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一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器
被引量:
5
1
作者
于晓权
范国亮
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第6期784-788,共5页
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输...
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。
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关键词
运算放大器
bifet
工艺
高输入阻抗
输入偏置电流/失调电流
输入电压噪声谱密度
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职称材料
题名
一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器
被引量:
5
1
作者
于晓权
范国亮
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第6期784-788,共5页
文摘
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。
关键词
运算放大器
bifet
工艺
高输入阻抗
输入偏置电流/失调电流
输入电压噪声谱密度
Keywords
operational amplifier
bifet process
high input impedance
input bias current/offset current
input noise voltage spectral density
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器
于晓权
范国亮
《微电子学》
CAS
北大核心
2020
5
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