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n型Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3-y)Se_(y)基化合物的缺陷结构调控与电热输运性能
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作者 李睿英 罗婷婷 +6 位作者 李貌 陈硕 鄢永高 吴劲松 苏贤礼 张清杰 唐新峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期244-253,共10页
Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型... Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3-y)Se_(y)基化合物的缺陷演化过程及其对热电输运性能的影响规律.Sb和Se的固溶引入的带电伴生结构缺陷使得材料的载流子浓度发生了巨大变化,在Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(2.994)Cl_(0.006)样品中,Sb的固溶降低了反位缺陷Sb_(Te)_(2)形成能,诱导产生了反位缺陷Sb_(Te)_(2),使得少数载流子空穴浓度从2.09×10^(16)cm^(-3)增加至3.99×10^(17)cm^(-3),严重劣化了电性能.在Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.994-y)Se_(y)Cl_(0.006)样品中,Se的固溶使得Se(Te)_(2)+SbBi的缺陷形成能更低,抑制了反位缺陷Sb_(Te)_(2)的产生,Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.694)Se_(0.30)Cl_(0.006)样品的少数载流子空穴浓度降至1.49×10^(16)cm^(-3),消除了其对材料热电性能的劣化效果,显著地提升了材料的功率因子,室温下达到4.49 mW/(m·K^(2)).结合Sb和Se固溶增强合金化散射降低材料的热导率,Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.844)Se_(0.15)Cl_(0.006)样品在室温下获得最大ZT值为0.98.该研究为调控具有复杂成分的Bi_(2)Te_(3)基材料的点缺陷、载流子浓度和热电性能提供了重要的指导. 展开更多
关键词 bi2te3化合物 缺陷工程 热电性能
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n型Bi_(2)Te_(3)基化合物的类施主效应和热电性能
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作者 李强 陈硕 +7 位作者 刘可可 鲁志强 胡芹 冯利萍 张清杰 吴劲松 苏贤礼 唐新峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期288-296,共9页
晶粒细化是提高Bi_(2)Te_(3)基热电材料力学性能的重要方法,但晶粒细化过程中伴随的类施主效应严重劣化了材料的热电性能,并且一旦产生类施主效应,就很难通过简单的热处理等工艺消除.本文系统研究n型Bi_(2)Te_(3)基化合物烧结前粉体颗... 晶粒细化是提高Bi_(2)Te_(3)基热电材料力学性能的重要方法,但晶粒细化过程中伴随的类施主效应严重劣化了材料的热电性能,并且一旦产生类施主效应,就很难通过简单的热处理等工艺消除.本文系统研究n型Bi_(2)Te_(3)基化合物烧结前粉体颗粒尺寸对材料类施主效应和热电性能的影响规律.随着颗粒尺寸减小,氧诱导的类施主效应明显增强,载流子浓度从10 M烧结样品的3.36×10^(19)cm^(-3)急剧增加到120 M烧结样品的7.33×10^(19)cm^(-3),严重偏离最佳载流子浓度2.51×10^(19)cm^(-3),热电性能严重劣化.当粉体颗粒尺寸为1—2 mm时,烧结样品的Seebeck系数为–195 μV/K,载流子浓度为3.36×10^(19)cm^(-3),与区熔样品沿着ab面方向的Seebeck系数为–203 μV/K和载流子浓度为2.51×10^(19)cm^(-3)相近,未表现出明显的类施主效应,可作为粉末冶金工艺的优质原料. 18 M烧结样品获得最大ZT值为0.75,进一步增强织构有望获得优异的热电性能.本研究为调控和有效抑制类施主效应的产生提供了新方法和途径,为采用粉末冶金工艺制备具有优异热电性能和力学性能材料提供了重要指导. 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3)化合物 颗粒尺寸 类施主效应 热电性能
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Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应
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作者 冯世尊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期14-19,共6页
采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于... 采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大. 展开更多
关键词 bi_(2)(Se_(0.53)te_(0.47))_(3)纳米线 拓扑绝缘体 化学气相沉积 圆偏振光致电流效应
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Sb和Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料热电性能的影响研究
