High K材料对CMOS图像传感器性能的影响分析

阐述BDIT结构表面不同厚度的Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)材料对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,改变Ta_(2)O_(5)厚度对传感器QE以及高温性能影响较大,改变Al_(2)O_(3)厚度主要会影响高温性能。通过调整Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)厚度,可以改善图像传感器高温性能,同时可以改变传感器的QE特性。

高性能模拟集成电路工艺技术

介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展。重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势。

深槽隔离及其在双极型电路中的应用

本文简要回顾了双极型集成电路隔离技术的发展,着重分析讨论了八十年代发展起来的深槽隔离技术及其在双极型集成电路中的应用。

基于磁隔离驱动的双极性Marx脉冲源研制

该文针对脉冲功率技术在食品杀菌处理等领域的双极性高电压应用需求,设计了一种基于磁隔离驱动的全固态双极性Marx脉冲源。该双极性脉冲源主电路采用双Marx型电路拓扑。驱动电路采用磁心传递控制信号,利用磁心堆叠和次级绕组反并联方式,使得系统仅需两路驱动信号即可实现双Marx主电路拓扑中四种开关的控制。驱动电路结构简单可靠,开关同步性高。基于此驱动电路和主电路,筛选了主要器件,开展了相应仿真,最终研制出全固态双极性脉冲源样机,并开展了样机的性能测试。测试结果表明,该脉冲源输出电压为0~±20 kV,脉冲宽度为3~10μs,最大重复频率为200 Hz。脉冲源的输出电压、脉冲宽度、重复频率及正负脉冲间距均灵活可调,并可通过增加Marx模块的数量来实现更高等级的输出电压。

高性能双极型集成电路晶体管

本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。

用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)

研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。

基于IGBT技术的隔离开关智能操控系统设计

针对目前高压隔离开关在操控过程中动触头运动缺少精准控制和控制回路较复杂不易排除故障的问题,提出了一种集中化、可视化、智能化的隔离开关智能操作控制系统。该系统基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)变频调速技术,实现了隔离开关触头运动过程的精准控制;通过对原有控制回路的分析与整合,实现了隔离开关控制回路中各项逻辑的可视化。试验结果表明:该系统能够满足隔离开关分合闸的技术要求,可以有效提高隔离开关操作控制精准度与智能化水平。

基于CMOS SOI工艺的低插入损耗的射频开关设计

基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE;DD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路。该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实现了更低的插入损耗,该电路通过流片后验证,在0.1~3GHz的频率范围内,插入损耗都低于0.5dB,隔离度平均大于30dB,输入功率0.1dB压缩点达到了34dBm,可以满足4代通信的标准。

针对背照式图像传感器加工工艺中Crack缺陷的分析与优化

阐述背照式CMOS图像传感器,是将硅片减薄后,在光电二极管photodiode背面搭建Color filter及Micro Lens形成的。相比前照式CMOS图像传感器,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力。在整个工艺中流程,深沟槽隔离DTI作为关键工艺步骤,防止光电二极管信号串扰。DTI刻蚀的形貌至关重要,决定能否顺利填充。目前业界有采用U和V型隔离槽。基于V型隔离槽形貌情况,结合填充能力,探讨加工晶圆中心区域存在Crack缺陷的问题,针对此问题,基于刻蚀角度优化V型隔离槽顶部的Bowling,通过实验对Bowling产生的机理和通过优化刻蚀菜单的方法,减小Bowling值,Bowling越小越有利于后续的填充,最终实现无Crack缺陷的方法。最终产品晶圆的良率将得到有效提高。