美国国家半导体公司最新推出的D类Boomer音频放大器可大幅减少电磁干扰

近日，美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代号：NSM）宣布最新推出一款单声道2、65WD类（Class D）Boomer音频放大器可将电磁干扰大幅减少，比美国联邦电信委员会（FCC）规定的最低标准还低11dB以上。采用此款音频放大器的移动电话、智能电话、音乐播放机、笔记本电脑、DVD播放机、电子游戏机以及其他便携式电子产品等能进一步减少系统噪声。

美国国家半导体新一代Boomer音频放大器

美国国家半导体公司（National Semiconductor）宣布推出两款采用超小型封装的单芯片Boomer音频功率放大器。这两款型号分别为LM4962及LM4953的芯片是美国国家半导体先进陶瓷扬声器驱动群系列的两个最新型号，可以驱动较高的电容负载，适用于移动电话、智能电话、笔记本电脑等便携式电子产品。

NS推出两款单芯片Boomer音频放大器

美国国家半导体公司（NS）日前宣布推出两款采用超小型封装的单芯片Boomer音频功率放大器。这两款型号分别为LM4962及LM4953的芯片是NS先进陶瓷扬声器驱动器系列的两个最新型号，其优点是可以驱动较高的电容负载，适用于移动电话、智能电话、笔记本电脑等便携式电子产品。

美国国家半导体两款全新的Boomer音频放大器

美国国家半导体公司推出两款运用于移动电话及其他便携式电子产品的全新单芯片Boomer音频放大器，其优点是无论系统的电池电压下跌至哪一水平，这些便携式电子产品仍可输出高达1.8W的功率。

NS推出两款Boomer音频放大器

美国国家半导体公司（NS）目前推出两款适用于移动电话及其他便携式电子产品的全新单芯片Boomer音频放大器，无论电池电压下跌到什么水平，系统仍可输出高达1．8W的功率。

NS推出D类Boomer音频放大器LM4670及LM4671

美国国家半导体(NS)目前宣布推出两款高效率D类(Class D)音频放大器LM4670及LM4671，采用micro SMD封装，可以由外部设定增益，有助缩小电路板面积。

一种适用于D类音频功放的全差分运算放大器

介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用。该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整个运算放大器提供偏置电流,从而提高电路的电源抑制比;采用伪AB类输出级提高运放的瞬态响应,稳定运放输出。仿真结果表明,该电路具有良好的性能:增益为113dB,相位裕度为67°;单位增益带宽为1.9MHz,共模抑制比为160dB,电源抑制比为82.7dB;共模反馈环路增益为120dB,相位裕度为62°。

D类音频功率放大器控制方式综述

D类放大器虽然具有很高的效率 ,但由于功率晶体管的开关工作方式 ,D类放大器引入的失真通常大于线性放大器 ,这也是目前D类放大器在音频放大领域并未得到广泛应用的主要原因。D类放大器的控制方式是影响其性能的关键因素之一 ,研究适合的控制方法以改善D类放大器的保真度 ,是近年来电力电子技术和音频功率放大领域研究的热点。

基于LabVIEW测试音频功率放大器

本文介绍了将虚拟仪器技术引入到音频分析仪器的设计,采用LabVIEW编写程序。通过测试典型的音频放大器,检测虚拟式音频放大器测试的实用效果,测量音频信号的电压与频率、时域幅值分析、频域分析、失真分析和信噪比等。

D类音频功率放大器的全桥PWM改进方案与实现

论述了音频D类功率放大器的全桥PWM改进方案,并用模拟与数字的方法实现。利用这种方法实现的D类功率放大器具有高效率高性能的特点,并能降低滤波器性能的要求。

一种增益可控音频前置放大器电路的设计

设计了一种基于0.5μm CMOS工艺的增益可控音频前置放大器电路。该电路采用直流音量控制方式控制前置放大器的增益,进而实现整体音频放大器的音量控制。外部输入的直流模拟电压经过片内模数转换器转换成数字控制信号,控制前置放大器的输入电阻与反馈电阻的比值,从而实现前置放大器的增益控制。该放大器能够实现32档的音量控制范围,增益从-50 dB变化到25 dB,电路版图面积为1.2 mm×0.8 mm。

D类音频功率放大器中的死区控制电路设计

设计了一种用于D类音频功率放大器中产生死区时间的互锁电路,通过对功率管的输出状态进行检测,使得在每种状态下只有一个功率管导通,有效地防止了上下功率管的同时导通,从而减小了功率级的损耗,提高了放大器的效率.针对该互锁电路提出了一种死区时间设计方法,使得在有效抑制功率管导通的同时引入最小的失真,同时对引入死区时间所产生的影响做了详细分析.仿真结果表明:该互锁电路在输出信号的上升沿产生的死区时间为13.6 ns,在输出信号的下降沿产生的死区时间为15.5 ns.

CMOS PWM D类音频功率放大器的过流保护电路

基于Class-D音频功率放大器的应用,采用失调比较器及单边迟滞技术,提出了一种过流保护电路,其核心为两个CMOS失调比较器。整个电路基于CSMC0.5μmCMOS工艺的BSIM3V3Spice典型模型,采用Hspice对比较器的特性进行了仿真。失调比较器的直流开环增益约为95dB,失调电压分别为0.25V和0.286V。仿真和测试结果显示,当音频放大器输出短路或输出短接电源时,过流保护电路都能正常启动,保证音频放大器不会受到损坏,能完全满足D类音频放大器的设计要求。过流保护电路有效面积为291μm×59.5μm。

数字音频功率放大器原理及实现

介绍了数字音频功率放大器的基本原理,并对其关键技术进行了详细论述。通过分析数字功率放大器芯片产品的发展动态,选用一套典型芯片研发了5.1声道全数字功率放大器,并结合单片机组成一个完整系统,从而向商业化应用推进。

一种应用于PWM D类音频功率放大器的CMOS Rail-to-Rail比较器

提出了一种应用于CMOS D类音频功率放大器的Rail-to-Rail PWM比较器,其输入级为Rail-to-Rail结构,输出级为AB类输出。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺的BSIM3V3 Spice模型,采用Hspice对PWM比较器的特性进行了仿真,典型模型下的直流开环增益为50dB,电源抑制比为52dB,ICMR为0.04V^4.98V,传输时延为24.5ns,版图有效面积为210×75μm2。由于PWM比较器的良好性能参数,所以其不仅适用于D类音频功率放大器,也能应用于各类低频数据转换电路。

大功率低THD+N的D类音频功率放大器

为了减小D类放大器,尤其是大功率D类音频放大器的总谐波失真加噪声(THD+N),提出了二阶双反馈闭环结构,有效改善了失真、电源抑制和信噪比等主要性能;通过引入前馈结构,改善了输入信号动态范围。基于CSMC 0.5μm BCD工艺,采用该结构实现的双声道2×10 WD类音频功率放大器采用全差分结构和全桥输出,THD+N低至0.05%,PSRR可达82 dB@1 kHz,效率高于90%。

音频组合反馈放大器的理论和实践

本文叙述了能使测量放大器在整个音频范围内实现允许误差为10^(-6)～10^(-5)的组合反馈原理,以及按这原理实现的有关放大器的实践结果。