丁二烯/苯乙烯/4-乙烯基吡啶共聚物蒙脱土嵌入混杂材料的研究

用聚合物乳液与蒙脱土的水分散体共混 共凝的方法制备混杂材料 .在混合过程中乳胶粒与蒙脱土晶层相互穿插 ,用盐酸絮凝 ,带正电的共聚物能够嵌入带负电的蒙脱土层间 .萃取实验发现在混杂材料中蒙脱土吸附了大量的共聚物 ,说明蒙脱土晶层与共聚物之间存在静电吸附作用 .XRD实验发现在混杂材料中蒙脱土的晶层结构发生了膨胀 ,并且变得混乱 ,而在共混物中蒙脱土晶层结构几乎不变 .用TEM观察在混杂材料中蒙脱土晶层均匀分散于共聚物基体中 ,蒙脱土的层间距大于 6nm .共聚物嵌入蒙脱土的层间 ,受到蒙脱土晶层的限制作用 ,共聚物的Tg 发生了变化 .交联以后的混杂材料的性能比共聚物有了较大的提高 ,蒙脱土晶层在共聚物基体中起到很好的补强作用 .

Co系Ziegler-Natta催化剂催化丁二烯-苯乙烯共聚合——Ⅰ.高顺式-1,4丁二烯-苯乙烯共聚物的合成与表征

对比了4种Ni,Co化合物分别与倍半乙基铝所组成的体系对丁二烯-苯乙烯共聚的催化活性;详细研究了Co-Al催化体系的制备条件和工艺参数对共聚物的[η],微观结构和结合St含量的影响,合成出顺式-1,4含量>95％(mol)、结合St含量为5％—10％(mol),[η]=2—2.7dL/g的丁苯共聚物,从而开发出一种新型丁苯共聚催化剂。

辐照聚苯乙烯-丁二烯-4-乙烯基吡啶嵌段共聚物性能研究

本文研究了聚苯乙烯-丁二烯-4-乙烯基吡啶嵌段共聚物经^(60)Coγ辐照后的性能,实验表明当辐照剂量为10~5Gy时,嵌段共聚物的凝胶含量达98％。此时共聚物有优良的耐酸、硷、有机试剂性能。FTIR红外光谱证实辐照(剂量10~5Gy)后共聚物中双键峰基本消失。TEM照片表明辐照不改变嵌段共聚物的相分离结构。和未辐照的样品相比,辐照后聚合物的断裂模量提高一倍,断裂形变则下降1/5,并且聚合物的应力松弛也减小。聚合物的扬氏模量在0—60℃范围内保持不变(10^(10)dyn·cm^(-2))。上述特点使得辐照后的嵌段聚合物极有利于制成嵌镶离子交换膜。

导电聚苯胺／丁苯吡胶乳复合聚合物

以丁苯吡胶乳（ＰＳＢＲＬ）为稳定剂，苯胺（Ａｎ）进行氧化聚合，制得的导电ＰＡｎ／ＰＳＢＲＬ复合聚合物可直接浇铸成膜，亦可经破乳后用其沉淀物经热压成膜。氧化聚合条件：［ＨＣｌ］＝１．４ｍｏｌ／Ｌ，［Ａｎ］＝０．５ｍｏｌ／Ｌ，［氧化剂］＝０．２５ｍｏｌ／Ｌ。胶膜性质：当该复合聚合物中ＰＡｎ含量约为５０％时，电导率可达５×１０２Ｓ／ｍ左右，拉伸强度约１３ＭＰａ，扯断伸长率为５３％，在空气气氛中贮存２８ｄ电导率基本不变。

用乙烯基吡啶改性苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物

通过采用1,1-二苯基乙烯作为降活剂降低苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)活性大分子的活性,然后用2-乙烯基吡啶进行封端聚合,合成了苯乙烯-丁二烯-苯乙烯-2-乙烯基吡啶多嵌段共聚物,研究了降活剂和单体用量及反应条件对聚合的影响。结果表明,在降活剂用量控制为活性中心的1.0倍(摩尔比)、2-乙烯基吡啶质量分数控制为活性SBS的3%以下、反应温度在60～83℃及反应时间不少于35min时能够制得相对分子质量可控且分布较窄的嵌段共聚物。

SBP嵌段共聚物的合成和鉴定

用正丁基锂为引发剂,四氢呋喃为添加剂,按阴离子顺序加料方法合成了聚苯乙烯-丁二烯-4-乙烯吡啶(SBP)嵌段共聚物,经FTIR、UV、DSC、DDV等测试方法表征,证实了所合成的聚合物为聚苯乙烯-丁二烯-4-乙烯基吡啶嵌段共聚物。研究表明4-乙烯吡啶在聚合体系中聚合反应极为迅速且由于吡啶环上N原子对碳阴离子较为敏感,故嵌段共聚物中含有部分分子量较高的支化高分子。透射电镜表明样品具有精细的微相结构。聚合物的微相结构随聚合物中聚丁二烯含量提高,可以从蜂窝状结构转变成层状结构。