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作者 彭星 孙彩云 +4 位作者 唐晶晶 丛大龙 吴永鹏 周富 高诗情 《电工材料》 CAS 2024年第4期29-33,36,共6页
为了明确Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料热电性能的影响规律,采用高温熔炼法制备不同Sb掺杂量的P型Bi_(2)Te_(3)和不同Se掺杂量的N型Bi_(2)Te_(3)材料,通过SEM和EDS分析、热电性能测试等,研究Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料电导率、... 为了明确Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料热电性能的影响规律,采用高温熔炼法制备不同Sb掺杂量的P型Bi_(2)Te_(3)和不同Se掺杂量的N型Bi_(2)Te_(3)材料,通过SEM和EDS分析、热电性能测试等,研究Sb、Se掺杂量对Bi_(2)Te_(3)材料电导率、塞贝克系数、热导率、热电优值等热电性能的影响。结果表明,随着Sb掺杂量的增大,P型Bi_(2)Te_(3)的电导率先增大后减小,赛贝克系数先减小后增大,热导率减小,热电优值先增大后减小;随着Se掺杂量的增大,N型Bi_(2)Te_(3)的电导率先增大后减小,赛贝克系数先减小后增大,热导率减小,热电优值增大。当Sb掺杂量为22.5%时,P型Bi_(2)Te_(3)在175℃下的热电性能更好,热电优值为0.83;当Se掺杂量为5%时,N型Bi_(2)Te_(3)在175℃下的热电性能更好,热电优值为1.33。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3) 掺杂 电导率 赛贝克系数 热导率 热电优值
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Bi_(2)Te_(3)薄膜的宽波段自供电柔性光电探测器研究
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作者 刘霄龙 唐涵 +2 位作者 黄茜茜 陈琼 罗斯玮 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期66-73,共8页
拓扑绝缘体由于其独特的电学和光学性能在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_(2)Te_(3)二维材料是一种拓扑绝缘体,其体态绝缘而表面态导电,可用于高性能光电探测器的新型材料.该文使用气相沉积法分别在SiO_(2)/Si基底和聚酰亚胺(PI)柔性基... 拓扑绝缘体由于其独特的电学和光学性能在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_(2)Te_(3)二维材料是一种拓扑绝缘体,其体态绝缘而表面态导电,可用于高性能光电探测器的新型材料.该文使用气相沉积法分别在SiO_(2)/Si基底和聚酰亚胺(PI)柔性基底上生长出了连续、高质量的Bi_(2)Te_(3)薄膜,在此基础上构建了Bi_(2)Te_(3)光电探测器,测试结果表明Bi_(2)Te_(3)薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应和自供电性能,并在PI柔性基底上表现出优异的抗疲劳性能,在现代光电探测领域有着非常大的应用潜力. 展开更多
关键词 二维材料 bi_(2)te_(3) 光电探测器 柔性器件 气相沉积
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Ultrahigh thermoelectric properties of p‐type Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3)thin films with exceptional flexibility for wearable energy harvesting
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作者 Zhuang‐Hao Zheng Yi‐Ming Zhong +9 位作者 Yi‐Liu Li Mohammad Nisar Adil Mansoor Fu Li Shuo Chen Guang‐Xing Liang Ping Fan Dongyan Xu Meng Wei Yue‐Xing Chen 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期273-284,共12页
Use of a flexible thermoelectric source is a feasible approach to realizing selfpowered wearable electronics and the Internet of Things.Inorganic thin films are promising candidates for fabricating flexible power supp... Use of a flexible thermoelectric source is a feasible approach to realizing selfpowered wearable electronics and the Internet of Things.Inorganic thin films are promising candidates for fabricating flexible power supply,but obtaining highthermoelectric‐performance thin films remains a big challenge.In the present work,a p‐type Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3)thin film is designed with a high figure of merit of 1.11 at 393 K and exceptional flexibility(less