C_(77)Si电子结构和光谱的量子化学研究

用 INDO系列方法对 C77Si的 2 1种可能异构体进行了理论研究 ,表明最稳定异构体是由 C78( C2ν)椭球长轴所穿过的六元环上原子 C3 5被 Si取代所形成的 ,椭球短轴附近的原子不宜被取代 ;C77Si光谱吸收峰与C78相比发生红移 。