期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算 被引量:11
1
作者 张富春 邓周虎 +2 位作者 阎军锋 王雪文 张志勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1268-1272,共5页
根据密度泛函理论(DFT),采用“总体能量-平面波”超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据。计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体... 根据密度泛函理论(DFT),采用“总体能量-平面波”超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据。计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度。分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响。 展开更多
关键词 ZNO 密度泛函 电子结构 掺杂 光吸收边 burstein-moss移动
下载PDF
Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性 被引量:7
2
作者 朱顺明 叶建东 +4 位作者 顾书林 刘松民 郑有炓 张荣 施毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1567-1571,共5页
利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高... 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降. 展开更多
关键词 氧化锌 掺杂 burstein-moss效应 能带重整化 金属有机化学气相外延
下载PDF
重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性 被引量:4
3
作者 吕有明 曹培江 +5 位作者 贾芳 柳文军 朱德亮 马晓翠 林传强 刘稳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期307-312,共6页
以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电... 以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究。结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率>80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽。 展开更多
关键词 AZO薄膜 burstein-moss效应 光电特性
下载PDF
衬底温度和氢气退火对ZnO:Al薄膜性能的影响 被引量:9
4
作者 张惠 沈鸿烈 +1 位作者 尹玉刚 李斌斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期72-75,共4页
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO:Al薄膜,并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,衬底加热可以改善薄膜结晶质量和c轴择优取向,减小内应力,并提高其电学性能。经稀释氢气退火... 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO:Al薄膜,并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,衬底加热可以改善薄膜结晶质量和c轴择优取向,减小内应力,并提高其电学性能。经稀释氢气退火后,500℃沉积的薄膜电阻率由9.4×10-4Ω.cm减小到5.1×10-4Ω.cm,迁移率由16.4cm2.V-1.s-1增大到23.3 cm2.V-1.s-1,载流子浓度由4.1×1020cm-3提高到5.2×1020cm-3,薄膜的可见光区平均透射率仍达85%以上。禁带宽度随着衬底温度的升高和氢气退火而展宽。 展开更多
关键词 ZNO:AL薄膜 氢气退火 电阻率 光透过率 burstein-moss效应
下载PDF
影响InN材料带隙的几个关键问题 被引量:2
5
作者 董少光 李炳乾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期82-87,共6页
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了In... 确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素。影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N∶In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同。 展开更多
关键词 InN材料 带隙 Moss-Burstein效应 深能级 化学计量
下载PDF
Modulation of electrical and optical properties of gallium-doped ZnO films by radio frequency magnetron sputtering 被引量:2
6
作者 梁爽 梅增霞 杜小龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第6期478-484,共7页
Ga-doped ZnO (GZO) films are prepared on amorphous glass substrates at room temperature by radio frequency magnetron sputtering. The results reveal that the gallium doping efficiency, which will have an important in... Ga-doped ZnO (GZO) films are prepared on amorphous glass substrates at room temperature by radio frequency magnetron sputtering. The results reveal that the gallium doping efficiency, which will have an important influence on the electrical and optical properties