than 5%increase in resistance after 1000 cycles of bending at a radius of∼5 mm).The favorable comprehensive performance of the Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3)flexible thin film is due to its excellent crystallinity,optimized carrier concentration,and low elastic modulus,which have been verified by experiments and theoretical calculations.Further,a flexible device is fabricated using the prepared p‐type Bi_(x)Sb_(2−x)Te_(3)and n‐type Ag_(2)Se thin films.Consequently,an outstanding power density of∼1028μWcm^(−2)is achieved at a temperature difference of 25 K.This work extends a novel concept to the fabrication of highperformance flexible thin films and devices for wearable energy harvesting. 展开更多
关键词 bi_(x)Sb_(2−x)te_(3) electrical transport properties FLEXIbiLITY THERMOELECTRIC
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Investigation of helicity-dependent photocurrent of surface states in(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate
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作者 喻钦 俞金玲 +3 位作者 陈涌海 赖云锋 程树英 何珂 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期573-578,共6页
Helicity-dependent photocurrent(HDPC)of the surface states in a high-quality topological insulator(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate grown by chemical vapor deposition(CVD)is investigated.By investigating the angle... Helicity-dependent photocurrent(HDPC)of the surface states in a high-quality topological insulator(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate grown by chemical vapor deposition(CVD)is investigated.By investigating the angle-dependent HDPC,it is found that the HDPC is mainly contributed by the circular photogalvanic effect(CPGE)current when the incident plane is perpendicular to the connection of the two contacts,whereas the circular photon drag effect(CPDE)dominates the HDPC when the incident plane is parallel to the connection of the two contacts.In addition,the CPGE of the(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplate is regulated by temperature,light power,excitation wavelength,the source–drain and ionic liquid top-gate voltages,and the regulation mechanisms are discussed.It is demonstrated that(Bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)Te_(3)nanoplates may provide a good platform for novel opto-spintronics devices. 展开更多
关键词 (bi_(0.7)Sb_(0.3))_(2)te_(3)nanoplate helicity-dependent photocurrent circular photogalvanic effect ionic liquid gating
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Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备数据采集与监控系统设计研究
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作者 张珂锌 汤辉 《工业控制计算机》 2024年第5期4-6,共3页
