B_4C/Al对慢中子衰减性能研究

本文用Burrus模型和蒙特卡罗方法,模拟中子透过B4C/Al板的衰减规律。在Burrus模型中,选用0.025 3eV中子为中子源,B4C/Al板厚度为0.15cm,0.20cm,0.25cm,0.30cm,0.35cm,其中B4C的质量百分含量为20%,30%,40%。结果表明,在B4C/Al复合材料中,B4C含量越高,颗粒越小,材料的中子吸收效果越好,中子透射率越小。入射到B4C/Al板的中子,在B4C/Al板的穿透率与入射角方向有关,垂直与B4C/Al相互作用时,中子透射出的概率最大,随着入射角弧度增大,中子在B4C/Al板的透射率逐渐变小。蒙特卡罗方法使用MCNP程序对B4C/Al与中子的相互作用进行模拟,结果表明,B4C/Al板对能量为0.025 3eV的中子比1.0eV的中子有更大的吸收效果。