纳米AlN分散的Bi_(85)Sb_(15)低温热电性能研究

利用机械合金（MA）和放电等离子（SPS）烧结方法,制备出Bi85Sb15/x mol%AlN（x=0,0.1,0.2,0.3）块体材料。在77—300 K温区内,测试了块体材料的电导率、Seebeck系数、霍尔系数和热导率,并由此计算出材料的zT值。结果表明：纳米AlN分散的Bi85Sb15材料,随着AlN含量的增加,样品的迁移率升高,从而明显提高材料的电导率,但Seebeck系数绝对值呈减小趋势。适量的纳米AlN的引入可以形成散射中心,增加对声子的散射作用,降低热导率。当基体Bi85Sb15中加入0.1mol%AlN时,其zT值在250 K取得最大值～0.32,比基体在此温度下的zT值提高了45%。