:3
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作者 李建军 王耘波 +3 位作者 郭冬云 王龙海 高峻雄 于军 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期8-10,共3页
采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti... 采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜系统在不同电压范围(0~±6 V)的导电机制. 展开更多
关键词 无机非金属材料 bi4ti3o12铁电薄膜 sol-gel方法 J-V特性 肖特基发射 空间电荷限制电流
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化学溶液分解法快速合成Bi_4Ti_3O_(12)纳米晶材料(英文) 被引量:2
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作者 王少伟 陆卫 +6 位作者 王弘 王民 史国良 李宁 李志峰 陈效双 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期314-317,共4页
以Bi(NO3 ) 3 ·5H2 O和Ti(OC4H9) 4 )为原料 ,采用化学溶液分解法 (CSD)成功地合成了Bi4Ti3 O12 纳米晶体材料 .这些纳米晶经过X 射线衍射 (XRD)和透射电子显微镜 (TEM )的初步研究 ,观察到了层状结构的Bi4Ti3 O12 ,并发现了Bi4Ti3... 以Bi(NO3 ) 3 ·5H2 O和Ti(OC4H9) 4 )为原料 ,采用化学溶液分解法 (CSD)成功地合成了Bi4Ti3 O12 纳米晶体材料 .这些纳米晶经过X 射线衍射 (XRD)和透射电子显微镜 (TEM )的初步研究 ,观察到了层状结构的Bi4Ti3 O12 ,并发现了Bi4Ti3 O12 展开更多
关键词 化学溶液分解法 合成 纳米材料 bi4ti3o12 CSD法 棒状结构 纳米晶体 钛酸铋晶体
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Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对(Bi_(1.5)Zn_(0.5))(Zn_(0.5)Nb_(1.5))O_7陶瓷结构与介电性能的影响 被引量:2
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作者 周焕福 黄金亮 +2 位作者 王茹玉 李谦 黄清伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1204-1206,共3页
研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌。结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降... 研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响。采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌。结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε。1000℃烧结8%(摩尔分数)Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ=4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃。 展开更多
关键词 BZN陶瓷 bi4ti3o12掺杂 烧结特性 显微结构 介电性能
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Sol-Gel法制备Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及其性能研究 被引量:3
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作者 郭冬云 李美亚 +5 位作者 裴玲 于本方 吴庚柱 王耘波 杨斌 于军 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期683-685,共3页
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。 展开更多
关键词 bi4ti3o12薄膜 溶胶-凝胶(Sol—Gel)法 铁电性能 疲劳性能
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Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对BST陶瓷性能和结构的影响 被引量:3
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作者 崔永臻 黄新友 +1 位作者 高春华 魏敏先 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第2期260-262,共3页
研究了Bi4Ti3O12(2%~10%,质量分数)掺杂对(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电常数ετ、介质损耗tanδ、容温变化率△C/C等性能及其烧结温度的影响。结果表明,当w(Bi4Ti3O12)-10%时衙为2558,tanδ为0.0050,△C... 研究了Bi4Ti3O12(2%~10%,质量分数)掺杂对(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电常数ετ、介质损耗tanδ、容温变化率△C/C等性能及其烧结温度的影响。结果表明,当w(Bi4Ti3O12)-10%时衙为2558,tanδ为0.0050,△C/C=-39.2%,△C/C在25~125℃的范围内比在w(Bi4Ti3O12)=2%时降低了18%,陶瓷的烧结温度降为1180℃。借助SEM和XRD研究了Bi4Ti3O12掺杂量对样品的显微结构和物相组成的影响,表明Bi4Ti3O12作为烧结助剂包裹晶粒并填充晶粒间形成异相,阻止晶粒生长并细化晶粒。 展开更多
关键词 电容器陶瓷 钛酸锶钡 bi4ti3o12 掺杂
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可见光响应TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)复合粉的制备及表征 被引量:2
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作者 赵巍 张施盟 +3 位作者 王红杏 张宇波 高可心 王子豪 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期51-54,110,共5页
以熔盐法制备的微米级片状TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)为基体,采用Ti(SO4)2水解结合后续热处理的方法制备了TiO2/TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)复合粉,研究了原料配比对复合粉晶体结构、形貌以及光催化降解脱色效果的影响。结果表明:该复合粉的形貌为... 以熔盐法制备的微米级片状TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)为基体,采用Ti(SO4)2水解结合后续热处理的方法制备了TiO2/TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)复合粉,研究了原料配比对复合粉晶体结构、形貌以及光催化降解脱色效果的影响。结果表明:该复合粉的形貌为微米级片状TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)表面分布着纳米级的TiO_2颗粒;当原料中铋、钛物质的量比低于1∶6时,复合粉对亚甲基蓝具有良好的吸附脱色效果,钛含量过多时会导致水解产物的团聚,降低复合粉的比表面积,使其脱色效果变差;当铋、钛物质的量比为1∶4时,复合粉的比表面积为13.444 m^2·g^(-1),可见光光照4h以内,对亚甲基蓝的脱色率达到85%,其光催化降解脱色速率高于TiO_2/Bi_4Ti_3O_(12)的。 展开更多
