聚苯胺与Si/C/N复合粉体的制备及其微波介电特性

用原位合成法在Si/C/N纳米粉表面包覆聚苯胺,制备出聚苯胺与Si/C/N复合材料,复合粉体近似球形,粒径为1～3μm。研究了聚苯胺与Si/C/N复合粉在8.2～12.4GHz的微波介电特性,与纳米Si/C/N相比,聚苯胺与Si/C/N复合粉体的ε′、ε″和tanδ有所增加,ε′在5.16～5.88范围内波动,ε″的变化范围为1.96～2.53,介电损耗角正切值达到了0.43,具有较好的微波介电特性。在8～12.4GHz范围内随频率的增加,聚苯胺与Si/C/N复合粉体的ε′、ε″和tanδ值均出现频响效应,是较为理想的微波吸收材料。

高能球磨工艺对B_4C/Al复合粉体结构演变及分布均匀性的影响

制备B4C增强Al基复合材料存在的难点主要是B4C颗粒在Al基体中的均匀分布及界面结合。本研究采用卧式搅拌高能球磨法制备了B4C/Al复合粉体,研究了搅拌轴转速和球磨时间对B4C/Al复合粉体结构演变及分布均匀性的影响。结果表明,随搅拌轴转速的提高,复合粉体受磨球碰撞时所获能量增大,增强体颗粒瞬间被破碎同时使Al粉发生较大的塑性变形,随球磨时间的延长,破碎的B4C颗粒逐渐在Al基体中分散均匀并与基体焊合,利于粉体实现均匀分布和良好的界面结合。球磨过程中B4C沿颗粒棱边脆性断裂,在Al粉的冷焊变形过程中被嵌入,形成一种片状化的Al粉基体包裹B4C增强相的复合粉体。在搅拌轴转速为600/800r/min(交变转速,交变频率为1min),球磨时间为2h时,B4C/Al复合粉体的粒度得到细化,B4C颗粒在Al基体中分布均匀、界面结合紧密。

正交设计法优化C/Al_2O_3复合粉体选择性激光烧结成型工艺的研究

设计三因素四水平正交试验,以烧结样品的孔隙率和体积密度作为考查指标,优选激光烧结工艺参数。结果得到了一组较为合理的工艺参数:激光功率17.5A、扫描速度350 mm/s、扫描间隔60μm。对实验结果分析表明:各种烧结工艺参数对激光烧结样品性能的影响主要体现在激光烧结温度和烧结时间这两个方面。烧结温度和烧结时间共同决定着激光烧结的过程。

W-Ni/TiC复合材料的制备与组织

采用化学活化预处理对Ti C粉体进行镀前预处理,预处理后通过化学镀制备Ni-W包覆Ti C复合粉体,再将2%Ni-W包覆Ti C复合粉体与W粉混合,采用不同压力压制后烧结获得了W-Ni/Ti C复合材料。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)观察和分析了Ti C陶瓷粉体预处理前后形貌、包覆后复合粉体的形貌和成分、以及不同压力压制W-Ni/Ti C烧结体形貌和成分,探讨了Ni-W包覆Ti C复合粉体和W-Ni/Ti C复合材料形成过程,压制压力对烧结体的影响规律。结果表明,化学镀方法能够制备Ni-W包覆Ti C复合粉体,粉体包覆均匀性良好,所获得的W-Ni/Ti C复合材料与相同工艺下烧结的纯钨相比具有较好的致密性,且随着压制压力的增大,致密性更高。

提升方镁石-碳化硅-碳复合粉体内碳化硅合成效果的探索研究

为了进一步优化低碳材料性能,通过优化镁碳材料基质结构和优化内部石墨的保护,使材料使用寿命得以提升。本文在采用轻质氧化镁、单质硅粉和鳞片石墨为原料成功制备出MgO-SiC-C复合粉体的基础上,对提升内部原位合成SiC方面进行了一定的对比研究。结果表明:1)在促进复合粉体内抗氧化剂SiC的合成方面,合理地控制成型压力有利于物质交换和SiC的合成。2)显微结构显示,添加剂CuS情况下,合成的原位SiC主要呈片层状或团簇状分布于石墨片周围,分布相对均匀,利于对内部石墨进行抗氧化性能强化。