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ICP硅深槽刻蚀技术研究
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作者 黄斌 郭群英 《集成电路通讯》 2009年第4期23-27,共5页
介绍电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术的基本概念,并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程,对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究,总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。
关键词 ICP boseh技术 速率 均匀性 SOI Footing效应
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