关键词 tio2/bi4ti3o12复合粉 水解 可见光 脱色率
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Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷性能研究进展 被引量:3
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作者 石江涛 王秀峰 +1 位作者 于成龙 王海震 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期3-6,25,共5页
Bi4Ti3O12(BTO)属于铋层状钙钛矿结构,是一种重要的功能材料,具有良好的烧结性、介电铁电性以及光催化性能。通过综述近几年国内外对钛酸铋烧结性能、介电铁电性能以及光催化性能的研究进展情况,和分析该材料研究中存在的一些热点难点,... Bi4Ti3O12(BTO)属于铋层状钙钛矿结构,是一种重要的功能材料,具有良好的烧结性、介电铁电性以及光催化性能。通过综述近几年国内外对钛酸铋烧结性能、介电铁电性能以及光催化性能的研究进展情况,和分析该材料研究中存在的一些热点难点,对钛酸铋的未来发展做了展望。 展开更多
关键词 bi4ti3o12 烧结性能 铁电性能 光催化性能
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MOD法制备Bi_(4-x)La_xTi_3O_(12)铁电薄膜及其谱图分析 被引量:2
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作者 袁新华 刘黎明 应伟斌 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1355-1358,共4页
采用有机金属沉积法(MOD)制备了Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)前驱体溶液,分别在单晶硅基片上制备了BIT和BLT铁电薄膜。前驱体溶液的干凝胶粉体和铁电薄膜分别用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱和环境扫描电镜(ESEM)进行了表征。... 采用有机金属沉积法(MOD)制备了Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)前驱体溶液,分别在单晶硅基片上制备了BIT和BLT铁电薄膜。前驱体溶液的干凝胶粉体和铁电薄膜分别用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱和环境扫描电镜(ESEM)进行了表征。结果表明600℃时晶粒实现了由焦绿石相向类钙钛矿相结构的完全转变;温度升高,晶粒尺寸增大,薄膜结晶效果得到改善;引入镧使Ti—O和Bi—O键吸收峰位置向低波数频移,高温时频移率较大;500℃热处理时,干凝胶中乙二醇甲醚、乙酰丙酮完全分解,温度超过600℃后,残留的水及硝酸根离子挥发或分解。 展开更多
关键词 bi4ti3o12 bi3.25La0.75ti3o12 MoD 铁电薄膜
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退火温度对Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜微观结构影响研究 被引量:1
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作者 王华 于军 +1 位作者 王耘波 倪尔瑚 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期29-31,47,共4页
采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 Bi4 Ti3O1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 Bi4 Ti3O1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0~ 85 0℃... 采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 Bi4 Ti3O1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 Bi4 Ti3O1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0~ 85 0℃范围时均为多晶薄膜 ,而且随退火温度升高 ,Bi4 Ti3O1 2 薄膜更趋向于沿 c轴取向的生长 ;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大 。 展开更多
关键词 Si基bi4ti3o12铁电薄膜 铁电薄膜 bi4ti3o12 微观结构 退火温度 钛酸铋
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Influence of pH Value on Photocatalytic Activity of Bi4Ti3O12 Crystals Obtained by Hydrothermal Method 被引量:1
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作者 林雪 宫宇宁 +2 位作者 张耀丹 闫永胜 关庆丰 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第2期209-213,I0004,共6页
Bi4Ti3O12 (BIT) crystals were controllably synthesized via a facile hydrothermal process without adding any surfactant or template. The morphologies of BIT with nanosphere, nanoplate, nanobelt, and nanosheet can be ... Bi4Ti3O12 (BIT) crystals were controllably synthesized via a facile hydrothermal process without adding any surfactant or template. The morphologies of BIT with nanosphere, nanoplate, nanobelt, and nanosheet can be selectively obtained by adjusting the pH value of the reactant. The formation mechanisms of these distinctive morphologies were then discussed based on the structural analysis of samples obtained at different pH values. BIT sample prepared at pH=1 showed the highest photocatalytic activity under visible light irradiation. The photocatalytic activities difference for the BIT samples synthesized at different pH values was studied based on their shape, size, and the variation of local structure. 展开更多
关键词 PHoToCATALYSIS bi4ti3o12 pH value Local structure
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