一种用于LDO的BiCMOS带隙基准

提出了一种基于传统基准源的改进带隙基准.该电路采用0.6μm BiCMOS工艺实现,用于低压差线性稳压器.由于没有使用运算放大器以及非线性补偿技术,因此,该基准电路结构简单,面积小,电源电压为2.5 V时功耗低达12.5μW。在-40～125℃温度范围内温度系数为22.2×10-6/℃,线性调整率为0.01%/V。当外接0.47μF的滤波电容后,在1 kHz频率时电源抑制比为135 dB,在200 Hz和100 kHz频率时噪声功率谱密度分别为7.4 V/Hz和6.7 pV/Hz。

一种新型的BiCMOS带隙基准电压源

在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路。该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,静态电流约为10μA,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。

一种1.8ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源

介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性，使用简单的电路结构，达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40～125℃范围内使用HSPICE进行仿真，得到的温度系数仅有1．8ppm／℃。

一种分段温度补偿BiCMOS带隙基准源

设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源。该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温度系数。利用高增益的两级运算放大器以及增加PMOS管的栅长来提高电路的电源抑制比(PSRR)。在-55℃～125℃范围内,温度系数为2.9×10-6/℃,低频电源抑制比为-71dB。

一种改进型BiCMOS带隙基准源的仿真设计

依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路。该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共栅MOS管提高电路的电源抑制比,并加设了新颖的启动电路。HSPICE仿真结果表明,在低于1.1 V的电源电压下,所设计的电路能稳定地工作,输出稳定的基准电压约为610 mV;在电源电压VDD为1.2 V、温度27℃、频率为10 kHz以下时,电源噪声抑制比约为-45 dB;当温度为-40-120℃时,电路的温度系数约为11×10-6℃,因此该基准源具有低工作电压、高电源抑制比、低温度系数等性能优势。

一种改进的高精度BiCMOS带隙基准源的设计

在对传统带隙基准源的误差进行分析的基础上,介绍了一种改进的带隙核结构,该结构能有效抑制电流失配对带隙基准电压带来的影响。根据该结构设计了一种高精度BiCMOS带隙基准源。HSPICE仿真结果表明,该带隙基准源产生1.22V基准电压,在-25℃～+125℃温度范围内具有3.1×10-6/℃的温度系数。在25℃时和3.6V标准电源电压条件下,电源抑制比达76dB,静态工作电流为6.9μA,在2.7V～6V的电源电压范围内线性调整率为0.142mV/V。

一种BiCMOS带隙基准电压源的设计

设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路．综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点．电流镜用作运放，它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路．使用0．6μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型，利用Spectre工具对其仿真。结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45～85℃和4．5～5．5V时，输出基准电压变化1mV和0．6mV；温度系数为16×10^-5／℃；低频电源抑制比达到75dB．电路在5V电源电压下工作电流小于25μA．该电路适用于对精度要求高、温度系数低的锂离子电池充电器电路．

一种新型指数补偿BICMOS带隙基准源

在分析了带隙基准的指数曲率补偿原理的基础上,设计了一个低功耗、低温度系数、高电源抑制比的新型BICMOS带隙基准源电路.该电路基于0.6μm BICMOS工艺进行设计、仿真和实现.仿真结果表明,该带隙基准源在5V电源电压下,电源电流为50μA;温度变化范围从-40℃~110℃时,温度系数为2ppm/℃;低频电源抑制比为-105dB;负载从空载到驱动1k电阻时调整率为0.6mV.

一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源.采用上海贝岭的1.2μm B iCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.254 V,在2.7 V^5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV,基准的最大静态电流约为11.27μA;当温度-40℃~120℃范围内,基准温度系数为1 mV;在电源电压为3.6 V时,基准的总电流约为10.6μA,功耗约为38.16μW;并且基准在低频时具有100 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),基准的输出启动时间约为39μs.

指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源设计

利用双极型管电流增益的温度特性,采用UMC0.6μm BiCMOS工艺设计了一款指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源。测试结果表明:温度在10°C～100°C之间变化,带隙基准电压随温度变化最大偏移为2.5mV;电源电压在2.5～5.0V之间变化,带隙基准电压随电源电压直流变化最大偏移为0.95mV。该带隙基准电压具有较高的温度稳定性和电压稳定性。

一种高性能BiCMOS带隙基准电压源设计

文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上,介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路。该电路的实现是基于0.6μm、5V的BiCMOS工艺。仿真结果表明,该基准电路稳定工作电源电压范围为1.9V^6.4V,在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-25℃至150℃时,温度系数为9.73×10-6,输出电压误差为1.72mV。

一种低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计

设计了一种采用0.25μm BiCMOS工艺的带隙基准电压源电路和一种不使用多晶硅电阻的启动电路,整个电路具有低功耗和工作电压低的特点.HSpice模拟仿真结果表明,在-40-90℃温度范围内的各种工艺条件下,其输出电压数值精准.

BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提高了TIA芯片的应用性。目前,带隙基准电压源与偏置电路随TIA芯片正在进行MPW(多项目晶圆)流片。

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5V±0.002V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2mV,电源电压抑制比为60dB.5V电源电压下功耗为1.19mW.具有良好的电源抑制能力.

一种基于匹配优化的BiCMOS带隙基准源的实现

提出一种基于匹配优化的温度补偿技术,使用新型BiCMOS低压共源共栅结构,实现一种实用的低温度系数高精度带隙基准源。采用HSpice和Cadence Spectre对电路进行模拟;在SMIC 0.35μm混合信号工艺条件下,蒙特卡罗和工艺角分析表明,匹配优化技术正确可行,在-40℃到80℃之间,温度系数为8.85 ppm/℃,对电源的灵敏度为0.516%。

带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计

基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。

BiCMOS带隙基准源的设计

设计了一款具有高稳定性，低功耗的带隙基准源，采用1．5μm BiCMOS工艺制造，在-40℃～100℃它们的平均温度系数为29×10^-6／℃，电源电压抑制比为60dB。在电源电压为3．7V的情况下工作功耗为144μw，低功耗高精度的特性使它非常适合在混合信号设计的IC中应用。

一种高精度BiCMOS带隙基准电压源的实现

在对传统的带隙基准电压源电路分析和总结的基础上,提出了一种基于BiCMOS工艺的,新颖的自偏压共源共栅电流镜结构的高精度带隙基准电压源,利用cadence软件对其进行仿真验证,结果证明了该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源电压抑制比,目前在PWM中有着良好的应用前景。

一款基于BiCMOS工艺的高PSRR带隙基准电路

电压基准电路是目前广泛应用于直流电源变换器和数模/模数转换器件设计的一种电路单元。本文从基本工作原理出发,结合实际应用与理论推导,给出一款基于BiCMOS工艺的精确、高PSRR的带隙基准电路的设计。

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～+120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。