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坩埚下降法生长Bi_(88)Sb_(12)单晶体
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作者 王春生 赵超趣 +2 位作者 徐玉恒 赵业权 邵纪群 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期208-211,共4页
我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999％)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10^(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进... 我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999％)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10^(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进行了讨论。 展开更多
关键词 坩埚下降法 单晶 bi88sb12 铋 锑
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