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ICP硅深槽刻蚀技术研究
1
作者
黄斌
郭群英
《集成电路通讯》
2009年第4期23-27,共5页
介绍电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术的基本概念,并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程,对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究,总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。
关键词
ICP
boseh技术
速率
均匀性
SOI
Footing效应
下载PDF
职称材料
题名
ICP硅深槽刻蚀技术研究
1
作者
黄斌
郭群英
机构
中国兵器工业第
出处
《集成电路通讯》
2009年第4期23-27,共5页
文摘
介绍电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术的基本概念,并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程,对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究,总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。
关键词
ICP
boseh技术
速率
均匀性
SOI
Footing效应
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TH136 [机械工程—机械制造及自动化]
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1
ICP硅深槽刻蚀技术研究
黄斌
郭群英
《集成电路通讯》
2009
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