266 nm紫外固体激光在碳化硅晶片上的微结构加工

紫外固体激光微细加工以其独特优势,成为微结构加工的重要方法之一,尤其对硬脆难加工类宽带隙材料的微细加工。利用266 nm紫外固体激光微细加工系统,在宽带隙材料Si C上进行实验研究。应用扫描电子显微镜和光学显微镜等检测技术对样件进行检测。采用紫外固体激光静态照射Si C晶片表面,紫外固体激光烧蚀孔径和单脉冲能量的关系,计算266 nm紫外固体激光烧蚀Si C晶片的烧蚀阈值。通过直线扫描实验,在不同实验条件下,在Si C晶片表面加工微槽,获得微槽的宽度和深度与激光主要参数之间的关系。结果表明:激光能量密度可以改变槽宽和槽深,而扫描次数对槽宽基本无影响,而对槽深影响较大。利用聚焦的紫外固体激光束沿着轨迹扫描,在Si C晶片上加工出典型的微细结构,实现微细结构的精密加工。