碲化铋(Bi_(2)Te_(3))基热电材料因其在室温下具有最高的热电优值(ZT≈1)而被广泛应用,是目前唯一成功商业化的热电材料。为实现Bi_(2)Te_(3)生产数据实时存储,通过集成管控提高设备运行效率,设计了Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备数据采... 碲化铋(Bi_(2)Te_(3))基热电材料因其在室温下具有最高的热电优值(ZT≈1)而被广泛应用,是目前唯一成功商业化的热电材料。为实现Bi_(2)Te_(3)生产数据实时存储,通过集成管控提高设备运行效率,设计了Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备数据采集与监控系统,实现了全工艺过程的实时数据采集和运行监控。经验证,该系统易于搭建,运行稳定,可以满足企业对Bi_(2)Te_(3)热电材料生产设备的集成监控、存储展示及分析验证等多种实际需求。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3)热电材料 数据采集 组态软件
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Bi_(2)Te_(3)基热电材料的湿热稳定性研究
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作者 肖娅妮 吕嘉南 +6 位作者 李振明 刘铭扬 刘伟 任志刚 刘弘景 杨东旺 鄢永高 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期800-806,I0004,I0005,共9页
Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前得到广泛商业应用的热电材料,其湿热稳定性直接影响着热电器件的服役可靠性。本工作探究了商用n型Bi_(2)Se_(0.21)Te_(2.79)和p型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)热电材料存储于85℃,85%RH(相对湿度)湿热环境600 h期... Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前得到广泛商业应用的热电材料,其湿热稳定性直接影响着热电器件的服役可靠性。本工作探究了商用n型Bi_(2)Se_(0.21)Te_(2.79)和p型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)热电材料存储于85℃,85%RH(相对湿度)湿热环境600 h期间的降解行为。在湿热处理600 h后,n型Bi_(2)Se_(0.21)Te_(2.79)和p型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)材料表面均被氧化,反应过程分别为Bi_(2)Te_(3)+O2→Bi_(2)O_(3)+TeO2和Bi_(2)Te_(3)+Sb_(2)Te_(3)+O_(2)→Bi_(2)O_(3)+Sb_(2)O_(3)+TeO_(2)。氧化过程在材料内部产生了纳米级孔洞,甚至微裂纹,导致材料的电、热性能全面劣化。在室温时,n型Bi_(2)Se_(0.21)Te_(2.79)材料的电导率从存储前的9.45×104 S·m^(–1)显著下降到7.79×10^(4)S·m^(–1),ZT则从0.97下降至0.79;p型Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)材料的Seebeck系数从243μV·K^(–1)明显减小至220μV·K^(–1),ZT则从1.24降低到0.97。综上所述,Bi_(2)Te_(3)基热电材料的湿热稳定性极差,微型热电器件在服役过程中需要进行严格封装,以阻止热电材料自身与环境中的水汽、空气发生复杂的氧化还原反应。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3) 热电材料 湿热稳定性 降解
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双酰胺类化合物引入环丙基制备新型杀虫剂的研究
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作者 高鹏 唐余 +1 位作者 陈诗桦 潘彤 《精细化工中间体》 CAS 2024年第4期10-12,16,共4页
在双酰胺类化合物中引入环丙基的结构改造,旨在通过结构改造,提升双酰胺类杀虫剂的杀虫广谱。以2-氟-3-胺基苯甲酸甲酯为原料制备新型双酰胺类化合物N-[2-溴-4-(1,1,1,2,3,3,3-七氟丙-2-基)-6-三氟甲氧基苯基]-3-[N-(环丙甲基)苯甲酰胺... 在双酰胺类化合物中引入环丙基的结构改造,旨在通过结构改造,提升双酰胺类杀虫剂的杀虫广谱。以2-氟-3-胺基苯甲酸甲酯为原料制备新型双酰胺类化合物N-[2-溴-4-(1,1,1,2,3,3,3-七氟丙-2-基)-6-三氟甲氧基苯基]-3-[N-(环丙甲基)苯甲酰胺基]-2-氟苯甲酰胺(BCPF)。有利于该化合物进一步杀虫药效、作用机制及高效杀虫剂的研究。 展开更多
关键词 环丙双酰胺类化合物 2-氟-3-胺苯甲酸甲酯 2-氟-3-[N-(环丙甲)苯甲酰胺]苯甲酸 N-[2-溴-4-(1 1 1 2 3 3 3-七氟丙-2-)-6-三氟甲氧]-3-[N-(环丙甲)苯甲酰胺]-2-氟苯甲酰胺
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n型B_(i2)Te_(3)基材料表面处理对热电单元性能的影响 被引量:1
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作者 华思恒 杨东旺 +7 位作者 唐昊 袁雄 展若雨 徐卓明 吕嘉南 肖娅妮 鄢永高 唐新峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期163-169,共7页
Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电... Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的尺寸越小,界面结合强度及接触电阻对于器件力学性能、开路电压以及输出功率等的影响就越显著。因此开发成本低、工艺简单的热电单元制备技术,并使n型Bi_(2)Te_(3)基块体材料与阻挡层间的界面兼具低接触电阻、高结合强度具有重要意义。本工作将n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料薄片在混合酸溶液(pH~3)中进行表面处理,随后进行化学镀Ni(5μm),再与Cu电极焊接制备得到热电单元。腐蚀后,n型Bi_(2)Te_(3)基热电材料表面大的沟壑与Ni阻挡层间形成锚固效应,腐蚀6 min的材料结合强度高达15.88 MPa。大沟壑表面进一步腐蚀后出现的精细分支与Ni阻挡层间形成纳米孔洞,显著增大了界面接触电阻,腐蚀2 min的材料达到2.23Ω·cm^(2)。最终,腐蚀4 min后镀Ni的n型Bi_(2)Te_(3)基热电片材与p型Bi_(2)Te_(3)基热电片材制备的微型热电器件在20 K温差(高温端306 K,低温端286 K)下的输出功率高达3.43 mW,相较于商用电镀镀层制备的同尺寸器件提升了31.92%。本工作将为微型热电器件的性能优化提供支撑。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3) 界面结合强度 界面接触电阻 镍阻挡层 微型热电器件
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含2-苯基-1,2,3-三唑基单环β-内酰胺类化合物的合成 被引量:6
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作者 阎琴 邵玲 +3 位作者 刘方明 解正峰 孙万赋 李锋 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1129-1132,共4页
寻找能口服、广谱的单环β-内酰胺类抗生素已经发展成为一个重要研究领域,烯酮-亚胺环加成是最有效的合成方法之一.在三乙胺与含2-苯基-1,2,3-三唑基的Schiff碱的苯溶液中逐滴加入邻苯二甲酰亚氨基乙酰氯或丙酰氯的苯溶液,加热回流,通... 寻找能口服、广谱的单环β-内酰胺类抗生素已经发展成为一个重要研究领域,烯酮-亚胺环加成是最有效的合成方法之一.在三乙胺与含2-苯基-1,2,3-三唑基的Schiff碱的苯溶液中逐滴加入邻苯二甲酰亚氨基乙酰氯或丙酰氯的苯溶液,加热回流,通过环加成反应得到含有2-苯基-1,2,3-三唑基和邻苯二甲酰亚胺基的单环β-内酰胺类化合物.产物均为反式构型,其结构由元素分析,IR,1HNMR。 展开更多
关键词 2-苯-1 2 3-三唑 单环伊内酰胺 环加成 酰胺类化合物 合成方法 三唑 单环
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退火工艺对Bi_(2)Te_(3)薄膜近红外光响应性能影响的研究
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作者 吴尉 赵晨晨 +3 位作者 张殷泽 毕杨豪 王东博 王金忠 《当代化工研究》 CAS 2023年第11期1-6,共6页
采用物理气相传输法(PVT)在p-Si衬底上制备了n-Bi_(2)Te_(3)薄膜。在不同温度下对薄膜样品进行退火处理,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜以及光致发光光谱对退火处理前后的薄膜形貌与微观结构进行表征。研究了退火温度对Bi_(2)... 采用物理气相传输法(PVT)在p-Si衬底上制备了n-Bi_(2)Te_(3)薄膜。在不同温度下对薄膜样品进行退火处理,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜以及光致发光光谱对退火处理前后的薄膜形貌与微观结构进行表征。研究了退火温度对Bi_(2)Te_(3)薄膜形貌结构以及红外光响应能力的影响。结果表明在200~400℃的温度区间内,退火温度为250℃时可有效提高薄膜结晶度,细化晶粒,减少薄膜缺陷,降低缺陷能级对Bi_(2)Te_(3)薄膜红外光响应性能的影响,使得在250℃获得的高结晶质量的Bi_(2)Te_(3)薄膜的红外光响应性能均优于其他的退火温度获得Bi_(2)Te_(3)薄膜和未处理的,表明采用PVT方法制备的Bi_(2)Te_(3)薄膜的最佳退火温度是250℃。 展开更多
关键词 bi_(2)te_(3)薄膜 退火温度 响应度 光电探测 自供能
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拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜制备及其电输运性能研究
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作者 张哲瑞 仇怀利 +3 位作者 周同 黄文宇 葛威锋 杨远俊 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第11期1580-1584,共5页
文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)法,在超高真空的条件下,于蓝宝石衬底上制备超薄的高质量拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用反射高能电子衍射(reflection high-energy electron diffraction, RHEED)仪、... 文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)法,在超高真空的条件下,于蓝宝石衬底上制备超薄的高质量拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用反射高能电子衍射(reflection high-energy electron diffraction, RHEED)仪、X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)仪、显微共焦激光拉曼光谱仪(micro confocal laser Raman spectrometer)和X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)仪对不同Sb掺杂量的样品进行表征,并获得最佳的制备参数。