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晶格失配对C/BN异质结价带偏移的影响
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作者 郑永梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期881-885,共5页
本文采用Lowdin微扰原理改进计算效率的局域密度泛函(LDF)线性Muffin-tin轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带从头计算方法,以平均键能Em作参考能级,计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石(C/... 本文采用Lowdin微扰原理改进计算效率的局域密度泛函(LDF)线性Muffin-tin轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带从头计算方法,以平均键能Em作参考能级,计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石(C/BN)、以C0.5(BN)0.5合金为衬底外延生长金刚石与闪锌矿结构氯化硼(CIBN)、以金刚石为衬底外延生长闪锌矿结构氯化硼(C\BN)和金刚石与氮化硼以平均晶格常数匹配生长(C-BN)等四种不同情况下,宽禁带半导体异质结C/BN的价带偏移△Ev值,结果分别为1.505、1.494、1.385和1.420eV,得到金刚石(C)和闪锌矿结构氯化硼(BN)之间,晶格失配对C/BN异质结价带偏移△Ev值的定量影响为4~6%,但不改变其独特的Ⅱ型能带排列. 展开更多
关键词 金刚石 c/bnn 异质结 晶格失配 外延生长
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