期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器 被引量:5
1
作者 于晓权 范国亮 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期784-788,共5页
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输... 针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。 展开更多
关键词 运算放大器 bifet工艺 高输入阻抗 输入偏置电流/失调电流 输入电压噪声谱密度
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部