研究结果表明:衬底温度为460℃时Bi和Te的流量比为1∶16左右;在Sb温度为350、360、370、380℃时,可以制得高质量的(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜。利用霍尔效应测量系统测量样品的电阻率、霍尔系数、迁移率和载流子浓度;测量结果表明,(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)薄膜的载流子浓度和主要载流子类型随x的变化而发生相应的变化,并伴随着费米能级位置的调谐,随着x的增加,在x=0.53到x=0.68的掺杂过程中,费米能级从导带下移到带隙,最终进入价带,多数载流子类型也从自由电子转变成空穴,(Bi_(1-x)Sb_(x))_(2)Te_(3)实现了从n型到p型的转化。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) 拓扑绝缘体 (bi_(1-x)Sb_(x))_(2)te_(3)薄膜 霍尔系数 载流子迁移率
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金属有机框架化合物衍生Mn_(2)O_(3)催化过一硫酸盐降解左氧氟沙星
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作者 李帅 韩晓琳 +1 位作者 张巍 修光利 《环境污染与防治》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期157-162,198,共7页
采用高温煅烧方法制备得到了金属有机框架化合物衍生Mn_(2)O_(3),并将其用于催化过一硫酸盐(PMS)降解左氧氟沙星(Levo)。在Levo初始质量浓度为1 mg/L、Mn_(2)O_(3)催化剂投加量为0.04 g/L、PMS投加量为0.15 mmol/L、初始pH为6.7的反应... 采用高温煅烧方法制备得到了金属有机框架化合物衍生Mn_(2)O_(3),并将其用于催化过一硫酸盐(PMS)降解左氧氟沙星(Levo)。在Levo初始质量浓度为1 mg/L、Mn_(2)O_(3)催化剂投加量为0.04 g/L、PMS投加量为0.15 mmol/L、初始pH为6.7的反应条件下,Mn_(2)O_(3)催化PMS反应体系可以快速降解Levo,伪一级动力学常数为0.0337 min^(-1)。无机阴离子和腐殖酸对反应体系的影响不大,Cl-甚至可促进Levo的降解,pH适用范围也较宽(3.0~9.0)。Mn_(2)O_(3)催化PMS降解Levo过程中电子介导机理起着重要作用,同时还存在单线态氧(^(1)O_(2))的贡献,均属于非自由基路径。 展开更多
关键词 过一硫酸盐 Mn_(2)O_(3) 金属有机框架化合物 左氧氟沙星 非自由
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1-苯基(甲基)-3-甲基-5-(4,6-二甲基-2-嘧啶基硫基)-4-吡唑甲醛肟醚(酯)类化合物的合成及生物活性 被引量:4
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作者 刘莹 任军 金桂玉 《农药学学报》 CAS CSCD 2001年第1期12-16,共5页
合成了未见文献报道的含硫醚键的吡唑肟醚(酯)类化合物18个,所有新化合物的结构经元 素分析、1H NMR、IR和MS确认。部分化合物经生物活性初筛表现出抗菌活性与除草活 性。
关键词 1-苯(甲)-3-甲-5(4 6-二甲-2-嘧啶)-4-吡唑甲醛肟醚(酯)类化合物 合成 生物活性
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γ-Fe_(2)O_(3) 量子点/Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)纳米复合材料的制备及热电性能研究
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作者 苏梦然 秦雷 张志伟 《北京信息科技大学学报(自然科学版)》 2023年第1期1-7,共7页
采用溶剂热法合成出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点,并利用室温闪烧法合成了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)化合物。将γ-Fe_(2)O_(3) 量子点添加到Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)粉料中,通过放电等离子烧结法制备出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点/Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0... 采用溶剂热法合成出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点,并利用室温闪烧法合成了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)化合物。将γ-Fe_(2)O_(3) 量子点添加到Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)粉料中,通过放电等离子烧结法制备出γ-Fe_(2)O_(3) 量子点/Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)纳米复合块体材料,研究了γ-Fe_(2)O_(3) 量子点添加对Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)物相、微观结构及热电性能的影响。结果表明:添加质量分数为5%以内γ-Fe_(2)O_(3) 量子点未对Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)的物相产生明显影响,γ-Fe_(2)O_(3) 量子点分散在Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)层状晶粒间,且降低了Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)的晶粒尺寸。随着γ-Fe_(2)O_(3) 添加量的增加,材料的载流子浓度和迁移率均下降,使得电导率和塞贝克(Seebeck)系数同时降低,导致功率因子下降,而热导率也获得了显著降低,使得ZT值略有增加,纯样和添加质量分数为5%γ-Fe_(2)O_(3) 量子点样品的最大ZT值分别为0.407和0.418。 展开更多