of the film, can be governed greatly by the deposition pressure and film thickness. The position shifts of the ZnO (002) peaks in X-ray diffraction (XRD) measurements and the varied Hall mobility and carrier concentration confirms this result. The low Hall mobility is attributed to the grain boundary barrier scattering. The estimated height of barrier decreases with the increase of carrier concentration, and the trapping state density is nearly constant. According to defect formation energies and relevant chemical reactions, the photoluminescence (PL) peaks at 2.46 eV and 3.07 eV are attributed to oxygen vacancies and zinc vacancies, respectively. The substitution of more Ga atoms for Zn vacancies with the increase in film thickness is also confirmed by the PL spectrum. The obvious blueshift of the optical bandgap with an increase of carrier concentration is explained well by the Burstein Moss (BM) effect. The bandgap difference between 3.18 eV and 3.37 eV, about 0.2 eV, is attributed to the metal-semiconductor transition. 展开更多
关键词 doping efficiency Hall mobility PHOTOLUMINESCENCE burstein-moss effect
下载PDF
ITO薄膜导电机理紫外-红外光谱分析 被引量:1
7
作者 余刚 赵芳红 刘益环 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第22期84-87,共4页
采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备ITO薄膜,结合薄膜面电阻和微观结构,采用红外、紫外光谱特征分析薄膜的导电机理。结果表明:在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向短波方向移动,光学带隙展宽,红外等离子共振吸收波长向短波... 采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备ITO薄膜,结合薄膜面电阻和微观结构,采用红外、紫外光谱特征分析薄膜的导电机理。结果表明:在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向短波方向移动,光学带隙展宽,红外等离子共振吸收波长向短波方向移动;随氧分压增加紫外吸收波长明显向长波方向移动,光学带隙变窄,红外等离子共振吸收波长向长波方向移动;根据Burstein-Moss移动理论及XRD、AFM结果,说明温度升高改善ITO薄膜结晶程度,提高Sn掺杂效率,载流子浓度增加;相同温度条件下随氧分压的增加使氧空位减少,载流子减少,并且氧分压的影响更为显著。 展开更多
关键词 ITO薄膜 载流子浓度 红外光谱 紫外光谱 burstein-moss移动
原文传递
射频磁控溅射制备高In组分Al_(1-x)In_(x)N薄膜及其光学性能 被引量:2
8
作者 陈建金 齐东丽 +3 位作者 刘俊 李想 宋健宇 沈龙海 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1970-1975,共6页
采用射频磁控溅射法,在硅和石英衬底上生长了高In组分Al_(1-x)In_(x)N薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-红外分光光度计分别对Al_(1-x)In_(x)N薄膜的结构、形貌和光学带隙进行表征,并在室温下测量Al_(1-x)In... 采用射频磁控溅射法,在硅和石英衬底上生长了高In组分Al_(1-x)In_(x)N薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-红外分光光度计分别对Al_(1-x)In_(x)N薄膜的结构、形貌和光学带隙进行表征,并在室温下测量Al_(1-x)In_(x)N薄膜的光致发光(PL)谱。结果表明:Al_(1-x)In_(x)N薄膜均呈(002)择优取向,具有单相纤锌矿结构,In组分为x=0.64-0.76。随着In组分升高,薄膜表面更加光滑,光学带隙值由1.93 eV红移至1.87 eV。In组分x=0.64,薄膜以本征发光为主,随着In组分增加,出现了附加的发光峰,这可归因于Moss-Burstein效应。 展开更多
关键词 铝铟氮薄膜 择优取向 光致发光 burstein-moss效应
原文传递
石墨烯/ZnO复合材料中的布尔斯坦效应 被引量:1
9
作者 范厚刚 赵筱婷 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2014年第3期32-36,共5页
通过简单、可重复的溶剂热蒸发法,以自制氧化石墨和氧化锌为原料,制备一系列不同比例的氧化锌和石墨烯的纳米复合材料,将氧化石墨还原成石墨烯的同时,完成石墨烯与氧化锌的复合.通过XRD、SEM、Raman、XPS、PL等表征手段对样品的形貌、... 通过简单、可重复的溶剂热蒸发法,以自制氧化石墨和氧化锌为原料,制备一系列不同比例的氧化锌和石墨烯的纳米复合材料,将氧化石墨还原成石墨烯的同时,完成石墨烯与氧化锌的复合.通过XRD、SEM、Raman、XPS、PL等表征手段对样品的形貌、结构及光学性能进行研究.在PL光谱中,随着石墨烯含量的增加,复合材料中呈现出荧光猝灭现象,并且本征发光峰位呈现规律性的蓝移,这可能是由布尔斯坦—摩斯(BursteinMoss)效应所引起的. 展开更多
关键词 石墨烯 氧化锌 荧光猝灭 布尔斯坦-摩斯效应
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部