低温烧结陶瓷BiMg_2VO_6的微波介电性能

通过传统的固相反应方法制备了低温烧结微波介质陶瓷Bi Mg2VO6,研究了该陶瓷与银的化学兼容性、物相、形貌及在720~840℃内的密度和微波介电性质,并测试了陶瓷的红外反射光谱。结果表明：陶瓷在780℃条件下与银共烧不发生反应,相对密度大于93.8%。在780℃条件下烧结2 h得到的陶瓷具有最好的微波介电性能：介电常数为13.4,Q×f值为15610 GHz（f=8.775 GHz）,温度系数为–87.2×10-6/℃。红外反射谱数据处理显示,Bi Mg2VO6的光频介电常数ε∞=3.4,微波频段的外推值为13.5。Bi Mg2VO6陶瓷好的微波介电性能和低的烧结温度,使其有望用作新的低温共烧陶瓷。