关键词 γ-Fe_(2)O_(3)量子点 bi_(2)te_(2.7)Se_(0.3) 纳米复合材料 热电性能
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光致变色化合物的研究——1,3,3-三甲基-6'-(-1-哌啶基)-螺[2H-吲哚-2,3'-[3H]吡啶[3,2-f][1,4]苯并噁嗪]的合成 被引量:3
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作者 高伟 杨占坤 +1 位作者 彭强 谢明贵 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期559-562,共4页
The synthesis of an new photochromical compound,1,3,3 trimethyl 6′ (1 piperidinyl) spiro[2h indole 2,3′ [3H]pyridobenzoxazine (SP3),and an improved way for the synthesis of 6 hydroxyquinoline were descrided.The abso... The synthesis of an new photochromical compound,1,3,3 trimethyl 6′ (1 piperidinyl) spiro[2h indole 2,3′ [3H]pyridobenzoxazine (SP3),and an improved way for the synthesis of 6 hydroxyquinoline were descrided.The absorption spectrum of the colored metastable form SP3 shows prominent absorption peak at 560nm at 60℃? 展开更多
关键词 光致变色化合物 1 3 3-三甲-6'-(1-哌啶)-螺[2H-吲哚-2 3’-[3H]吡啶[3 2-f][1 4]苯并恶嗪] 合成
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2-(2,4-二氟苯基)-1-(4-烃基派嗪-1-基)-3-(1,2,4-三唑-1-基)-2-丙醇类化合物的合成及抗真菌活性 被引量:2
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作者 周国川 徐鸣夏 +1 位作者 吕丁 杨勤 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期521-523,共3页
To search for more potent and less toxic antifungal agents,Four 2(2,4Diflurophenyl)1(4alkylpiperazine1yl)3(1,2,4triazole1yl)2propanols were designed and synthesized,and their antifungal act... To search for more potent and less toxic antifungal agents,Four 2(2,4Diflurophenyl)1(4alkylpiperazine1yl)3(1,2,4triazole1yl)2propanols were designed and synthesized,and their antifungal activities in vitro were determined.All title compounds exhibited mild activities against yeast. 展开更多
关键词 2-(2 4-二氟苯)-1-(4-烃派嗪-1-)-3-(1 2 4-三唑-1-)-2-丙醇类化合物 合成 抗真菌活性 抗真菌药物 开发
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Au/Ga_2O_3的制备及其催化还原芳香族硝基化合物的研究 被引量:2
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作者 张燕辉 戴荣英 田雨 《五邑大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第2期9-13,共5页
采用简单的浸渍-煅烧法制备了Au/Ga_2O_3催化剂.通过粉末X射线衍射、扫描电镜和光电子能谱表征,发现所制备的Au/Ga_2O_3形貌呈棒状、Ga_2O_3以a和b两种晶相存在、Au以金属态形式存在.以催化还原芳香族硝基化合物为探针反应研究发现,Au/G... 采用简单的浸渍-煅烧法制备了Au/Ga_2O_3催化剂.通过粉末X射线衍射、扫描电镜和光电子能谱表征,发现所制备的Au/Ga_2O_3形貌呈棒状、Ga_2O_3以a和b两种晶相存在、Au以金属态形式存在.以催化还原芳香族硝基化合物为探针反应研究发现,Au/Ga_2O_3能显著促进对硝基苯胺催化还原得到对苯二胺,反应10 min,转化率达82.8%;同时也能促进对硝基苯酚催化还原为对胺基苯酚,反应10 min,转化率达96.0%. 展开更多
关键词 常温催化 Au/Ga2O3 化合物 化合物
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